专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种半导体发光元件-CN202310838499.2在审
  • 陈婉君;王星河;张江勇;蔡鑫;胡志勇;请求不公布姓名 - 安徽格恩半导体有限公司
  • 2023-07-10 - 2023-10-20 - H01L33/04
  • 本发明公开了一种半导体发光元件,该半导体发光元件包括:衬底、n型半导体、电子减速层、量子阱和p型半导体,电子减速层为阱层和垒层组成的超晶格周期结构;其中,电子减速层的阱层的折射率系数大于等于电子减速层的垒层的折射率系数;电子减速层的阱层的自发极化系数小于等于电子减速层的垒层的自发极化系数;电子减速层的阱层的压电极化系数大于等于电子减速层的垒层的压电极化系数。采用本发明实施例,通过在n型半导体和量子阱之间设置电子减速层,降低注入至量子阱的电子速率,调控量子阱的电子空穴对称性并增强电子空穴波函数在量子阱的交叠机率,降低电子溢流至空穴的势能及非辐射复合,从而提高半导体发光元件的发光效率。
  • 一种半导体发光元件
  • [发明专利]一种半导体激光器-CN202310838501.6在审
  • 李水清;王星河;张江勇;陈婉君;蔡鑫;请求不公布姓名 - 安徽格恩半导体有限公司
  • 2023-07-10 - 2023-10-20 - H01S5/068
  • 本发明提供了一种半导体激光器,包括由下至上依次相连的衬底、下限制层、下波导层、有源层、上波导层和上限制层,在下限制层和下波导层之间依次设置有多层的闸流体抑制层,以在半导体激光器中形成多层具备不同碳、氢和氧含量浓度且碳、氢和氧含量浓度具备变化趋势的半导体激光结构。该半导体激光器通过在下限制层和下波导层之间依次设置有多层的闸流体抑制层,以在半导体激光器中形成多层具备不同碳、氢和氧含量浓度且碳、氢和氧含量浓度具备变化趋势的半导体激光结构,能有效抑制深能级缺陷中心,消除PN相互交错产生的结间电容并消除激光器在注入电流上升过程中在阈值处产生不连续或突变现象,解决结电压上跳,串联电阻下沉和电导上跳问题。
  • 一种半导体激光器
  • [发明专利]一种半导体激光器-CN202310936483.5在审
  • 张江勇;王星河;陈婉君;刘紫涵;蔡鑫;胡志勇;请求不公布姓名 - 安徽格恩半导体有限公司
  • 2023-07-28 - 2023-10-20 - H01S5/30
  • 本发明提出了一种半导体激光器,包括从下至上依次设置的衬底、下限制层、下波导层、有源层、上波导层和上限制层,所述下限制层与下波导层之间从下至上依次设置有第一子载流子匹配层、第二子载流子匹配层和第三子载流子匹配层,所述上波导层与上限制层之间设置有第四子载流子匹配层,所述第一子载流子匹配层、第二子载流子匹配层、第三子载流子匹配层和第四子载流子匹配层组成载流子匹配层。本发明能够提升有源层中电子和空穴载流子的浓度匹配度和对称性,降低电子泄漏和载流子去局域化,同时,降低激光器价带带阶,提升空穴注入效率,提升载流子注入均匀性和激光增益均匀性,从而提升激光器的斜率效率、光功率、外量子效率和限制因子。
  • 一种半导体激光器
  • [发明专利]一种设有自束缚激子层的半导体激光元件-CN202310471625.5在审
  • 李水清;王星河;陈婉君;蔡鑫;刘紫涵;胡志勇;张江勇 - 安徽格恩半导体有限公司
  • 2023-04-27 - 2023-10-10 - H01S5/20
  • 本发明提供了一种设有自束缚激子层的半导体激光元件,涉及半导体光电器件技术领域,从下至上依次包括衬底、下限制层、下波导层,有源层、上波导层、电子阻挡层、上限制层,有源层与下波导层之间和下波导层与下限制层之间设有自束缚激子层,自束缚激子层具有拓扑单斜相周期性铁电畴,形成强平面外自发极化诱导自束缚激子,将自由激子束缚能从10meV以下提升至20meV以上,降低激光的激子辐射的温度阈值,在室温或更高温度下可实现激子光辐射,同时,增强激光元件的激子辅助受激辐射,降低有源层的极化效应,降低量子限制斯塔克效应,降低激光元件的激发阈值,提升室温内下连续振荡,增强限制因子和增益均匀性,提升激光元件的光功率和斜率效率。
  • 一种设有束缚激子半导体激光元件
  • [发明专利]一种半导体激光器-CN202310782569.7在审
  • 张江勇;王星河;李水清;陈婉君;蔡鑫;张会康;请求不公布姓名 - 安徽格恩半导体有限公司
  • 2023-06-29 - 2023-09-29 - H01S5/343
  • 本发明提出一种半导体激光器,包括从下至上依次设置的衬底、下限制层、下波导层、有源层、上波导层、电子阻挡层和上限制层,所述有源层与下波导层之间设置有量子限制斯塔克效应抑制层,所述量子限制斯塔克效应抑制层具有Si掺杂浓度峰和In元素强度谷,且所述Si掺杂浓度峰位置与In元素强度谷位置相同,或位置偏差在±5nm之间。本发明以抑制缓解量子限制斯塔克效应,降低压电极化效应,减少有源层的能带倾斜,降低价带带阶,提升空穴注入有源层的效率和输运能力,提升激光器的载流子均匀性和激光激射增益均匀性,提升激光器的激射增益和斜率效率。
  • 一种半导体激光器
  • [实用新型]一种半导体紫外激光器-CN202320973870.1有效
  • 李水清;请求不公布姓名;王星河;蔡鑫;陈婉君;张江勇 - 安徽格恩半导体有限公司
  • 2023-04-26 - 2023-09-29 - H01S5/34
  • 本实用新型提供了一种半导体紫外激光器,涉及半导体光电器件技术领域,从下至上依次从下至上依次包括衬底、下限制层、下波导层,有源层、上波导层、上限制层,所述有源层为阱层和垒层组成的量子阱;调控载流子起伏的折射率色散,提升激光限制因子,提升模式增益,同时,降低未离化Mg受主的内部光学损耗,降低光波导的吸收损耗;所述第一上限制层的Mg呈倒V型分布,第二上限制层的Mg呈U型分布,第三上限制层的Mg呈线性分布,第四上限制层的Mg呈L形分布,从而在上限制层形成多重二维电子气,降低Mg受主离化能,提升Mg离化效率和空穴的输运效率,从而提升空穴注入有源层的效率和有源层中电子空穴的对称性和匹配性,提升激光器的峰值增益和斜率效率。
  • 一种半导体紫外激光器
  • [发明专利]一种半导体激光元件-CN202310631210.X在审
  • 李水清;王星河;陈婉君;张会康;黄军;胡志勇;蔡鑫;刘紫涵 - 安徽格恩半导体有限公司
  • 2023-05-31 - 2023-09-19 - H01S5/34
  • 本发明提供了一种半导体激光元件,包括从下至上依次包括衬底、下限制层、下波导层、有源层、上波导层、电子阻挡层、上限制层;所述上波导层与电子阻挡层之间设置有拓扑狄拉克电子点层,以及所述电子阻挡层与上限制层之间设置有拓扑狄拉克电子点层。所述有源层为阱层和垒层组成的周期结构,周期数为3≥m≥1;阱层为InGaN、InN、AlInN、GaN的任意一种或任意组合,厚度为10~80埃米;垒层为GaN、AlGaN、AlInGaN、AlN、AlInN的任意一种或任意组合,厚度为10~120埃米。本发明提供的一种半导体激光元件,通过设置的拓扑狄拉克电子点层的笼目晶格结构可产生电子与电子间的非局域效应,抑制电荷密度波和量子限制斯塔克Stark效应。
  • 一种半导体激光元件

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