[发明专利]半导体结构及其制作方法

权利要求书

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

基底以及位于所述基底上的接合垫；

接合柱，位于所述接合垫远离所述基底的表面且与所述接合垫接触；

第一器件，位于所述基底上，且与所述接合柱相互间隔；

焊垫，位于所述第一器件远离所述基底的表面；

介质层，环绕所述接合柱的侧壁；

电磁屏蔽层，至少位于所述接合柱顶面、所述介质层顶面和所述介质层远离所述接合柱的侧壁，且在所述基底指向所述第一器件的方向上，所述电磁屏蔽层顶面与所述焊垫顶面之间的高度差不大于所述焊垫的厚度；

引线，所述引线的一端与所述焊垫电连接，所述引线的另一端与所述电磁屏蔽层电连接；

第二器件，位于所述第一器件远离所述基底的一侧；

导电垫，位于所述基底上，所述导电垫与所述接合垫之间相互间隔；

焊盘，位于所述第二器件远离所述基底的表面；

导电柱，位于所述导电垫远离所述基底的表面且与所述导电垫接触，且在所述基底指向所述第一器件的方向上，所述导电柱顶面不低于所述接合柱顶面；

保护层，环绕所述导电柱的侧壁；

电磁阻挡层，至少位于所述导电柱顶面、所述保护层顶面和所述保护层远离所述导电柱的侧壁，且所述电磁阻挡层和所述电磁屏蔽层之间相互间隔；

导电线，所述导电线的一端与所述焊盘接触电连接，所述导电线的另一端与所述电磁阻挡层接触电连接。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述引线的一端与所述焊垫键合形成第一键合点，所述引线的另一端与所述电磁屏蔽层键合形成第二键合点，所述第一键合点不低于所述第二键合点。

3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述引线包括引线颈部，所述引线颈部位于所述引线沿所述第一键合点向上延伸的折弯处，所述电磁屏蔽层和所述第一器件之间具有间隔，所述引线颈部位于所述间隔中。

4.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，还包括：塑封层，所述塑封层填充所述间隔，且覆盖所述引线颈部。

5.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，在所述基底指向所述第一器件的方向上，所述介质层还环绕所述接合垫的侧壁。

6.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述电磁屏蔽层的材料包括银导电漆、铜导电漆、镍导电漆、银包铜粉和镍包铜粉中的至少一种，且所述电磁阻挡层的材料与所述电磁屏蔽层的材料相同。

7.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述接合柱、所述引线、所述介质层、所述电磁屏蔽层和所述第一器件围成的区域在所述基底上的正投影为第一投影，所述第二器件在所述基底上的正投影为第二投影，所述第二投影覆盖所述第一投影，且所述导电柱、所述保护层和所述电磁阻挡层在所述基底上的组合正投影为第三投影，所述第三投影位于所述第一投影之外；

半导体结构还包括：密封层，所述密封层覆盖所述第二器件、所述电磁阻挡层和所述导电线。

8.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第二器件包括多个芯片堆叠的封装体，且多个所述芯片沿所述基底指向所述第一器件的方向依次堆叠设置。

9.根据权利要求8所述的半导体结构，其特征在于，所述第二器件露出所述焊盘的侧壁，相邻所述第二器件上的所述焊盘之间具有金属层，用于电连接相邻所述第二器件上的所述焊盘，所述焊盘和所述金属层共同构成电连接结构，所述导电线的一端与所述电连接结构顶面接触电连接。