[发明专利]发光元件及发光元件结构有效
| 申请号： | 201910748349.6 | 申请日： | 2019-08-14 |
| 公开（公告）号： | CN110444639B | 公开（公告）日： | 2020-12-22 |
| 发明（设计）人： | 李玉柱 | 申请（专利权）人： | 錼创显示科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/20;H01L33/36 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 罗英;臧建明 |
| 地址： | 中国台湾新竹科学工业*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种发光元件包括磊晶结构、第一电极以及第二电极。磊晶结构具有多个第一缺陷密度区、多个第二缺陷密度区以及彼此相对的第一表面与第二表面。多个第一缺陷密度区与多个第二缺陷密度区交替排列于第一表面与第二表面之间。各第一缺陷密度区的缺陷密度低于各第二缺陷密度区的缺陷密度，且多个第一缺陷密度区的数量为至少十个。磊晶结构还包括发光层、设置在发光层相对两侧的第一型半导体层与第二型半导体层。第一电极与第二电极分别电性连接第一型半导体层与第二型半导体层。一种采用发光元件的发光元件结构亦被提出。 | ||
| 搜索关键词： | 发光 元件 结构 | ||
【主权项】：
1.一种发光元件结构，其特征在于，包括：图案化基板，包括基材与多个立体图案，其中所述多个立体图案与所述基材一体成型，且所述多个立体图案彼此分离地排列于所述基材上；磊晶结构，配置于所述图案化基板上，且具有多个第一缺陷密度区与多个第二缺陷密度区，其中所述多个第一缺陷密度区分别对应所述多个立体图案，而各所述第一缺陷密度区的缺陷密度低于各所述第二缺陷密度区的缺陷密度，且所述多个第一缺陷密度区的数量为至少十个；以及第一电极与第二电极，其中所述磊晶结构更包括发光层、设置在所述发光层相对两侧的第一型半导体层与第二型半导体层，且所述第一电极与所述第二电极分别电性连接所述第一型半导体层与所述第二型半导体层。
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- 本发明涉及发光二极管制造领域，公开了一种外延结构及其制备方法，该外延结构包括衬底及依次层叠设置在所述衬底上的低温GaN缓冲层、未掺杂GaN层、N型GaN层、有源层、电子阻挡层及P型GaN层，所述有源层包括依次层叠的第一超晶格层、第二超晶格层和第三超晶格层，在所述第一超晶格层、第二超晶格层和第三超晶格层中，In浓度和Al浓度均交替震荡。本发明由于有源层中的第一超晶格层、第二超晶格层和第三超晶格层中的In浓度和Al浓度均交替震荡，使得小电流漏电得到改善，同时LED器件辐射复合效率上升，进而光效提升。
- 一种基于蓝宝石衬底的氮化铝外延片的制备方法-202111483678.6
- 齐胜利;温荣吉;周飚;刘亚柱 - 宁波安芯美半导体有限公司
- 2021-12-07 - 2023-08-01 - H01L33/02
- 本发明属于半导体电子器件技术领域，具体涉及一种基于蓝宝石衬底的氮化铝外延片的制备方法。该方法主要在buffer阶段进行工艺优化，在生长buffer阶段温度梯度循环变化生长，三甲基铝源长通，NH
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