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[实用新型]一种沟槽型碳化硅MOSFET器件-CN202320162866.7有效
发明人：宋安英;张瑜洁 -专利权人：泰科天润半导体科技（北京）有限公司
申请日： 2023-02-09 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种沟槽型碳化硅MOSFET器件，包括：外延层设于碳化硅衬底一侧面，外延层上设有轻掺杂区，轻掺杂区上设有源极区以及重掺杂区；U型栅氧层分别连轻掺杂区、接外延层以及轻掺杂区，U型栅氧层底部设有通孔；肖特基接触金属层设于通孔，肖特基接触金属层下侧面连接至外延层；隔离介质层设于U型栅氧层内，隔离介质层下侧面与肖特基接触金属层上侧面连接；多晶硅设于U型栅氧层，多晶硅层下侧面连接至隔离介质层的上侧面；源极金属层分别连接源极区、重掺杂区、轻掺杂区以及外延层；栅极金属层连接至多晶硅层；漏极金属层连接至碳化硅衬底的另一侧面；反向导通时，优先导通沟槽底部的肖特基二极管，防止器件性能退化。
一种沟槽碳化硅 mosfet 器件

[发明专利]一种碳化硅沟槽刻蚀方法-CN202310081853.1在审
发明人：宋安英;李佳帅;张瑜洁 -专利权人：泰科天润半导体科技（北京）有限公司
申请日： 2023-02-08 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L21/04 文献下载
摘要：本发明提供一种碳化硅沟槽刻蚀方法，通过在存在微沟槽的沟槽底部进行高浓度离子注入使注入区的SiC非晶化，进而使用湿法溶液将非晶层去除，通过去除沟槽底部的非晶层可以得到圆滑的SiC沟槽；避免了复杂且耗时耗力的干刻工艺参数调整优化，在保证侧壁角度的同时改善了微沟槽的问题，放宽了工艺窗口。
一种碳化硅沟槽刻蚀方法

[发明专利]一种沟槽型碳化硅MOSFET器件的制造方法-CN202310086952.9在审
发明人：宋安英;张瑜洁 -专利权人：泰科天润半导体科技（北京）有限公司
申请日： 2023-02-09 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L29/66 文献下载
摘要：本发明提供了一种沟槽型碳化硅MOSFET器件的制造方法，包括：在碳化硅衬底上形成外延层，在外延层上淀积阻挡层，蚀刻、离子注入，形成轻掺杂区、源极区以及重掺杂区；刻蚀外延层形成栅极区，氧化栅极区，形成栅氧层；光刻形成设定区域的光刻胶掩膜，湿法去除未被光刻胶覆盖区域的栅氧层，淀积形成肖特基接触金属，剥离得到肖特基接触界面；退火形成肖特基接触金属层；淀积形成介质层，光刻形成设定区域的光刻胶掩膜，去除未被光刻胶覆盖区域的介质层，形成隔离介质层；分别淀积形成多晶硅层、源极金属层、漏极金属层以及栅极金属层；可以防止发生双极退化效应导致的器件性能退化。
一种沟槽碳化硅 mosfet 器件制造方法

[发明专利]一种SiC衬底光滑侧壁的刻蚀方法-CN202310164981.2在审
发明人：宋安英;李佳帅;张瑜洁 -专利权人：浏阳泰科天润半导体技术有限公司
申请日： 2023-02-08 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： H01L21/04 文献下载
摘要：本发明提供一种SiC衬底光滑侧壁的刻蚀方法，包括：对SiC衬底进行标准清洗；在SiC衬底表面淀积掩膜层；在掩膜层上进行光刻形成设定图形的光刻胶；去除光刻胶未覆盖区域的掩膜层，将光刻版的图形转移到掩膜层上；去除光刻胶；对SiC衬底进行干法刻蚀，形成台面或沟槽，刻蚀后保留掩膜层；对SiC衬底上的台面或沟槽的侧壁进行离子注入，根据离子种类选择相应的注入剂量和注入能量，形成所需厚度的非晶层；湿法去除掩膜层；通过湿法腐蚀对非晶层进行腐蚀，形成光滑侧壁；最后对SiC衬底进行后处理清洗，简化了工艺流程，并且可以得到光滑的侧壁。
一种 sic 衬底光滑侧壁刻蚀方法

[实用新型]一种提高电流能力的碳化硅MOSFET-CN202222063034.8有效
发明人：张长沙;李佳帅;张瑜洁;何佳 -专利权人：浏阳泰科天润半导体技术有限公司
申请日： 2022-08-08 - 公布日： 2023-01-10 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种提高电流能力的碳化硅MOSFET，包括：漂移层设于碳化硅衬底的上侧面；漂移层上设有倒凸字形的沟槽；沟槽内设有一N+低阻导电区以及P型夹断区，P型夹断区为倒凹字形，N+低阻导电区设于所述漂移层以及P型夹断区内，N+低阻导电区底部连接至所述碳化硅衬底；P+夹断区设于漂移层上，且与P型夹断区连接；N+源区分别连接P+夹断区以及所述P型夹断区；源极金属层分别连接P型夹断区、P+夹断区以及所述N+源区；栅极绝缘层连接至P型夹断区；栅极金属层连接至栅极绝缘层；以及漏极金属层连接至碳化硅衬底的下侧面，利用了器件纵向的空间构建两路电流通路，来提高器件的电流密度，降低导通电阻。
一种提高电流能力碳化硅 mosfet

[实用新型]一种非对称沟槽型碳化硅MOSFET-CN202222048995.1有效
发明人： 张瑜洁;张长沙;李佳帅;何佳 -专利权人：浏阳泰科天润半导体技术有限公司
申请日： 2022-08-05 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种非对称沟槽型碳化硅MOSFET，包括碳化硅衬底，漂移层，所述漂移层设于所述碳化硅衬底上侧面，所述漂移层上设有沟槽，所述沟槽内设有掩蔽层以及导电区；夹断区，所述夹断区设于所述漂移层上侧面，且所述夹断区底面连接至所述导电区以及掩蔽层，夹断区内设有栅极绝缘层，所述栅极绝缘层底面连接至所述掩蔽层，所述夹断区上设有源区，所述源区的侧面连接至所述栅极绝缘层的一侧面；栅极，所述栅极设于所述栅极绝缘层内；源极金属层，所述源极金属层连接至所述夹断区以及源区；栅极金属层，所述栅极金属层连接至所述栅极；以及，漏极金属层，所述漏极金属层连接至碳化硅衬底的下侧面，提高器件开关速度，降低导通电阻。
一种对称沟槽碳化硅 mosfet

[实用新型]一种集成异质结二极管的平面栅碳化硅MOSFET-CN202222053224.1有效
发明人： 张瑜洁;李昀佶;单体玮 -专利权人：浏阳泰科天润半导体技术有限公司
申请日： 2022-08-05 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种集成异质结二极管的平面栅碳化硅MOSFET，包括：漂移层设于碳化硅衬底的上侧面，漂移层内设有第一基区、第二基区、第三基区及第四基区，第一基区、第二基区、第三基区以及第四基区内均设有源区；第一源极金属层连接至第一基区及第二基区的源区；第二源极金属层连接至第三基区及第四基区的源区；源极异质结连接至漂移层、第二基区及第三基区；第一栅介质隔离层连接至所述漂移层；第二栅介质隔离层连接至所述漂移层；第一栅极金属层连接第一栅极隔离层；第二栅极金属层连接第二栅极隔离层；以及漏极金属层连接至碳化硅衬底下侧面；使得电流分布在器件左右两边，避免电流集中，减少器件热管理问题，提高器件可靠性。
一种集成异质结二极管平面碳化硅 mosfet

[发明专利]一种非对称沟槽型碳化硅MOSFET的制造方法-CN202210935428.X在审
发明人： 张瑜洁;张长沙;李佳帅;何佳 -专利权人：泰科天润半导体科技（北京）有限公司
申请日： 2022-08-05 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供了一种非对称沟槽型碳化硅MOSFET的制造方法，包括在碳化硅衬底的漂移层上形成阻挡层，并对阻挡层蚀刻形成通孔，通过通孔对漂移层进行离子注入，以形成掩蔽层；重新形成阻挡层，并对阻挡层蚀刻形成通孔，通过通孔对漂移层进行离子注入，以形成导电区；去除阻挡层，行离子注入，形成夹断区；重新形成阻挡层，并对阻挡层以及夹断区蚀刻形成栅极区，氧化栅极区，形成栅极绝缘层；在栅极绝缘层上淀积栅极；重新形成阻挡层，并对阻挡层蚀刻形成通孔，通过通孔对夹断区进行离子注入，以形成源区；通过金属淀积，分别形成源极金属层、栅极金属层以及漏极金属层，提高器件开关速度，降低导通电阻。
一种对称沟槽碳化硅 mosfet 制造方法

[发明专利]一种集成异质结二极管的平面栅碳化硅MOSFET的制造方法-CN202210936355.6在审
发明人： 张瑜洁;李昀佶;单体玮 -专利权人：泰科天润半导体科技（北京）有限公司
申请日： 2022-08-05 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供了一种集成异质结二极管的平面栅碳化硅MOSFET的制造方法，在碳化硅衬底的漂移层上形成阻挡层，并对阻挡层蚀刻形成通孔，通过通孔对漂移层进行离子注入，形成第一基区、第二基区、第三基区以及第四基区；并形成源区；重新形成阻挡层，并对阻挡层蚀刻形成通孔，通过通孔氧化，形成第一栅介质隔离层以及第二栅介质隔离层；重新形成阻挡层，并对阻挡层蚀刻形成通孔，通过通孔淀积，第一源极金属层、第二源极金属层、第一栅极金属层、第二栅极金属层以及源极异质结；清除所有阻挡层，并在碳化硅衬底上淀积金属，形成漏极金属层；使得MOSFET的电流分布在器件左右两个，避免电流集中，减少器件热管理问题，提高器件可靠性。
一种集成异质结二极管平面碳化硅 mosfet 制造方法

[发明专利]电荷平衡阈值电压可调的碳化硅MOSFET的制造方法-CN202211003446.0有效
发明人： 张瑜洁;何佳;张长沙;单体玮 -专利权人：泰科天润半导体科技（北京）有限公司
申请日： 2022-08-22 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种电荷平衡阈值电压可调的碳化硅MOSFET的制造方法，包括：在碳化硅衬底的隔离层上生长阻挡层，蚀刻后对隔离层进行离子注入，形成导电沟道区；重新生长阻挡层，并对阻挡层蚀刻形成通孔，通过通孔对隔离层进行离子注入，以形成漏极源区和源极源区，导电沟道区的左侧面连接至所述源极源区的右侧面，所述导电沟道区的右侧面连接至所述漏极源区的左侧面；在漏极源区和源极源区上分别淀积形成漏极金属层和源极金属层；重新生长阻挡层，蚀刻后氧化形成绝缘层；重新生长阻挡层，刻蚀形成凹槽；重新生长阻挡层，蚀刻后在凹槽上淀积，形成栅极金属层，清除所有阻挡层，使得沟道中的电荷分布更加均衡，实现沟道电荷平衡，保证器件的使用。
电荷平衡阈值电压可调碳化硅 mosfet 制造方法

[发明专利]一种提高电流能力的碳化硅MOSFET的制造方法-CN202210941192.0有效
发明人：张长沙;李佳帅;张瑜洁;何佳 -专利权人：泰科天润半导体科技（北京）有限公司
申请日： 2022-08-08 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本发明提供了一种提高电流能力的碳化硅MOSFET的制造方法，包括：在具有漂移层的碳化硅衬底上形成阻挡层，并对阻挡层蚀刻形成通孔，通过通孔对漂移层进行离子注入，形成N+低阻导电区；通过重新形成阻挡层，并对阻挡层蚀刻形成通孔，通过通孔对漂移层进行离子注入，形成P型夹断区、中间的P型夹断区、P+夹断区、N+源区；重新形成阻挡层，并对阻挡层蚀刻形成通孔，通过通孔氧化形成栅极绝缘层；重新形成阻挡层，并对阻挡层蚀刻形成通孔，通过通孔淀积金属形成源极金属层、栅极金属层以及漏极金属层，利用了器件纵向的空间构建两路电流通路，来提高器件的电流密度，降低导通电阻。
一种提高电流能力碳化硅 mosfet 制造方法

[实用新型]一种U型栅沟槽型SiC MOSFET-CN202220963554.1有效
发明人： 张瑜洁;张长沙;何佳;李佳帅 -专利权人：浏阳泰科天润半导体技术有限公司
申请日： 2022-04-25 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种U型栅沟槽型SiC MOSFET，包括：漂移层设于碳化硅衬底的上侧面；漂移层上设有掩蔽层、导电区以及栅极绝缘层，导电区底部以及掩蔽层底部均连接至漂移层，掩蔽层侧面连接至导电区，导电区侧面连接至漂移层，漂移层上设有U型槽，U型槽底部连接至掩蔽层顶部，栅极绝缘层设于U型槽上；栅极连接至栅极绝缘层；源区底部分别连接导电区以及漂移层，源区一侧面连接至栅极绝缘层；夹断区底部连接至漂移层，夹断区一侧面连接至源区；源极金属层连接至源区顶部以及夹断区顶部；栅极金属层连接至栅极；漏极金属层连接至碳化硅衬底下侧面，降低了导通电阻，提高栅氧可靠性。
一种沟槽 sic mosfet

[实用新型]一种P型SiC LDMOS功率器件-CN202220963562.6有效
发明人： 张瑜洁;张长沙;何佳 -专利权人：浏阳泰科天润半导体技术有限公司
申请日： 2022-04-25 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种P型SiCLDMOS功率器件，包括：外延层连接至碳化硅衬底上侧面，外延层上设有源区欧姆接触区；隔离区底部连接至所述碳化硅衬底上侧面，所述隔离区一侧面连接至所述外延层，所述隔离区上设有漏极欧姆接触区；承压区底部以及一侧面连接至所述外延层，所述承压区另一侧面连接至所述隔离区；漏极金属层连接至所述漏极欧姆接触区；源极金属层连接至所述源区欧姆接触区；栅极金属层连接至所述外延层；漏极金属层、源极金属层以及栅极金属层之间均设有绝缘层；降低了器件工作在反向耐压情况下的耐压区的空穴浓度，在不改变器件耐压的情况下，减少器件横向尺寸。
一种 sic ldmos 功率器件

[实用新型]一种集成JBS的沟槽型SiC晶体管-CN202220963571.5有效
发明人： 张瑜洁;何佳;李佳帅;张长沙 -专利权人：浏阳泰科天润半导体技术有限公司
申请日： 2022-04-25 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种集成JBS的沟槽型SiC晶体管，包括：碳化硅衬底，漂移层设于碳化硅衬底的上端面；漂移层上设有掩蔽层以及肖特基金属层以及栅极绝缘层；所述掩蔽层顶部连接至所述肖特基金属层底部，所述掩蔽层连接至所述栅极绝缘层；栅极设于所述栅极绝缘层内；源区底部分别连接所述漂移层以及肖特基金属层，所述源区侧面连接所述栅极绝缘层；源极金属层连接至所述源区；栅极金属层连接至所述栅极；以及漏极金属层连接至所述碳化硅衬底下端面，采用了JBS结构，既有金半接触的低开启电压又有PN结的高耐压特性，在不损耗耐压特性的基础上降低了体二极管导通损耗。
一种集成 jbs 沟槽 sic 晶体管

[实用新型]一种低栅漏电容梯型栅沟槽型的功率器件-CN202220963616.9有效
发明人： 张瑜洁;张长沙;何佳;李佳帅 -专利权人：浏阳泰科天润半导体技术有限公司
申请日： 2022-04-25 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种低栅漏电容梯型栅沟槽型的功率器件，包括：碳化硅衬底，漂移层，所述漂移层设于所述碳化硅衬底的上侧面，所述漂移层上设有一掩蔽层；夹断区，所述夹断区底部连接至所述漂移层，所述夹断区内设有源区；梯形槽，所述梯形槽上宽下窄，所述梯形槽底部设于所述漂移层上，且连接至所述掩蔽层，所述梯形槽穿过所述夹断区，所述梯形槽内设有栅极绝缘层；栅极，所述栅极连接至所述栅极绝缘层；源极金属层，所述源极金属层连接至所述源区顶部以及夹断区顶部；栅极金属层，所述栅极金属层连接至所述栅极；以及，漏极金属层，所述漏极金属层连接至所述碳化硅衬底下侧面；将功率器件的栅电容进行减少，从而提高器件的开关速度。
一种漏电容梯型栅沟槽功率器件

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