[实用新型]一种半导体储存器结构有效
申请号: | 201820951386.8 | 申请日: | 2018-06-20 |
公开(公告)号: | CN208368506U | 公开(公告)日: | 2019-01-11 |
发明(设计)人: | 不公告发明人 | 申请(专利权)人: | 长鑫存储技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/108 | 分类号: | H01L27/108;H01L21/8242 |
代理公司: | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 刘星 |
地址: | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本实用新型提供一种半导体储存器结构,包括衬底、一刻蚀终止层的多个位线接触隔离部、一接触材料的多个位线接触部及多条位线,其中,多个位线接触隔离部在衬底中隔离出多个位线接触区,在一延伸方向上,衬底的位线接触区的上表面和位线接触隔离部的顶面和侧面构成为一具有高度差的接触材料形成表面,多个所述位线接触部设置于位线接触区上,位线接触部之间藉由位线接触隔离部隔离,每条位线的底面分别与多个位线接触部的顶面连接。本实用新型的半导体储存器结构能实现位线接触部在沉积阶段就被位线接触隔离部隔离开,避免因接触材料未被蚀刻完全导致位线短路的情况,并增加后续位线蚀刻的制程窗口,同时预防因接触材料过刻蚀引起位线接触的阻值增大。 | ||
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【主权项】:
1.一种半导体储存器结构,其特征在于,包括:衬底;一刻蚀终止层的多个位线接触隔离部,分立设置于所述衬底上,以在所述衬底中隔离出多个位线接触区,在一延伸方向上,所述衬底的位线接触区的上表面和所述位线接触隔离部的顶面和侧面构成为一具有高度差的接触材料形成表面;一接触材料的多个位线接触部,设置于所述位线接触区上,在所述延伸方向上,所述位线接触部之间藉由所述位线接触隔离部隔离,且所述位线接触部与所述位线接触隔离部分立设置;多条位线,每条所述位线的底面分别与多个所述位线接触部的顶面连接。
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- 本发明公开一种半导体存储装置的制作方法,包括下列步骤。在一半导体基底上形成多个位线结构,且在多个位线结构之间形成多个存储节点接触。存储节点接触的方法包括于半导体基底上形成多个导电图案,并对导电图案进行一回蚀刻制作工艺,用以降低导电图案的高度。在多个导电图案之间形成多个隔离图案,且隔离图案于形成导电图案的步骤之后以及回蚀刻制作工艺之前形成。本发明的制作方法是利用先形成导电图案再于导电图案之间形成隔离图案的方式来形成存储节点接触,由此达到制作工艺简化以及制作工艺良率提升的效果。
- 集成存储器、集成组合件及形成存储器阵列的方法-201780082408.X
- D·V·N·拉马斯瓦米 - 美光科技公司
- 2017-12-13 - 2019-08-23 - H01L27/108
- 一些实施例包含具有电容器阵列的集成存储器。所述阵列具有边缘。沿所述边缘的所述电容器是边缘电容器,且所述其它电容器是内部电容器。所述边缘电容器具有面向所述内部电容器的内边缘,且具有与所述内边缘成对置关系的外边缘。绝缘梁横向延伸在所述电容器之间。所述绝缘梁沿所述电容器的上区域。第一空隙区域位于所述绝缘梁下方,沿所述内部电容器的下区域,且沿所述边缘电容器的所述内边缘。所述绝缘梁的外围延伸部从所述边缘电容器向外横向延伸,且第二空隙区域位于所述外围延伸部下方且沿所述边缘电容器的所述外边缘。一些实施例包含具有彼此上下堆叠的两个或更多个存储器阵列组的集成组合件。一些实施例包含形成存储器阵列的方法。
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的