[发明专利]一种超高真空系统下的制冷型NEA GaN电子源组件结构在审
| 申请号： | 202110635030.X | 申请日： | 2021-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN113488443A | 公开（公告）日： | 2021-10-08 |
| 发明（设计）人： | 王晓晖;张依辰;全卓艺;李嘉璐 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L23/38 | 分类号： | H01L23/38;H01L35/28;H01L35/34 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提供一种超高真空系统下的制冷型NEA GaN电子源组件结构，所述结构由NEA GaN电子源，半导体制冷片，控制系统，温度反馈组件(热电偶)组成；所述控制系统通过导线连接半导体制冷片，并且使用法兰和铜垫圈加以密封；所述半导体制冷片通过铟焊与NEA GaN电子源相连，铟焊在超高真空中能增加半导体晶片和GaN材料之间的热传导；所述热电偶贴合在NEA GaN电子源上；所述NEA GaN电子源与半导体制冷片和热电偶相连接。本结构通过半导体片制冷可使工作在超高真空系统下的NEA GaN电子源温度不至于过高，有效地提高了NEA GaN电子源的使用寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 超高 真空 系统 制冷 nea gan 电子 组件 结构 | ||
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- 本发明公开了一种新型散热系统及其散热方法，包括均温板，所述均温板包括上盖板、下盖板以及支撑柱，所述上盖板与下盖板密封接合形成腔室，所述支撑柱位于所述腔室内对上盖板进行支撑；储液管，所述储液管内装有冷却工质，所述储液管位于所述均温板一侧；喷液管，所述喷液管位于所述腔室内，所述喷液管通过微型泵与所述储液管连接，所述喷液管将冷却工质喷入腔室内；供能组，所述供能组包括P型半导体与N型半导体，所述P型半导体、N型半导体以及均温板采用感温线连接，形成串联电路，所述微型泵位于串联电路上。本发明采用微型泵驱动冷却工质在临近下盖板位置进行高速射流冷却，极大的增大散热冷却能力。
- 一种集成电路封装结构-202221198015.X
- 秦晨;霍建 - 上海金脉电子科技有限公司
- 2022-05-10 - 2022-10-04 - H01L23/38
- 本实用新型公开了一种集成电路封装结构，包括电路板、封装壳体、至少一个芯片、至少一个第一导热垫片、至少一个第二导热垫片、至少一个第一TEC制冷器、以及至少一个第二TEC制冷器；电路板包括多个导电功能层和多组过孔；电路板包括相对的第一侧和第二侧；各芯片背离电路板的一侧设置有第一TEC制冷器；第一TEC制冷器背离芯片的一侧设置有第一导热垫片；第二TEC制冷器设置于电路板的第二侧，且第二TEC制冷器覆盖至少一组过孔；第二导热垫片设置于第二TEC制冷器背离电路板的一侧；电路板、至少一个芯片、至少一个第一导热垫片、至少一个第二导热垫片、至少一个第一TEC制冷器以及至少一个第二TEC制冷器均收容于封装壳体内。
- 高热效率的光电探测器浅制冷集成封装结构-202210712307.9
- 奚水清;高若尧;袁俊翔;崔大健;任丽 - 中国电子科技集团公司第四十四研究所
- 2022-06-22 - 2022-09-23 - H01L23/38
- 本发明涉及一种高热效率的光电探测器浅制冷集成封装结构，包括集成一体化管壳，所述集成一体化管壳的下端固定连接有低热阻热沉，所述低热阻热沉的顶部连接有多级塔型TEC；所述集成一体化管壳内部设置有空腔，所述多级塔型TEC位于空腔中；所述多级塔型TEC的上端面设置有光电芯片，所述集成一体化管壳的上端面中部开设有透光孔；所述集成一体化管壳的上端设置有覆盖透光孔的光窗。本发明实现了一种高热效率的光电探测器浅制冷集成封装方案，提高了光电探测器制冷的热效率，扩大了制冷的温度范围，减小了封装体积，降低了封装成本，增加了器件寿命，更适合需要浅制冷和长寿命的芯片。
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