[发明专利]动态随机存取存储器有效
申请号: | 201510734345.4 | 申请日: | 2015-11-03 |
公开(公告)号: | CN106653754B | 公开(公告)日: | 2019-09-17 |
发明(设计)人: | 林志豪 | 申请(专利权)人: | 华邦电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/108 | 分类号: | H01L27/108;H01L21/762;H01L21/768 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 马雯雯;臧建明 |
地址: | 中国台湾台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明提供一种动态随机存取存储器,包括基底、多个隔离结构、多条埋入式字元线、多条位元线及多个电容器。基底包括多个主动区,主动区被配置成带状且排列成阵列。多个隔离结构设置于基底的沟渠中,各隔离结构设置于两个相邻主动区之间。埋入式字元线沿第一方向平行设置于基底的沟渠中,每一埋入式字元线将排列成同一列的主动区分为第一接触区与第二接触区。位元线沿第二方向平行设置于基底上,且横跨埋入式字元线。主动区的长边方向与第二方向呈现非正交,每一位元线连接排列成同一行的主动区的第一接触区。电容器分别电性连接主动区的第二接触区。因此可有效减少记忆单元间的干扰问题,并增加制程裕度。 | ||
搜索关键词: | 动态 随机存取存储器 | ||
【主权项】:
1.一种动态随机存取存储器,其特征在于,包括:一基底,包括多个主动区,所述主动区被配置成带状且排列成一阵列;多个隔离结构,设置于所述基底的沟渠中,每一所述隔离结构设置于两个相邻的所述主动区之间;多条埋入式字元线,沿一第一方向平行设置于所述基底的沟渠中,每一所述埋入式字元线将排列成同一列的所述主动区分为一第一接触区与一第二接触区;多条位元线,沿一第二方向平行设置于所述基底上,且横跨所述埋入式字元线,所述主动区的长边方向与所述第二方向呈现非正交,且每一所述位元线连接排列成同一行的所述主动区的所述第一接触区;多个电容器,分别电性连接所述主动区的所述第二接触区;以及多个位元线接触窗,位于所述位元线与所述第一接触区之间,以电性连接所述位元线与所述第一接触区,其中每一所述主动区仅与一条所述埋入式字元线相交。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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