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[发明专利]一种基于蓝宝石衬底的氮化铝外延片的制备方法-CN202111483678.6有效
发明人：齐胜利;温荣吉;周飚;刘亚柱 -专利权人：宁波安芯美半导体有限公司
申请日： 2021-12-07 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：本发明属于半导体电子器件技术领域，具体涉及一种基于蓝宝石衬底的氮化铝外延片的制备方法。该方法主要在buffer阶段进行工艺优化，在生长buffer阶段温度梯度循环变化生长，三甲基铝源长通，NH3周期变化通入。优化的buffer层长完后，再岛状(3D)及二维(2D)生长，制得氮化铝过渡层；在所述氮化铝过渡层上依次生长非掺杂氮化镓层、N型氮化镓层、多量子阱层、P型电子阻挡层、P型氮化镓层和P型接触层，制得基于蓝宝石衬底的氮化铝外延片。通过该工艺生长的AlN薄膜材料，可以改变位错的倾斜行为，减少位错密度，减少AlN外延片裂纹，提高晶体质量，获得较好的AlN薄膜材料，从而达到直接改善产品的器件光电性能。
一种基于蓝宝石衬底氮化外延制备方法

[发明专利]一种提高氮化镓基LED发光二极管亮度的外延片及生长方法-CN201811022468.5在审
发明人： 温荣吉;芦玲;祝光辉;陈明 -专利权人：淮安澳洋顺昌光电技术有限公司
申请日： 2018-09-03 - 公布日： 2019-02-12 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本发明提供了一种提高氮化镓基LED发光二极管亮度的外延片及生长方法，该外延片结构从下向上的顺序依次为蓝宝石图形化AlN衬底、未掺杂的低温氮化镓缓冲层、未掺杂的高温氮化镓层、掺SiH₄的N型氮化镓导电层、有源发光层为周期性结构的InGaN/GaN量子阱垒区、掺Mg的P型氮化镓导电层和掺Mg的P型接触层。较传统的生长方法不同，本发明对发光层量子垒区结构进行了优化设计，提出了量子垒区采用GaN/少量掺In的InGaN超晶格结构。该结构可以显著影响垒层的应力和量子阱的应力，能有效改善发光层的晶体质量，为有效提高氮化镓基发光二极管的亮度提供了一种外延片生长方法。
发光层氮化镓基LED 发光二极管量子垒外延片未掺杂生长氮化镓基发光二极管低温氮化镓缓冲层高温氮化镓层超晶格结构蓝宝石图形外延片结构外延片生长周期性结构量子阱垒亮度提供优化设计传统的量子阱衬底垒层

[发明专利]一种提升氮化镓基LED发光二极管抗静电能力的外延片及生长方法-CN201811022390.7在审
发明人： 温荣吉;芦玲;祝光辉;陈明 -专利权人：淮安澳洋顺昌光电技术有限公司
申请日： 2018-09-03 - 公布日： 2018-12-28 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：一种提升氮化镓基LED发光二极管抗静电能力的外延片及生长方法，该外延片结构从下向上依次为蓝宝石图形化AlN衬底、未掺杂的低温氮化镓缓冲层、未掺杂的高温氮化镓层、掺SiH₄的N型氮化镓导电层、有源发光层、低温掺Mg的P型氮化铝镓电子阻挡层、掺Mg的P型氮化镓导电层和掺Mg的P型接触层。本发明提出了量子垒层采用调制掺杂的GaN/AlGaN超晶格结构，这种结构能够有效的引导冲击电流，使脉冲电流在GaN/AlGaN结构的二维电子气中，在横向方向上传导，使得脉冲电流的密度分布更加均匀，从而使LED芯片被击穿的可能性得到很大的降低，为有效提升氮化镓基发光二极管的抗静电能力提供了一种外延片生长方法。
抗静电能力氮化镓基LED 发光二极管脉冲电流外延片未掺杂氮化镓基发光二极管低温氮化镓缓冲层高温氮化镓层超晶格结构电子阻挡层二维电子气蓝宝石图形外延片结构外延片生长冲击电流调制掺杂横向方向量子垒层密度分布生长发光层击穿衬底传导

[发明专利]一种降低氮化镓基LED发光二极管工作电压的外延片及生长方法-CN201811022397.9在审
发明人： 温荣吉;芦玲;祝光辉;陈明 -专利权人：淮安澳洋顺昌光电技术有限公司
申请日： 2018-09-03 - 公布日： 2018-12-28 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明属于氮化镓基LED外延片设计应用技术领域，提供了一种降低氮化镓基LED发光二极管工作电压的外延片及生长方法。该外延片从下向上依次为蓝宝石图形化AlN衬底、未掺杂的低温氮化镓缓冲层、未掺杂的高温氮化镓层、掺SiH₄的N型氮化镓导电层、有源发光层、低温掺Mg的P型氮化铝镓电子阻挡层、掺Mg的P型氮化镓导电层和掺Mg的P型接触层。较传统的生长方法不同，本发明对发光层量子垒区结构进行了优化设计，提出了量子垒区采用N型GaN/本征GaN的超晶格结构组成。该结构能有效改善发光层的晶体质量，为有效降低氮化镓基发光二极管的工作电压提供了一种外延片生长方法。
外延片氮化镓基LED 发光层发光二极管工作电压量子垒未掺杂生长氮化镓基发光二极管低温氮化镓缓冲层高温氮化镓层工作电压提供超晶格结构电子阻挡层蓝宝石图形外延片生长设计应用优化设计传统的本征衬底

[实用新型]提升外延片抗静电能力良率的SH上盖表面自动清洁器-CN201820115781.2有效
发明人： 温荣吉;芦玲;祝光辉;陈明 -专利权人：淮安澳洋顺昌光电技术有限公司
申请日： 2018-01-24 - 公布日： 2018-10-30 - 主分类号： B08B1/04 文献下载
摘要：本实用新型属于半导体芯片制造技术领域，提供了一种提升外延片抗静电能力良率的SH上盖表面自动清洁器，包括吸尘系统、传动机械系统和控制系统三部分。吸尘系统包括可拆卸式排刷、吸尘软管、集灰罐和小泵，用于收集灰尘；传动机械系统包括支撑杆、传动皮带、转动支撑轴、转动马达、转动轴承、升降支撑轴和升降马达，实现可拆卸式排刷的转动及其与SH上盖接触距离的调控；控制系统包括控制盒，用于控制清扫的转动速度、可拆卸式排刷的力度和小泵的吸力。本实用新型通过控制清洁力度，保证SH上盖表面的清洁程度，有效减少SH上盖掉灰现象，进而减少外延片生长过程中因掉灰导致的缺陷，减少漏电通道，有效提升外延片的抗静电能力良率稳定性。
抗静电能力可拆卸式上盖表面外延片良率排刷本实用新型自动清洁器传动机械控制系统吸尘系统上盖小泵转动半导体芯片制造吸力升降支撑轴外延片生长转动支撑轴传动皮带接触距离漏电通道清洁力度升降马达吸尘软管有效减少转动马达转动轴承集灰罐控制盒支撑杆清扫清洁调控保证

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