“陈铭胜”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果92个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种氮化镓基晶体管的外延结构及制备方法-CN202311188656.6在审
发明人：侯合林;谢志文;张铭信;陈铭胜;文国昇;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-09-15 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明提供一种氮化镓基晶体管的外延结构及制备方法，所述氮化镓基晶体管的外延结构包括衬底及依次沉积在所述衬底上的缓冲层、改善层及半导体层；所述改善层包括依次沉积在所述缓冲层上的第一子层、第二子层及第三子层；所述第一子层包括元素掺杂GaN层及沉积在所述元素掺杂GaN层上的Ga2O3层，所述第二子层包括周期性交替生长的P‑AlGaN层和AlGaO3层，所述第三子层为n‑AlGaN层，其中，所述元素掺杂GaN层为碳掺杂GaN层、铁掺杂GaN层及锌掺杂GaN层中的任意一种，提升器件的性能。
一种氮化晶体管外延结构制备方法

[发明专利]复合缓冲层及其制备方法、外延片、高电子迁移率晶体管-CN202310850811.X有效
发明人：文国昇;侯合林;谢志文;张铭信;陈铭胜;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-07-12 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种复合缓冲层及其制备方法、外延片、高电子迁移率晶体管，复合缓冲层包括依次层叠的第一缓冲第一子层以及第一缓冲第二子层组成的第一缓冲层，第二缓冲第一子层以及第二缓冲第二子层周期性交替组成的第二缓冲层，第三缓冲第一子层以及第三缓冲第二子层周期性交替组成的第三缓冲层；其中，第一缓冲第一子层为AlN层、第一缓冲第二子层为SiN层、第二缓冲第一子层为ScxAl1‑xN层、第二缓冲第二子层为AlGaN层、第三缓冲第一子层为ScyAl1‑yN子层、第三缓冲第二子层为碳掺杂的GaN层，ScxAl1‑xN层中的Sc组分低于ScyAl1‑yN子层的Sc组分。
复合缓冲及其制备方法外延电子迁移率晶体管

[发明专利]发光二极管及其制备方法-CN202310988197.3有效
发明人：文国昇;侯合林;谢志文;张铭信;陈铭胜;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-08-08 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管及其制备方法，所述发光二极管包括衬底，所述衬底上依次设有缓冲层、N型半导体层、多量子阱层、P型半导体层，以及设置在所述P型半导体层上的P电极和设置在所述N型半导体层上的N电极；所述N型半导体层包括依次层叠在所述缓冲层上的N型电子层和N型调控层，所述N型电子层包括交替层叠的AlxGa1‑x‑yInyN层和AlαGa1‑α‑βInβN层，所述N型调控层包括交替层叠的AlaGa1‑aN层和AlbIn1‑bN层。本发明提供的发光二极管能够提高N型半导体层内的N型掺杂效率，降低其内部拉应力，提高发光效率。
发光二极管及其制备方法

[发明专利]LED外延片及其制备方法、LED-CN202310836801.0在审
发明人：侯合林;谢志文;张铭信;陈铭胜;文国昇;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-07-10 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种LED外延片及其制备方法、LED，涉及半导体光电器件领域。其中，LED外延片包括衬底，依次层叠于衬底上的缓冲层、非掺杂AlGaN层、N型AlGaN层、多量子阱层、电子阻挡层、第一P型层和第二P型层；其中，第一P型层为周期性结构，周期数≥2，每个周期均包括依次层叠的第一P型AlGaN层和P‑ScYAlN层；第二P型层为周期性结构，周期数≥2，每个周期均包括依次层叠的第二P型AlGaN层和P‑AlInGaN层。实施本发明，可提升LED外延片的发光效率。
led 外延及其制备方法

[发明专利]高电子迁移率晶体管外延结构及制备方法、HEMT器件-CN202310664312.1在审
发明人：文国昇;侯合林;谢志文;张铭信;陈铭胜;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-06-06 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明提供高电子迁移率晶体管外延结构及制备方法、HEMT器件，该外延结构包括复合插入层，复合插入层包括依次层叠的第一插入层、第二插入层以及第三插入层，第一插入层由元素掺杂的GaN子层和BAlGaN子层周期性交替生长而成，第二插入层为BAlN层，第三插入层由BAlGaN子层和Si掺杂的GaN子层周期性交替生长而成，其中，第二插入层中的B组分和Al组分大于第一插入层和第三插入层中的，第三插入层中的B组分和Al组分大于第一插入层中的，具体的，复合插入层的引入，可有效解决器件漏电流大、耐击穿电压能力低，二维电子气浓度低的问题，提高了器件的可靠性能，解决了高频、高功率器件输出被限制的问题。
电子迁移率晶体管外延结构制备方法 hemt 器件

[发明专利]一种外延片波长良率的调整方法及系统、外延片-CN202310777452.X有效
发明人：熊小亮;焦二斌;张铭信;陈铭胜;文国昇;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-06-29 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： C30B25/16 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，具体公开一种外延片波长良率的调整方法及系统、外延片，包括：采集第i‑1炉次及第i炉次中，预备生长发光层前的石墨盘表面温度及外延片受热温度；获取第i‑1炉次及第i炉次中，所述石墨盘表面温度与所述外延片受热温度之间的温度差；获取第i炉次的初步补偿温度；基于所述第i‑1炉次中的目标波长与外延片的产出波长均值获取波长差；获取外延片的产出波长均值随反应腔的设置温度变化的斜率；基于所述初步补偿温度、所述波长差及所述斜率调整第i炉次的反应腔的设置温度。本发明可有效规避石墨盘表面的MO源残留物对温度调整的影响，温度调整更精准，有效提高外延片的波长良率。
一种外延波长调整方法系统

[发明专利]一种石墨基座-CN202210396776.4有效
发明人：侯合林;谢志文;张铭信;陈铭胜 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2022-04-15 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： C30B25/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种石墨基座，应用于MOCVD设备，涉及半导体技术领域，该石墨基座包括基座本体，及设于基座本体上的若干放置槽组，放置槽组包括多个放置槽，放置槽内设有凹坑，凹坑的深度由靠近放置槽的表面的一端逐渐向放置槽的内部递增，且每个凹坑的深度各不相同，其中，当MOCVD设备处于工作状态时，MOCVD设备内设有区域温度和MO源氛围浓度，凹坑的深度与区域温度和MO源氛围浓度对应设置，通过该设置，从而改善因区域温度分布不均匀、不同区域的MO源氛围浓度并入效率不一致，而导致外延片迎风面以及凹槽接触面处波长不均匀问题，该设置从整体上优化了LED外延片的均匀性。
一种石墨基座

[发明专利]一种外延片及其制备方法、高电子迁移率晶体管-CN202310811657.5在审
发明人：文国昇;侯合林;谢志文;张铭信;陈铭胜;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-07-04 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种外延片及其制备方法、高电子迁移率晶体管，外延片包括衬底、依次层叠在衬底上的缓冲层、沟道层、插入层、势垒层以及盖帽层，其特征在于，缓冲层与沟道层之间设有过渡层，过渡层包括依次层叠在缓冲层上的第一子层、第二子层、第三子层；其中，第一子层为周期性交替生长的碳掺杂GaN层和AlGaN层、第二子层为周期性交替生长的非掺杂GaN层和AlGaN层、第三子层为周期性交替生长的Si3N4层和AlInGaN层、沟道层为InGaN层，AlInGaN层的Al组分由靠近缓冲层一端向另一端逐渐降低，AlInGaN层的In组分由靠近缓冲层一端向另一端逐渐升高。本发明解决了现有技术中的外延片二维电子气浓度低的问题。
一种外延及其制备方法电子迁移率晶体管

[发明专利]外延波长均匀性提升方法、系统、可读存储介质及计算机-CN202210990055.6有效
发明人：黄莉婷;焦二斌;张铭信;陈铭胜;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2022-08-18 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： C30B25/16 文献下载
摘要：本发明提供一种外延波长均匀性提升方法、系统、可读存储介质及计算机，该方法包括：将外延片划以其圆心为中心点分成多个不同半径的同心圆区域；将外延片划分为多个点集，并将各点集按照各同心圆区域的分布范围进行分配，以得到多个目标区域；计算出各目标区域的均值波长，并根据均值波长计算出外延片的斜率；将石墨承载盘上所有外延片循环上述步骤得到所有外延片的斜率，将石墨承载盘按照圆槽分布划分为多个圆槽区域，并根据各圆槽区域上外延片的分布情况和所有外延片的斜率计算出各圆槽区域的斜率均值；为各圆槽区域添加翘曲系数，并根据斜率均值以及翘曲系数调整石墨承载盘的工艺参数，以提升石墨承载盘上的所有外延片的发光波长的均匀性。
外延波长均匀提升方法系统可读存储介质计算机

[发明专利]一种高光效LED外延片及其制备方法、LED芯片-CN202310452564.8在审
发明人：侯合林;谢志文;张铭信;陈铭胜;文国昇;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-04-25 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明提供一种高光效LED外延片及其制备方法、LED芯片，高光效LED外延片由下至上依次包括N型氮化物层、有源层以及P型氮化物层，有源层包括多个交替排布的量子阱层、插入层以及量子垒层，插入层包括多个周期性交替排布的第一元素层和第二元素层，本发明中的高光效LED外延片，通过在有源层中的量子阱层和量子垒层之间引入插入层、且插入层由第一元素层和第二元素层呈周期性交替排布，使得插入层的晶格常数介于量子阱层与量子垒层之间，有效地缓解了量子阱层与量子垒层的晶格失配，提升了有源层的晶体质量，降低了有源层中的极化电场，改善了因量子阱能带弯曲以及晶体质量偏差导致的发光效率下降的问题。
一种高光效 led 外延及其制备方法芯片

[发明专利]发光二极管外延片及其制备方法、LED-CN202310421472.3在审
发明人：侯合林;谢志文;张铭信;陈铭胜;文国昇;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-04-19 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法、LED，所述发光二极管外延片包括衬底及依次层叠于所述衬底上的缓冲层、本征GaN层、N型GaN层、插入层、过渡层、有源层、P型氮化物层；所述插入层上包括若干个氮化物三棱柱，所述氮化物三棱柱包括底面和侧面，所述底面与所述N型GaN层相贴合，所述侧面为半极性面；所述过渡层包括周期性交替层叠的半极性面GaN层和半极性面InGaN层。本发明提供的发光二极管外延片能够使得极性面有源层成功转换为半极性面有源层，改善了电子泄漏问题的同时，提升了量子阱层中的空穴浓度，提高了发光效率。
发光二极管外延及其制备方法 led

[发明专利]外延片波长良率提升方法、系统、可读存储介质及计算机-CN202310330903.5在审
发明人：程海林;焦二斌;张铭信;陈铭胜;文国昇;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-03-30 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： C30B25/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种外延波长良率提升方法、系统、可读存储介质及计算机，该方法包括：将石墨承载盘的加热丝划分为多个加热丝区域；将所述石墨承载盘上所有外延片划分为多个点集，得到多个目标区域，计算出各所述目标区域的温度斜率；添加波长系数，计算出各所述目标区域的波长斜率；根据各所述目标区域的下一炉次的平均波长与目标波长计算出下一炉次各所述目标区域的波长差；根据各所述下一炉次各所述目标区域的波长差、各所述目标区域的面积占比，采用规划求解的方法得到各温度探测器的最优设定温度变化量，以提升各所述目标区域所产出的外延片的波长良率。
外延波长提升方法系统可读存储介质计算机

[发明专利]一种半导体薄膜及其制备方法-CN202310269929.3在审
发明人：谢志文;张铭信;陈铭胜;文国昇;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-03-20 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H10N30/853 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体薄膜及其制备方法，该半导体薄膜的制备方法包括：对附有AlN薄膜层的衬底以预设退火温度进行高温退火；高温退火处理结束后，在所述AlN薄膜层上溅射不同钪含量的铝钪合金靶材，再发生固相反应形成N层叠置的掺钪AlN薄膜子层，其中，N层所述掺钪AlN薄膜子层的钪组分自下而上依次增加，N层叠置的掺钪AlN薄膜子层组合形成掺钪AlN薄膜层。通过本申请，不仅能够有效地降低后续各层氮化铝钪薄膜造成的堆积应力，以降低龟裂密度和位错缺陷度，使得能够生成结晶质量优异、压电性能良好的钪组分高的半导体薄膜，同时该制备操作简单，有利于批量性生产。
一种半导体薄膜及其制备方法

[发明专利]一种GaN基LED外延片及外延生长方法-CN202310125951.0在审
发明人：侯合林;谢志文;张铭信;陈铭胜;文国昇;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-02-16 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：本发明提供一种GaN基LED外延片及外延生长方法，通过控制扩展层和滞缓层中扩展子层和滞缓子层In含量先升高再降低的变化，可以使得有源层与滞缓层以及扩展层之间产生势阱深度，且靠近有源层一侧滞缓层的势阱相对更深，可有效减缓电子向有源层的迁移速率，提高有源层对电子局限能力，改善电子注入P型氮化物层发生非辐射复合，最终到达提高发光效率的目的。
一种 gan led 外延生长方法

[实用新型]一种水氧量控制系统-CN202222820616.6有效
发明人：尹世杰;宋伟;陈铭胜;文国昇;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2022-10-25 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种水氧量控制系统，通过管路总成与箱体总成连通，水氧量控制系统用于控制箱体总成内水氧量，水氧量控制系统包括用于检测箱体总成内气压的检测总成、用于对箱体总成内供气的补气总成，以及引导箱体总成内气体排出的排气总成，检测总成、补气总成以及排气总成均与控制器电性连接，其中，控制器用于接收检测总成反馈的气压信息，并根据气压信息分别控制补气总成和排气总成对箱体总成进行补气和排气操作，解决了目前手套箱内压力的设置基本控制在与外界压力持平，吹扫频率较低。
一种水氧量控制系统

1
2
3
4
5
6
7
下一页»
尾页
共 92 条