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[发明专利]一种实时控制NEA GaN电子源反射率的方法-CN202210449439.7有效
发明人：李嘉璐;王晓晖;张依辰;全卓艺 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2022-04-24 - 公布日： 2023-05-19 - 主分类号： H01J9/12 文献下载
摘要：本发明提供一种实时控制NEAGaN电子源反射率的方法。具体方法为：建立反射率随温度变化的公式以及NEAGaN电子源反射率实时可变的模型；确定目标反射率R和工作时的入射光波长λ和初始偏离值s；获取工作温度T0以及当前NEAGaN电子源的反射率R0；将目标参数输入到温度校准模型，计算输出目标温度T1；获取温度为T1时NEAGaN电子源的反射率R1并计算偏离度s1，若s1小于偏离值s，输出温度T＝T1，若s1大于偏离值s，则根据T1、R1进行下一次修正，再次计算得到温度T2与偏离度，并与设定值进行比较。根据如上步骤校准温度，直至sn小于偏离值s，最终输出目标R对应的最优温度T。本发明通过温度控制NEAGaN电子源反射率，具有自校准的功能，且控制灵活，启动快，可靠性高，可以精确实现实时自动控制NEAGaN电子源反射率的需求，进而提高稳定性。
一种实时控制 nea gan 电子反射率方法

[发明专利]一种实时控制NEA GaN电子源扩散长度的方法-CN202210449464.5有效
发明人：张依辰;王晓晖;全卓艺;李嘉璐 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2022-04-24 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H01J9/12 文献下载
摘要：本发明提供一种实时控制NEAGaN电子源扩散长度的方法，具体为：建立一个目标扩散长度与温度相对应，通过改变温度实现扩散长度实时可变的模型。输入目标偏离值s、目标扩散长度L和标定需要的数据数量m；获取NEAGaN电子源当前的扩散长度L0，所处环境的温度T0，然后在此温度下多次测量获得m组扩散长度数据，将上述m组数据代入模型公式中，拟合得到常数μ0和τ0，将标定好的常数以及目标扩散长度L代入模型公式中，计算得到温度T1；设定NEAGaN电子源温度为T1，测量其实际扩散长度L1并计算偏离值s1，若s1小于s，则输出温度T＝T1，反之，则根据T1和L1继续标定μ1和τ1，计算温度T2，测量T2下的L2，比较偏离值s2和s。循环往复，直至sn小于s，输出对应L的最佳温度T＝Tn，达到实时控制扩散长度的目的。与现有的方法相比，该方法能够使NEAGaN电子源实际扩散长度值与目标值不断接近，最终满足不同情况下的扩散长度要求，具有自校准功能和灵活可变，操作简单，控制稳定的特点。
一种实时控制 nea gan 电子扩散长度方法

[发明专利]一种实时控制NEA GaN光阴极电子逸出几率的方法-CN202210449467.9在审
发明人： 全卓艺;王晓晖;李嘉璐;张依辰 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2022-04-24 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： G16C60/00 文献下载
摘要：本发明提供一种实时控制NEAGaN光阴极电子逸出几率的方法，具体为：建立温度校准的公式模型；获取样品的波长λ、掺杂浓度nA和温度T0，多次测量T0条件下的电子逸出几率P0，根据数据拟合样品参数；将样品参数和目标电子逸出几率P代入所述公式模型，计算输出温度T1；测量T1条件下的电子逸出几率P1，并判断P1的偏离度s1是否小于设定值，若小于设定值则输出温度T＝T1，若不小于设定值则在T1条件下根据P1再次拟合样品参数；根据新样品参数和P再次计算输出温度T2；测量T2条件下的电子逸出几率P2并比较偏离度s2和设定值；循环上述步骤，直到偏离度sn小于设定值，循环结束，输出对应P的最佳温度T＝Tn。本发明通过自校准温度的方法可以实现对NEAGaN光阴极电子逸出几率的实时精确控制，具有提高其量子效率、稳定性等性能参数，提升NEAGaN光阴极工作性能的优势。
一种实时控制 nea gan 阴极电子几率方法

[发明专利]一种提高NEA GaN电子源使用寿命的方法及装置-CN202110634939.3有效
发明人：王晓晖;全卓艺;李嘉璐;张依辰 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2021-06-08 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： H01J1/34 文献下载
摘要：本发明提供一种能够提高NEA GaN电子源使用寿命的方法及装置。所述装置包括热电偶、温控仪、环形螺旋状管道、低温液体罐、安全阀、低温液体通道、低温控制阀、法兰、样品托。所述热电偶安装在样品托背面检测其温度变化，通过导线连接温控仪，所述温控仪与低温控制阀连接并向低温控制阀输送反馈电信号，所述低温控制阀通过控制低温液体的流速来达到温控效果，所述低温液体通道连接低温液体罐和环形螺旋状管道并向环形螺旋状管道输送低温液体，所述环形螺旋状管道呈圆周状紧密贴于样品托背面，在超高真空条件下铟焊连接所述样品托和GaN阴极材料。本发明有效地增大GaN电子源和样品托之间的热导率，延缓GaN电子源的温升速率从而使其工作寿命得到明显提高。
一种提高 nea gan 电子使用寿命方法装置

[发明专利]一种用于超高真空系统中制冷型GaN电子源的制备方法-CN202110634915.8在审
发明人：李嘉璐;张依辰;全卓艺;其他发明人请求不公开姓名 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2021-06-08 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： H01J1/34 文献下载
摘要：本发明提供一种用于超高真空系统中制冷型GaN电子源的制备方法。该制冷型GaN电子源的制备方法主要利用铟焊技术，在采用化学清洗和热退火工艺清洁GaN表面后，将GaN样品与半导体制冷片及热电偶焊接，再利用铯、氧激活工艺激活GaN达到负电子亲和势表面，完成电子源的制备。该方法利用半导体制冷技术减缓阴极的温升速率，具有体积小、可控性好、可靠性高等优点，可以有效提高用于超高真空系统中负电子亲和势GaN电子源的使用寿命。
一种用于超高真空系统制冷 gan 电子制备方法

[发明专利]一种超高真空系统下的制冷型NEA GaN电子源组件结构-CN202110635030.X在审
发明人：王晓晖;张依辰;全卓艺;李嘉璐 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2021-06-08 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： H01L23/38 文献下载
摘要：本发明提供一种超高真空系统下的制冷型NEA GaN电子源组件结构，所述结构由NEA GaN电子源，半导体制冷片，控制系统，温度反馈组件(热电偶)组成；所述控制系统通过导线连接半导体制冷片，并且使用法兰和铜垫圈加以密封；所述半导体制冷片通过铟焊与NEA GaN电子源相连，铟焊在超高真空中能增加半导体晶片和GaN材料之间的热传导；所述热电偶贴合在NEA GaN电子源上；所述NEA GaN电子源与半导体制冷片和热电偶相连接。本结构通过半导体片制冷可使工作在超高真空系统下的NEA GaN电子源温度不至于过高，有效地提高了NEA GaN电子源的使用寿命。
一种超高真空系统制冷 nea gan 电子组件结构