[发明专利]具有导电柱的半导体封装及其制造方法在审
| 申请号： | 201911362709.5 | 申请日： | 2019-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN111613587A | 公开（公告）日： | 2020-09-01 |
| 发明（设计）人： | 全光宰;金东奎;朴正镐;张延镐 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L23/498;H01L25/065 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 倪斌 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供了一种半导体封装及其制造方法。半导体封装包括：第一再分布结构；设置在第一再分布结构上的第一半导体芯片；设置在第一再分布结构上的导电柱；覆盖第一再分布结构的上表面的密封物；以及设置在密封物上的第二再分布结构。密封物的上表面具有开口，开口暴露出导电柱的上表面。第二再分布结构包括布线图案以及将布线图案连接至导电柱的连接过孔。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 导电 半导体 封装 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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