[发明专利]半导体结构及其制作方法

说明书

本发明涉及一种半导体结构及其制作方法，其中，半导体结构包括基底、接触孔、阻挡层以及导电接触结构，基底包括有源区，有源区内形成有漏区以及源区；接触孔自基底的表面向源区和/或漏区延伸；阻挡层位于导电接触结构底面；导电接触结构填充接触孔，且包括接触层，接触层接触源区和/或漏区。本发明可以有效增大源漏电流。

技术领域

本申请涉及集成电路技术领域，特别是涉及一种半导体结构及其制作方法。

背景技术

金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)等元器件作为半导体制造工艺中的常用器件，其通常会在有源区内进行重掺杂而形成源区以及漏区，且会形成深入源区以及漏区的导电接触结构，从而实现将源区与漏区之间电流(导通电流)与外部的连通。

但是，在实际产品中，常会出现因导电接触结构导致导通电流较小、漏电流较大的问题。

发明内容

基于此，提供一种半导体结构及其制作方法，可以改善导电接触结构，提高器件性能。

为了实现上述目的，本发明提供了一种半导体结构，包括基底、接触孔、阻挡层以及导电接触结构，

所述基底包括有源区，所述有源区内形成有漏区以及源区；

所述接触孔自所述基底的表面向所述源区和/或所述漏区延伸；

所述阻挡层位于所述导电接触结构底面；

所述导电接触结构填充所述接触孔，且包括接触层，所述接触层接触所述源区和/或所述漏区。

在其中一个实施例中，所述基底包括衬底以及介质层，所述衬底包括所述有源区，所述介质层位于所述衬底上，所述接触孔自所述介质层的表面向所述源区和/或所述漏区延伸。

在其中一个实施例中，所述阻挡层位于所述接触孔内部。

在其中一个实施例中，所述接触孔自所述基底表面延伸至所述源区和/或所述漏区下方的所述有源区，所述阻挡层覆盖所述接触孔延伸至所述源区和/或所述漏区外部的所述有源区内的部分。

在其中一个实施例中，所述接触层位于所述接触孔与所述源区和/或所述漏区之间。

在其中一个实施例中，所述导电接触结构还包括导电金属结构，所述导电金属结构填充所述接触孔，且所述接触层位于所述导电金属结构与所述源区和/或所述漏区之间，所述阻挡层位于所述导电金属结构与位于所述接触孔下方的所述有源区之间。

在其中一个实施例中，所述导电金属结构的材料为钨、钼、铝中的至少一种。

在其中一个实施例中，所述接触层的材料为金属硅化物。

一种半导体结构的制作方法，包括：

提供基底，所述基底包括有源区，所述有源区内形成有漏区以及源区；

于所述基底内形成接触孔，所述接触孔自所述基底的表面向所述源区和/或所述漏区延伸；

形成阻挡层；

形成导电接触结构；

其中，所述阻挡层位于所述导电接触结构底面，所述导电接触结构填充所述接触孔，且包括接触层，所述接触层接触所述源区和/或所述漏区。

在其中一个实施例中，所述基底包括衬底以及介质层，所述衬底包括所述有源区，所述介质层位于所述衬底上，所述接触孔自所述介质层的表面向所述源区和/或所述漏区延伸。

在其中一个实施例中，所述阻挡层位于所述接触孔内部。

在其中一个实施例中，所述形成阻挡层，包括：