[发明专利]半导体结构及其制作方法有效
| 申请号： | 202110050743.X | 申请日： | 2021-01-14 |
| 公开（公告）号： | CN112864136B | 公开（公告）日： | 2023-04-18 |
| 发明（设计）人： | 吴桐 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/64 | 分类号： | H01L23/64;H10N97/00 |
| 代理公司： | 上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙) 31260 | 代理人： | 成丽杰 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供一种半导体结构及其制作方法，半导体结构包括：基底和位于基底第一面的介质层，基底中具有多个第一金属层，介质层内具有磁芯，磁芯在第一面的正投影为封闭环状图形，第一金属层具有相对的第一端和第二端，第一端在第一面的正投影位于封闭环状图形围成的区域内，第二端在第一面的正投影位于封闭环状图形围成的区域外；多个位于磁芯远离基底一侧和位于磁芯相对两侧的第二金属层，第二金属层一端与一第一金属层的第一端电连接，另一端与另一第一金属层的第二端电连接，多个第一金属层与多个第二金属层构成呈螺线管状的金属层，且金属层与磁芯之间具有间隔。本发明实施例有利于提高半导体结构中电感器电学性能和降低电感器占用空间。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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