[发明专利]半导体结构及其制作方法有效
| 申请号： | 202110444198.2 | 申请日： | 2021-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN113161323B | 公开（公告）日： | 2022-03-22 |
| 发明（设计）人： | 张丽霞;刘杰;应战 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/552 | 分类号： | H01L23/552;H01L23/498;H01L21/48;H01L21/60 |
| 代理公司： | 上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙) 31260 | 代理人： | 成丽杰 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供一种半导体结构及其制作方法，包括：基底以及位于基底上的接合垫，且基底暴露出接合垫表面；接合柱，位于接合垫远离基底的表面且与接合垫相接触；第一器件，位于基底上，且与接合柱相互间隔；焊垫，位于第一器件远离基底的表面；介质层，环绕接合柱的侧壁；电磁屏蔽层，至少位于接合柱顶面、介质层顶面和介质层远离接合柱的侧壁；引线，引线的一端与焊垫接触电连接，引线的另一端与电磁屏蔽层接触电连接。本发明实施例有利于提高引线与电磁屏蔽层和焊垫之间的连接强度，和防止接合柱和第一器件之间的电干扰，以提高半导体结构的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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