[发明专利]半导体形成方法及其结构有效
| 申请号： | 201910392044.6 | 申请日： | 2019-05-10 |
| 公开（公告）号： | CN111916425B | 公开（公告）日： | 2022-12-16 |
| 发明（设计）人： | 熊鹏 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;H01L21/67;G03F9/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体形成方法及其结构，形成方法包括：提供芯片，所述芯片具有虚拟器件区；将所述对准标记形成在所述虚拟器件区形，所述对准标记与原先所在的切割道内的其他对准图案相分开，不仅满足对准要求，而且使得曝光装置更容易能识别到所述对准标记，减小了光干涉计之间的干扰，提升了分辨力，从而能够提高对准精度；另一方面有效利用了所述虚拟器件区，提高了晶圆的面积利用率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 形成 方法 及其 结构 | ||
【主权项】：
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