[发明专利]具有导电柱的半导体封装及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体封装，包括：

第一再分布结构；

第一半导体芯片，设置在所述第一再分布结构上；

导电柱，设置在所述第一再分布结构上，并与所述第一半导体芯片相邻；

第一密封物，覆盖所述第一再分布结构的上表面、所述第一半导体芯片的下表面和侧表面、以及所述导电柱的侧表面，所述第一密封物的上表面中形成有开口，所述开口暴露出所述导电柱的上表面；和

第二再分布结构，设置在所述第一密封物上并连接至所述导电柱，其中，所述第二再分布结构包括布线图案和连接过孔，所述连接过孔填充所述开口的至少一部分并连接至所述导电柱。

2.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，从所述第一再分布结构的上表面到所述导电柱的上表面的高度小于从所述第一再分布结构的上表面到所述第一半导体芯片的上表面的高度。

3.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述导电柱具有凹入的上表面。

4.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述导电柱具有凸出的上表面。

5.根据权利要求1所述的半导体封装，还包括第二半导体芯片，所述第二半导体芯片设置在所述第二再分布结构上，

其中，所述第二半导体芯片电连接至所述导电柱。

6.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述第二再分布结构包括连接至所述导电柱的连接过孔以及设置在所述连接过孔上的布线图案。

7.根据权利要求6所述的半导体封装，其中，所述连接过孔包括下表面，该下表面的宽度等于所述导电柱的宽度。

8.根据权利要求7所述的半导体封装，其中，所述连接过孔包括上表面，该上表面的宽度大于所述导电柱的宽度。

9.根据权利要求1所述的半导体封装，还包括设置在所述第一半导体芯片的下表面上的多个凸块，其中，所述第一密封物覆盖所述多个凸块中的每一个的侧表面。

10.根据权利要求1所述的半导体封装，还包括形成在所述第二再分布结构上的第二半导体芯片。

11.根据权利要求1所述的半导体封装，还包括形成在所述第二再分布结构上的上封装以及所述上封装的下表面上的连接构件，所述连接构件将所述上封装和所述第二再分布结构电连接，并且

其中，所述上封装包括第二半导体芯片以及覆盖所述第二半导体芯片的上表面和侧表面的第二密封物，并且所述上封装的下表面与所述第二再分布结构的上表面间隔开。

12.一种半导体封装，包括：

第一再分布结构；

第一半导体芯片，设置在所述第一再分布结构上；

多个导电柱，设置在所述第一再分布结构上，并与所述第一半导体芯片相邻；

密封物，覆盖所述第一再分布结构的上表面、所述第一半导体芯片、以及所述多个导电柱的侧表面，所述密封物的上表面中形成有开口，所述开口暴露出所述多个导电柱的上表面；以及

第二再分布结构，设置在所述密封物上，并连接至所述多个导电柱，

其中，所述第二再分布结构包括布线图案以及形成在所述布线图案上的连接过孔，所述连接过孔连接到所述多个导电柱，并且

从所述第一再分布结构的上表面到所述密封物的上表面的高度大于从所述第一再分布结构的上表面到所述多个导电柱中的至少一个的上表面的高度。

13.根据权利要求12所述的半导体封装，其中，每个连接过孔的上表面的宽度小于所述多个导电柱中的对应导电柱的宽度。

14.根据权利要求12所述的半导体封装，其中，所述密封物的上表面与所述第一半导体芯片的上表面共面。