[发明专利]半导体形成方法及其结构

说明书

一种半导体形成方法及其结构，形成方法包括：提供芯片，所述芯片具有虚拟器件区；将所述对准标记形成在所述虚拟器件区形，所述对准标记与原先所在的切割道内的其他对准图案相分开，不仅满足对准要求，而且使得曝光装置更容易能识别到所述对准标记，减小了光干涉计之间的干扰，提升了分辨力，从而能够提高对准精度；另一方面有效利用了所述虚拟器件区，提高了晶圆的面积利用率。

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，特别涉及一种半导体形成方法及其结构。

背景技术

在半导体领域中，随着关键尺寸技术的提高，半导体工艺的精准度与工艺的控制也变得更加重要。在制造半导体芯片的工艺中，最重要的工艺过程就是光刻，所述光刻即是通过对准、曝光、刻蚀等一系列步骤将掩膜图形转移到晶圆上的工艺过程；因此光刻工艺直接影响到最后形成的芯片结构性能。

在光刻过程中，为使掩膜图案正确转移到晶圆上，关键的步骤是将掩膜与晶圆对准，即计算掩膜相对与晶圆的位置，以满足套刻精度的要求。当特征尺寸越来越小时，对套刻精度的要求以及由此产生的对对准精度的要求也越来越高，目前所说的光刻对准工艺一般分为粗对准和精对准。

当晶圆被送入光刻装置后，光刻装置会将掩膜版与晶圆对准，即精对准；精对准标记一般是一些相互平行的，具有一定间隔的光栅结构。所述精对准标记通常都是设置在晶圆的切割道上；然而由于现在14nm甚至更高的技术节点中，会大量增加越来越多的标记图案，这些标记图案会占用切割道的位置，会使得单片晶圆上能够有效放置芯片的数量减少，导致晶圆的利用率变低。

因此，急需一种方法能够提高单片晶圆上有效芯片的数量。

发明内容

本发明解决的问题是现有的单片晶圆的利用效率低，有效芯片的数量少。

为解决上述问题，本发明提供一种半导体形成方法，包括提供芯片，所述芯片具有虚拟器件区；在所述虚拟器件区形成对准标记。

可选的，所述对准标记包括用于对准第一方向的第一对准标识以及用于对准第二方向的第二对准标识。

可选的，所述第一对准标识与所述第二对准标识位于所述虚拟器件区的不同位置。

可选的，所述第一对准标识与所述第二对准标识位于所述虚拟器件区的拐角处。

可选的，所述第一对准标识与所述第二对准标识相垂直。

可选的，所述第一对准标识为中心对称图形，所述第二对准标识为中心对称图形。

可选的，所述第一对准标识、第二对准标识分别由光栅组构成，所述光栅组由等间距的光栅凹槽组成。

可选的，所述光栅凹槽的间距为0.1μm-1μm。

可选的，所述光栅凹槽的深度为

可选的，所述光栅凹槽为矩形，所述光栅凹槽的长度为10μm-30μm；所述光栅凹槽的宽度为0.1μm-1μm。

可选的，在所述虚拟器件区形成所述对准标记包括步骤：在所述虚拟器件区形成光刻胶层；将对准标记图形转移至所述光刻胶层上；以光刻胶层为掩膜，刻蚀所述光刻胶层下的膜层，形成所述对准标记。

还提供一种半导体结构，包括：芯片，所述芯片具有虚拟器件区；对准标记，位于所述虚拟器件区内。

与现有技术相比，本发明的技术方案具有以下优点：

在所述虚拟器件区形成对准标记，当芯片被送入光刻装置后，照明光会照射在所述对准标记上并发生衍射，对所述衍射光的信息进行采集，确定对准中心位置，一方面满足对准要求，并且将对准标记与其他对准标记图案分开后，提高了对准精度；另一方面有效利用了所述虚拟器件区，提高了晶圆的面积利用率。

附图说明