[发明专利]透明导电膜用靶、透明导电材料、透明导电玻璃及透明导电薄膜有效
| 申请号： | 200510079183.1 | 申请日： | 1999-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN1699262A | 公开（公告）日： | 2005-11-23 |
| 发明（设计）人： | 井上一吉 | 申请（专利权）人： | 出光兴产株式会社 |
| 主分类号： | C04B35/00 | 分类号： | C04B35/00;C04B35/457;C23C14/34 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 范赤;刘玥 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明包括通过溅射等稳定而有效方式形成膜的透明导电膜用的烧结产物、该烧结产物的溅射靶以及由该靶制成的透明导电玻璃和膜。该透明导电玻璃和膜具有优良的透明度、导电性和成为电极的可加工性，因此适合于有机电致发光器件的透明电极中，以实现在其中的良好空穴注入率。此烧结产物按该金属原子的特定原子比含有构成成分氧化铟、氧化锡及氧化锌，并任选地含有特定的金属氧化物，如氧化钌、氧化钼、氧化钒等。 | ||
| 搜索关键词： | 透明 导电 膜用靶 材料 玻璃 薄膜 | ||
【主权项】：
1.一种组合物的烧结产物，该组合物含有氧化铟、或氧化铟与氧化锌及/或氧化锡，其原子比为In/(In+Zn+Sn)＝0.80～1.00，Zn/(In+Zn+Sn)＝0.00～0.20，Sn/(In+Zn+Sn)＝0.00～0.20，且含有占全部金属原子总量的0.5～10原子％的由氧化钌、氧化钼及氧化钒中所选出的一种金属氧化物。
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