[发明专利]半导体结构及其制作方法

权利要求书

1.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，包括，

提供基底，所述基底内具有多个第一金属层；

在所述基底的第一面形成介质层，所述介质层内具有磁芯，所述磁芯在所述第一面的正投影为封闭环状图形，且每一所述第一金属层在所述第一面的正投影与所述磁芯在所述第一面的正投影相交，所述第一金属层具有相对的第一端和第二端，所述第一端在所述第一面的正投影位于所述封闭环状图形围成的区域内，所述第二端在所述第一面的正投影位于所述封闭环状图形围成的区域外；

刻蚀所述介质层以形成通孔，所述通孔位于所述磁芯相对的两侧，且所述通孔露出所述第一端或者所述第二端；

形成多个第二金属层，所述第二金属层填充满所述通孔且还位于所述磁芯远离所述基底的一侧，所述第二金属层为一体成型结构；所述第二金属层的一端与一所述第一金属层的所述第一端电连接，所述第二金属层的另一端与另一所述第一金属层的所述第二端电连接；多个所述第一金属层与多个所述第二金属层构成呈螺线管状的金属层，且所述金属层与所述磁芯之间具有间隔，且所述金属层的厚度范围为50nm～400nm；

其中，所述介质层至少包括位于所述第一面的第一介质层和位于所述第一介质层远离所述基底一侧的第二介质层；

形成多个所述第二金属层的工艺步骤包括：刻蚀所述第一介质层和所述第二介质层以形成所述通孔；刻蚀所述第二介质层形成多个第二凹槽，且所述第二凹槽的一端与露出一所述第一金属层的所述第一端的所述通孔相连通，所述第二凹槽的另一端与露出另一所述第一金属层的所述第二端的所述通孔相连通；在所述通孔和所述第二凹槽中形成一体成型结构的所述第二金属层；或者，形成多个所述第二金属层的工艺步骤包括：刻蚀所述第一介质层和所述第二介质层以形成所述通孔；形成第五金属层，所述第五金属层覆盖所述第二介质层，并完全填充所述通孔；刻蚀部分所述第五金属层，露出至少部分所述第二介质层表面，以形成一体成型结构的所述第二金属层。

2.根据权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，形成多个所述第一金属层的工艺步骤包括：

刻蚀所述基底形成多个第一凹槽；

将所述基底浸入第一溶液中进行电镀，以在所述第一凹槽中和所述第一面形成第一基础金属层；

对所述第一基础金属层进行平坦化处理至露出所述第一面，以形成所述第一金属层。

3.根据权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，形成所述磁芯的工艺步骤包括：

刻蚀所述第一介质层以形成沟槽，所述沟槽在所述第一面上的正投影为封闭环状图形；

形成金属材料层，所述金属材料层覆盖所述第一介质层，并完全填充所述沟槽；

对所述金属材料层进行平坦化处理至露出所述第一介质层表面。

4.根据权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，刻蚀所述第二介质层形成多个所述第二凹槽之前，还包括：在所述通孔中形成填充层；形成多个所述第二凹槽的工艺步骤包括：

在所述第二介质层上形成具有第一掩膜图案的第一掩膜层；

以所述第一掩膜层为掩膜刻蚀所述第二介质层形成多个所述第二凹槽；

去除所述第一掩膜层和所述填充层。

5.根据权利要求4所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，在所述通孔和所述第二凹槽中形成所述第二金属层的工艺步骤包括：

将所述半导体结构浸入第二溶液中进行电镀，以在所述通孔中、所述第二凹槽中和所述第二介质层表面形成第二基础金属层；

对所述第二基础金属层进行平坦化处理至露出所述第二介质层表面，以形成所述第二金属层。

6.根据权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，在所述第二金属层表面形成第三介质层。