[发明专利]半导体形成方法及其结构有效
| 申请号： | 201910392044.6 | 申请日： | 2019-05-10 |
| 公开（公告）号： | CN111916425B | 公开（公告）日： | 2022-12-16 |
| 发明（设计）人： | 熊鹏 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;H01L21/67;G03F9/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 形成 方法 及其 结构 | ||
1.一种半导体形成方法，其特征在于，包括：
提供芯片，所述芯片具有虚拟器件区；
在所述虚拟器件区形成对准标记；
所述对准标记包括用于对准第一方向的第一对准标识以及用于对准第二方向的第二对准标识；
所述第一对准标识、第二对准标识分别由光栅组构成，所述光栅组由等间距的光栅凹槽。
2.如权利要求1所述形成方法，其特征在于，所述第一对准标识与所述第二对准标识位于所述虚拟器件区的不同位置。
3.如权利要求2所述形成方法，其特征在于，所述第一对准标识与所述第二对准标识位于所述虚拟器件区的拐角处。
4.如权利要求1所述形成方法，其特征在于，所述第一对准标识与所述第二对准标识相垂直。
5.如权利要求4所述形成方法，其特征在于，所述第一对准标识为中心对称图形，所述第二对准标识为中心对称图形。
6.如权利要求1所述形成方法，其特征在于，所述光栅凹槽的间距为0.1μm-1μm。
7.如权利要求1所述形成方法，其特征在于，所述光栅凹槽的深度为
8.如权利要求1所述形成方法，其特征在于，所述光栅凹槽为矩形，所述光栅凹槽的长度为10μm-30μm；所述光栅凹槽的宽度为0.1μm-1μm。
9.如权利要求1所述形成方法，其特征在于，在所述虚拟器件区形成所述对准标记包括步骤：
在所述虚拟器件区形成光刻胶层；
将对准标记图形转移至所述光刻胶层上；
以光刻胶层为掩膜，刻蚀所述光刻胶层下的膜层，形成所述对准标记。
10.一种采用权利要求1～9任一方法形成的半导体结构，其特征在于，包括：
芯片，所述芯片具有虚拟器件区；
对准标记，位于所述虚拟器件区内；
所述对准标记包括用于对准第一方向的第一对准标识以及用于对准第二方向的第二对准标识；
所述第一对准标识、第二对准标识分别由光栅组构成，所述光栅组由等间距的光栅凹槽。
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