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[发明专利]半导体器件及其制造方法和系统-CN201911063416.7有效
发明人：苏品岱;刘钦洲;陈胜雄;张丰愿;鲁立忠;林彦宏;田丽钧;黄博祥;郑仪侃;卢麒友 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-10-31 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： G06F30/392 文献下载
摘要：(产生布局图的)方法包括生成表示半导体器件中的电路的至少一部分的单元，单元至少部分地根据M_2nd层级的第二轨道(M_2nd轨道)和第M_1st层级的第一轨道(M_1st轨道)布置。生成单元包括：基于布局图中为单元选择的位置来选择M_2nd轨道中的一个；生成表示电路的输出引脚的第一M_2nd引脚图案；基本沿着所选择的M_2nd轨道布置第一引脚图案的长轴；生成表示电路的相应输入引脚的第二至第五M_1st引脚图形；基本沿着相应的M_1st轨道中的一个布置第二至第五引脚图案的长轴。本发明的实施例还涉及半导体器件及其制造方法和系统。
半导体器件及其制造方法系统

[发明专利]生成布局图的方法和半导体器件-CN201910635583.8有效
发明人：张丰愿;刘钦洲;陈胜雄;黄博祥 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-07-15 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： G06F30/392 文献下载
摘要：方法(生成布局图的方法)包括：生成包括第一和第二侧边界的单元(表示电路)，第一和第二侧边界基本平行并沿第一方向延伸，第一线图案是沿第二方向(基本垂直于第一方向)延伸的单元内线图案，并且表示电路内部的第一信号的导体，并且第二线图案沿第一方向延伸并表示电路的第二信号的导体；配置单元内线图案，使得其第一端基本位于第一侧边界内部的最小边界偏移处；并且配置第二线图案使得其部分具有第一端，该第一端在第一侧边界外部延伸基本大于最小边界偏移的突出长度。本申请的实施例还涉及生成布局图的方法和半导体器件。
生成布局方法半导体器件

[发明专利]20-酰胺-(异羟肟酸)-孕烯醇酮类缀合物及其制备方法-CN202210703805.7有效
发明人：甘春芳;梁正会;刘钦洲;崔建国;黄燕敏;陈华龙 -专利权人：南宁师范大学
申请日： 2022-06-21 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： C07J41/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种酰胺键链接的20‑酰胺‑(异羟肟酸)‑孕烯醇酮类缀合物，其化学结构如下式所示：本发明的20‑酰胺‑(异羟肟酸)‑孕烯醇酮类缀合物对人乳腺癌细胞(T47d)和人卵巢癌细胞(SKOV3)有显著的抑制作用，可以用于制备抗肿瘤药物。
20 酰胺异羟肟酸孕烯醇酮类缀合物及其制备方法

[发明专利]3-(异羟肟酸)-孕烯醇酮类缀合物及其制备方法和应用-CN202210703813.1有效
发明人：甘春芳;梁正会;刘钦洲;崔建国;黄燕敏 -专利权人：南宁师范大学
申请日： 2022-06-21 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： C07J41/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种酯基链接的3‑(异羟肟酸)‑孕烯醇酮类缀合物，其化学结构如下式所示：本发明的3‑酯基链接的孕甾类缀合物对人宫颈癌细胞(HeLa)和人乳腺癌细胞(T47d)具有显著的抑制作用，可以用于制备抗肿瘤药物。
异羟肟酸孕烯醇酮类缀合物及其制备方法应用

[发明专利]集成电路器件及其制造方法以及芯片封装件-CN202210863914.5在审
发明人：张任远;江政鸿;刘钦洲;林荣松 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-07-21 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： H01L23/38 文献下载
摘要：本申请的实施例提供了一种集成电路(IC)器件，其包括具有半导体衬底的芯片，和嵌入半导体衬底中的热电模块，其中，热电模块包括第一半导体结构，第一半导体结构电连接至第二半导体结构，其中，热电模块的底部延伸穿过半导体衬底的厚度，并且其中，第一半导体结构和第二半导体结构包括不同导电类型的掺杂剂。根据本申请的另一个实施例，还提供了芯片封装件。根据本申请的又一个实施例，还提供了用于制造集成电路器件的方法。
集成电路器件及其制造方法以及芯片封装

[发明专利]形成封装结构的方法-CN202210873671.3在审
发明人：张任远;江政鸿;刘钦洲;林荣松 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-07-21 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：本公开的实施例涉及形成封装结构的方法。本公开的实施例还涉及用于使用人工智能技术(诸如机器学习)由单个芯片设计生成多芯片、混合节点堆叠封装设计的方法。本文公开的方法可以促进使用先进封装技术的异构集成、扩大设计以提高单个芯片设计的可制造性和/或降低单个芯片设计提供的系统的制造成本和/或尺寸。一种示例性形成封装结构的方法包括接收用于单个工艺节点的单个芯片的单个芯片设计，其中单个芯片设计具有设计规范，以及基于设计规范将单个芯片设计分解成具有不同功能和不同工艺节点的芯粒，并将芯粒集成到堆叠芯片封装结构中。
形成封装结构方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法和系统-CN201911051119.0有效
发明人：黄博祥;刘钦洲;陈胜雄;张丰愿;庄惠中;汪孟学;郑仪侃;陈俊臣 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-10-31 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：一种生成包括第一金属化层级(M_lst层级)的布局图的方法包括：在布局图中识别填充单元和基本上邻接填充单元的第一功能单元；第一功能单元包括第一和第二侧边界、M_lst层级中的第一布线图案，并且表示第一功能单元区域中的相应的第一导体；并且切割图案的第一组和第二组位于第一布线图案的相应部分上面，并且与相应的第一和第二侧边界基本对准；调整第二组的相应的一个或多个选择的切割图案的一个或多个位置，从而相应地延长一个或多个选择的第一布线图案，以便成为跨越第一功能单元的第二边界延伸到填充单元中的相应的第一延长布线图案。本发明的实施例还涉及半导体器件及其制造方法和系统。
半导体器件及其制造方法系统

[发明专利]喹啉化鹅去氧胆酸传感器及其合成方法及应用-CN201911309381.0有效
发明人：展军颜;甘春芳;黄燕敏;刘钦洲;黄晓彤 -专利权人：南宁师范大学
申请日： 2019-12-18 - 公布日： 2022-04-22 - 主分类号： C07J43/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种喹啉化鹅去氧胆酸传感器，分子式为C36H49NO6。本发明还公开了喹啉化鹅去氧胆酸传感器作为Hg2+的检测应用。本发明构建的喹啉化鹅去氧胆酸传感器对Hg2+进行检测，不仅灵敏度高和选择性好，且其它金属离子对汞离子的检测干扰较小。实验结果表明，本发明提供的荧光传感器只对Hg2+响应，选择性好。对于不同浓度的Hg2+进行检测时，呈现良好的线性关系，线性响应范围是3.0×10‑6～1.0×10‑5mol/L，可用于Hg2+的定量检测。检测下限是1.9×10‑7mol/L，对Hg2+的检测具有高的灵敏度。且其它金属离子对汞离子的检测干扰较小，解决了现有的汞离子荧光传感器存在的选择性差，易受到干扰等缺陷。
喹啉化鹅去氧胆酸传感器及其合成方法应用

[发明专利]集成电路、半导体器件及其制造方法-CN201910306010.0有效
发明人：陈致霖;刘钦洲;张丰愿;李惠宇;黄博祥 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-04-16 - 公布日： 2022-03-22 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：本发明的实施例提供了一种半导体器件、集成电路及其形成方法。集成电路包括第一半导体晶圆、第二半导体晶圆、第一互连结构、电感器、第二互连结构和衬底通孔。第一半导体晶圆在第一半导体晶圆的正面具有第一器件。第二半导体晶圆接合至第一半导体晶圆。第一互连结构位于第一半导体晶圆的背面之下。电感器位于第一半导体晶圆之下，并且电感器的至少部分位于第一互连结构内。第二互连结构位于第一半导体晶圆的正面上。衬底通孔延伸穿过第一半导体晶圆。电感器通过第二互连结构和衬底通孔连接至至少第一器件。
集成电路半导体器件及其制造方法

[发明专利]三维集成电路电源网与其形成方法-CN201910699008.4有效
发明人：诺·穆罕默德·艾杜维蒂尔;张丰愿;黄博祥;刘钦洲 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-07-31 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本揭露是关于一种三维集成电路电源网与其形成方法。一种三维集成电路电源网，其包括第一集成电路晶粒、第二集成电路晶粒、界面以及电力分配结构。界面可配置于第一集成电路晶粒与第二集成电路晶粒之间。电力分配结构可连接至界面。电力分配结构可包含至少一硅导孔以及连接所述至少一硅导孔的阶梯结构。
三维集成电路电源与其形成方法

[发明专利]17-酰胺雌甾类化合物及其制备方法和应用-CN202010488839.X有效
发明人：甘春芳;陈华龙;庞婷婷;黄晓彤;刘钦洲;黄燕敏 -专利权人：南宁师范大学
申请日： 2020-06-02 - 公布日： 2021-12-07 - 主分类号： C07J41/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种17‑酰胺雌甾类化合物，其化学结构如下式所示：其中，R=R1=、R2=或R3=。本发明的17‑酰胺雌甾类化合物对卵巢癌细胞、乳腺癌细胞、人肝癌细胞、人宫颈癌细胞和前列腺癌细胞具有抑制作用，可以用于制备抗肿瘤药物。
17 酰胺雌甾类化合物及其制备方法应用

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202010974947.8在审
发明人：张丰愿;诺·穆罕默德·艾杜维蒂尔;黄博祥;詹森博;陈明发;刘钦洲;郑仪侃 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-09-16 - 公布日： 2021-03-19 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本发明的实施例提供了一种半导体器件以及制造方法，其中，金属化层位于衬底上方，电源网格线位于金属化层内。信号焊盘位于金属化层内，并且信号焊盘由电源网格线围绕。信号外部连接件电连接至信号焊盘。本发明的实施例另一方面提供一种制造半导体器件的方法。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]互连结构、包含互连结构的半导体结构及其形成方法-CN202010857079.5在审
发明人：蔡荣洲;张丰愿;黄博祥;刘钦洲;郑仪侃 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-08-24 - 公布日： 2021-03-05 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：本发明实施例涉及互连结构、包含互连结构的半导体结构及其形成方法。一种互连结构包含多个第一垫、多个第二垫、第一层中的多个第一导线、第二层中的多个第二导线及第n层中的多个第n导线。所述第一垫及所述第二垫分别分组成第一群组、第二群组及第n群组。第一群组中的所述第一垫中的每一者由所述第一导线中的一者连接到所述第一群组中的所述第二垫中的一者。所述第二群组中的所述第一垫中的每一者由所述第二导线中的一者连接到所述第二群组中的所述第二垫中的一者。所述第n群组中的所述第一垫中的每一者由所述第n导线中的一者连接到所述第n群组中的所述第二垫中的一者。
互连结构包含半导体及其形成方法

[发明专利]具有改进的布局的集成电路器件-CN201810843308.0有效
发明人：张丰愿;陈俊臣;黄博祥;鲁立忠;林仲德;高章瑞;陈胜雄;刘钦洲 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-07-27 - 公布日： 2020-12-29 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：一种集成电路器件包括：器件层，具有根据预定的器件节距间隔开的器件；第一金属互连层，设置在器件层之上并且耦合到器件层；以及第二金属互连层，设置在第一金属互连层之上并且通过第一通孔层耦合到第一金属互连层。第二金属互连层具有根据预定的金属线节距间隔开的金属线，并且预定的金属线节距与预定的器件节距的比率小于1。本发明的实施例还涉及具有改进的布局的集成电路器件。
具有改进布局集成电路器件

[发明专利]堆叠元件-CN201911166129.9在审
发明人：张丰愿;刘钦洲;钱清河;黄博祥;曾嘉辉 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-11-25 - 公布日： 2020-06-05 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：提供一种堆叠元件及用于元件的布局设计方法，该元件包括两个或两个以上相同结构。每一元件可具有第一晶粒、堆叠在该第一晶粒上的第二晶粒，及堆叠在该第二晶粒上的第三晶粒。第二晶粒可包括第一穿透硅通孔(TSV)及第一电路，且第三晶粒包括第二TSV及第二电路。第一TSV及第二TSV可线性共同延伸。第一及第二电路可各自为逻辑电路，该逻辑电路具有用于产生晶粒识别符的比较器及计数器。相应元件晶粒的计数器可在晶粒之间串列连接。每一晶粒可使用相同遮罩制造，但保留唯一的逻辑识别符。晶粒堆叠中的给定晶粒可因此通过相同晶粒布局中的单个路径定址。
堆叠元件

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