[发明专利]一种衬底及外延片在审
| 申请号： | 201910403134.0 | 申请日： | 2019-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN110164959A | 公开（公告）日： | 2019-08-23 |
| 发明（设计）人： | 李佳;芦伟立;冯志红 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | H01L29/16 | 分类号： | H01L29/16;H01L29/167;H01L29/20;H01L29/207;H01L29/36 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人： | 米文智 |
| 地址： | 050051 *** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体技术领域，具体公开一种衬底及外延片。所述衬底包括晶片，所述晶片中包含预设原子，所述预设原子的浓度为1e11‑1e18cm‑3，其中，所述预设原子为铁原子、碳原子或硅原子中的至少一种。本发明在导电晶片上注入的原子，形成的衬底不仅不影响衬底本身的导电类型和掺杂浓度，也不影响后续外延层的导电类型和掺杂浓度，且注入的原子在外延时能扩散到外延材料中，能够填补外延材料中的碳空位，减少深能级缺陷，提高少子寿命。本申请在半绝缘晶片上注入碳原子、铁原子或铁碳混合原子形成的衬底，在生长时，注入的原子会扩散到GaN缓冲层中，形成高阻GaN缓冲层，为生长高频大功率GaN外延材料提供保障和基础。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 预设 导电类型 外延材料 碳原子 铁原子 外延片 掺杂 半导体技术领域 半绝缘晶片 高频大功率 深能级缺陷 扩散 导电晶片 混合原子 少子寿命 硅原子 外延层 空位 生长 高阻 晶片 铁碳 填补 申请 | ||
【主权项】：
1.一种衬底，其特征在于，包括：晶片，所述晶片中包含预设原子，所述预设原子的浓度为1e11‑1e18cm‑3，其中，所述预设原子为铁原子、碳原子或硅原子中的至少一种。
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- A·K·海姆;K·S·诺沃肖洛夫;R·V·戈尔巴乔夫;L·A·波诺马连科;L·布里特内尔 - 曼彻斯特大学
- 2012-03-22 - 2014-01-01 - H01L29/16
- 本申请涉及石墨烯基异质结构和包含石墨烯的晶体管器件。异质结构包括：（i）第一石墨烯层；（ii）间隔层；以及（iii）第三石墨烯。晶体管包括：（i）包括石墨烯层的电极；以及（ii）绝缘阻挡层。
- 一种自对准石墨烯场效应晶体管及其制备方法-201310226455.0
- 金智;彭松昂;麻芃;张大勇;史敬元;陈娇 - 中国科学院微电子研究所
- 2013-06-07 - 2013-09-18 - H01L29/16
- 本发明公开了一种自对准石墨烯场效应晶体管及其制备方法，该自对准石墨烯场效应晶体管包括半导体衬底、绝缘层、导电通道、源电极、漏电极、栅介质层、栅金属和自对准金属，其中，绝缘层形成于半导体衬底上，导电沟道形成于绝缘体上，导电沟道由石墨烯构成，源电极和漏电极分别形成于导电通道的两侧，栅介质层选择性沉积在源电极和漏电极之间的导电沟道上，栅金属形成于栅介质层之上，栅介质层与栅金属同时图形化堆砌在一起形成栅堆积层，对沟道区载流子浓度进行调控；自对准金属层覆盖源电极、漏电极、导电通道以及栅金属之上，减小未被栅条覆盖区域面积，实现器件栅与源漏的自对准。
- 一种大尺寸石墨烯堆叠结构晶圆及其制备方法-201310147767.2
- 马中发;张鹏;吴勇;庄奕琪;肖郑操;赵钰迪;郭超;冯元博 - 西安电子科技大学
- 2013-04-25 - 2013-07-31 - H01L29/16
- 一种大尺寸石墨烯堆叠结构晶圆，其特征在于，所述晶圆结构自上而下依次为：石墨烯单晶层，h-BN单晶层，h-BN缓冲层，以及SiO2/Si晶圆衬底。本发明有益效果在于，所述晶圆不但可以充分兼容现有的硅基半导体器件生产工艺，还可充分利用六方氮化硼衬底材料的特性，保证生长的石墨烯具有最完美的晶格结构和散射最弱的载流子输运环境，最大可能的保留石墨烯中载流子的超高迁移率，从而大大提高石墨烯基电子器件的性能。
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