[发明专利]半导体结构及其制作方法

权利要求书

1.一种半导体结构，其特征在于，包括基底、接触孔、阻挡层以及导电接触结构，

所述基底包括有源区，所述有源区内形成有漏区以及源区；

所述接触孔自所述基底的表面向所述源区和/或所述漏区延伸；

所述阻挡层位于所述导电接触结构底面；

所述导电接触结构填充所述接触孔，且包括接触层，所述接触层接触所述源区和/或所述漏区。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述基底包括衬底以及介质层，所述衬底包括所述有源区，所述介质层位于所述衬底上，所述接触孔自所述介质层的表面向所述源区和/或所述漏区延伸。

3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述阻挡层位于所述接触孔内部。

4.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述接触孔自所述基底表面延伸至所述源区和/或所述漏区下方的所述有源区，所述阻挡层覆盖所述接触孔延伸至所述源区和/或所述漏区外部的所述有源区内的部分。

5.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述接触层位于所述接触孔与所述源区和/或所述漏区之间。

6.根据权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，所述导电接触结构还包括导电金属结构，所述导电金属结构填充所述接触孔，且所述接触层位于所述导电金属结构与所述源区和/或所述漏区之间，所述阻挡层位于所述导电金属结构与位于所述接触孔下方的所述有源区之间。

7.根据权利要求6所述的半导体结构，其特征在于，所述导电金属结构的材料为钨、钼、铝中的至少一种。

8.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述接触层的材料为金属硅化物。

9.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底包括有源区，所述有源区内形成有漏区以及源区；

于所述基底内形成接触孔，所述接触孔自所述基底的表面向所述源区和/或所述漏区延伸；

形成阻挡层；

形成导电接触结构；

其中，所述阻挡层位于所述导电接触结构底面，所述导电接触结构填充所述接触孔，且包括接触层，所述接触层接触所述源区和/或所述漏区。

10.根据权利要求9所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述基底包括衬底以及介质层，所述衬底包括所述有源区，所述介质层位于所述衬底上，所述接触孔自所述介质层的表面向所述源区和/或所述漏区延伸。

11.根据权利要求9所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述阻挡层位于所述接触孔内部。

12.根据权利要求11所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述形成阻挡层，包括：

基于第一掩膜，于所述接触孔的内壁形成阻挡材料层，所述第一掩膜内具有第一开口，所述第一开口暴露所述接触孔；

至少去除位于所述接触孔侧壁的部分所述阻挡材料层，剩余的所述阻挡材料层构成所述阻挡层。

13.根据权利要求12所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述基于所述第一掩膜，于所述接触孔的内壁形成阻挡材料层包括：

基于所述第一掩膜，通过原子层沉积法，于所述接触孔的内壁沉积阻挡材料层。

14.根据权利要求13所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述至少去除位于所述接触孔侧壁的部分所述阻挡材料层，包括：

通过各向同性的刻蚀方式刻蚀所述阻挡材料层。