[发明专利]具有导电柱的半导体封装及其制造方法

说明书

提供了一种半导体封装及其制造方法。半导体封装包括：第一再分布结构；设置在第一再分布结构上的第一半导体芯片；设置在第一再分布结构上的导电柱；覆盖第一再分布结构的上表面的密封物；以及设置在密封物上的第二再分布结构。密封物的上表面具有开口，开口暴露出导电柱的上表面。第二再分布结构包括布线图案以及将布线图案连接至导电柱的连接过孔。

相关申请的交叉引用

本专利申请要求于2019年2月22日向韩国知识产权局(KIPO)递交的韩国专利申请No.10-2019-0021100的优先权，其公开内容通过全文引用合并于此。

技术领域

本发明构思涉及一种具有导电柱的半导体封装及其制造方法。

背景技术

随着半导体器件变得高度集成，正在凸显对半导体芯片和其上安装有半导体芯片的半导体封装进行集成和小型化的技术。为了制造薄半导体封装，已经开发了扇出型晶片级封装技术，在该技术中在半导体芯片而不是印刷电路板下方形成再分布层。同时，随着半导体芯片变得小型化，焊球之间的间隔减小，从而存在处理焊球变得困难的问题。为了解决这个问题，已经提出了扇出型晶片级封装。

发明内容

本发明构思旨在提供一种制造半导体封装的方法。该工艺可以帮助去除在研磨工艺中产生的残留物。

根据本发明构思的示例性实施例的半导体封装包括：第一再分布结构；第一半导体芯片，设置在第一再分布结构上；导电柱，设置在第一再分布结构上，并与第一半导体芯片相邻；第一密封物，覆盖第一再分布结构的上表面、第一半导体芯片的下表面和侧表面以及导电柱的侧表面，第一密封物的上表面中形成有开口，开口暴露出导电柱的上表面；以及第二再分布结构，设置在第一密封物上并连接至导电柱，其中，第二再分布结构包括布线图案和连接过孔，连接过孔填充开口的至少一部分并连接至导电柱。

根据本发明构思的示例性实施例的半导体封装包括：第一再分布结构；第一半导体芯片，设置在第一再分布结构上；多个导电柱，设置在第一再分布结构上，并与第一半导体芯片相邻；密封物，覆盖第一再分布结构的上表面、第一半导体芯片和多个导电柱的侧表面，密封物的上表面中形成有开口，开口暴露出多个导电柱的上表面；以及第二再分布结构，设置在密封物上，并连接至多个导电柱。第二再分布结构可以包括布线图案以及形成在布线图案上的连接过孔，连接过孔连接到多个导电柱。从第一再分布结构的上表面到密封物的上表面的高度大于从第一再分布结构的上表面到多个导电柱中的至少一个的上表面的高度。

根据本发明构思的示例性实施例的制造半导体封装的方法包括：在第一载体上形成第一再分布结构；在第一再分布结构上形成多个导电柱；将第一半导体芯片安装在第一再分布结构上以与多个导电柱相邻；形成密封物，密封物被配置为覆盖第一再分布结构的上表面、多个导电柱和第一半导体芯片；研磨多个导电柱和密封物，使得暴露出第一半导体芯片的上表面；去除研磨工艺中产生的残留物；以及形成连接到多个导电柱的第二再分布结构。

附图说明

通过参考附图详细描述本发明构思的示例性实施例，本发明构思的上述和其他目的、特征和优点对于本领域普通技术人员将变得更加清楚，在附图中：

图1至图7、图9、图10和图12至图15是根据用于描述根据本发明构思的一个示例性实施例的制造半导体封装的方法的工艺序列而示出的截面图。

图8是图7中所示的半导体封装的局部放大图。

图11是图10中所示的半导体封装的局部放大图。

图16至图18是根据本发明构思的另一实施例的半导体封装的截面图。

图19至图22是根据用于描述根据本发明构思的一个示例性实施例的制造半导体封装的方法的工艺序列而示出的截面图。

图23是图22中所示的半导体封装的局部放大图。