[发明专利]一种超高真空系统下的制冷型NEA GaN电子源组件结构在审
| 申请号： | 202110635030.X | 申请日： | 2021-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN113488443A | 公开（公告）日： | 2021-10-08 |
| 发明（设计）人： | 王晓晖;张依辰;全卓艺;李嘉璐 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L23/38 | 分类号： | H01L23/38;H01L35/28;H01L35/34 |
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| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 超高 真空 系统 制冷 nea gan 电子 组件 结构 | ||
1.一种超高真空系统下的制冷型NEA GaN电子源组件结构，其特征在于，所述装置包括NEA GaN电子源，半导体制冷片，控制系统，温度反馈组件(热电偶)；所述控制系统通过导线连接半导体制冷片，并且使用法兰和铜垫圈加以密封；所述半导体制冷片通过铟焊与NEAGaN电子源相连，在超高真空中能增加半导体晶片和GaN材料之间的热传导；所述热电偶贴合在NEA GaN电子源上；所述NEA GaN电子源与半导体制冷片和热电偶相连接。
2.如权利要求1所述的一种超高真空系统下的制冷型NEA GaN电子源组件结构，其特征在于，所述结构具有半导体制冷片，可以吸热使NEA GaN电子源温度下降。
3.如权利要求2所述的一种超高真空系统下的制冷型NEA GaN电子源组件结构，其特征在于，所述NEA GaN电子源上焊接了半导体制冷片。
4.如权利要求1所述的一种超高真空系统下的制冷型NEA GaN电子源组件结构，其特征在于，所述热电偶通过焊接的方式与NEA GaN电子源贴合连接。
5.如权利要求1所述的一种超高真空系统下的制冷型NEA GaN电子源组件结构，其特征在于，所述控制系统通过导线与半导体制冷片相连，改变电流大小来控制半导体制冷片。
6.如权利要求1所述的一种超高真空系统下的制冷型NEA GaN电子源组件结构，其特征在于，所述装置工作功率范围为5W至100W。
7.如权利要求1所述的一种超高真空系统下的制冷型NEA GaN电子源组件结构，其特征在于，所述半导体制冷片在NEA GaN电子源开始工作之前先开启，但工作电流不大。
8.如权利要求1所述的一种超高真空系统下的制冷型NEA GaN电子源组件结构，其特征在于，当热电偶检测到NEA GaN电子源温度超过40℃时，加大通往半导体制冷片的工作电流。
9.如权利要求1所述的一种超高真空系统下的制冷型NEA GaN电子源组件结构，其特征在于，当热电偶检测到NEA GaN电子源温度低于10℃时，缓慢减小通往半导体制冷片的工作电流。
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