[实用新型]集成电路有效

申请号：	201820039754.1	申请日：	2018-01-10
公开（公告）号：	CN208368507U	公开（公告）日：	2019-01-11
发明（设计）人：	J·M·雷诺;L·斯塔克;F·卡克林	申请（专利权）人：	意法半导体(R&D)有限公司
主分类号：	H01L27/142	分类号：	H01L27/142
代理公司：	北京市金杜律师事务所 11256	代理人：	王茂华
地址：	英国白***	国省代码：	英国;GB
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摘要：	集成电路包括衬底以及在衬底上实现的至少一个光伏电池。至少一个光伏电池被配置为生成电源电压。电路在衬底上实现。电路由电源电压供电。至少一个光伏电池可以包括多个串联连接的光伏电池。
搜索关键词：	光伏电池衬底电源电压集成电路电路供电配置
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【主权项】：

1.一种集成电路，其特征在于，包括：衬底；在所述衬底上实现的光伏电池，所述光伏电池被配置为生成电源电压；以及在所述衬底上实现的有源电路装置，所述有源电路装置由所述电源电压供电。

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摘要：本发明适用于光电领域，提供了一种制作集成多种光电器件的基材结构及其制作方法，该基材结构包括：衬底；通过外延生长于衬底上的第一接触层；通过外延生长于第一接触层上的包层；通过外延生长于包层上的第二接触层；通过外延生长于第二接触层上的有源区；通过外延生长于有源区上的第三接触层；通过沉积形成于第三接触层上的无定型硅波导；第一接触层、第二接触层以及包层的导电类型均相同，第三接触层与第一接触层的导电类型相反。本发明提供的制作集成多种光电器件的基材结构能够同时制成集成的多种光电器件，避免使用键合技术和昂贵的SOI衬底实现光电互联，制作工艺简单，有利于大规模低成本生产。

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摘要：集成电路包括衬底以及在衬底上实现的至少一个光伏电池。至少一个光伏电池被配置为生成电源电压。电路在衬底上实现。电路由电源电压供电。至少一个光伏电池可以包括多个串联连接的光伏电池。

感光像素结构、感光显示面板和手机-201820096973.3
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摘要：本实用新型公开了一种感光像素结构、感光显示面板和手机。一种感光像素结构，包括：发光区；非发光区；光伏感应模块，设置于所述非发光区靠近所述发光区的一侧，用于感应外界光强变化。通过将光伏感应模块设置于感光像素结构，省去了感光装置占用终端产品非显示区边框的面积，从而能够减少非显示区边框的宽度，增加显示区的面积。

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摘要：本发明涉及一种增强吸收的光热探测器,包括热敏感线,所述热敏感线的左右两侧设置有正/负电极，所述热敏感线上还设置有孔洞，所述孔洞内填充有光吸收介质；该增强吸收的光热探测器，解决了现有的光热探测器存在对光的吸收率较低,探测器响应速度较慢的问题，通过在热敏感线中，制备孔洞，并在孔洞中填充对光有更好吸收效果光吸收介质，所吸收的光能够更快更多的转化为热能，从而提高对光的检测敏感度，使得该光探测器响应速度显著提高。

一种具有三维堆栈／壕沟复合结构的集成能量采集存储器-201510349262.3
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摘要：本发明公开了一种具有三维堆栈／壕沟复合结构的集成能量采集存储器，其将能量采集存储器集成在具有PN结的衬底上。其中，PN结的P型半导体区和N型半导体区分别连接有金属电极，作为能量采集器；在与PN结相反一面的衬底上，设置有三维堆栈/壕沟复合结构，作为能量存储器；所述复合结构具体为：在衬底上先设置三维壕沟结构，然后在具有壕沟结构的衬底上交替沉积金属层和介质层，形成多个并联的电容器，最后顶部为金属层并填满壕沟和覆盖住衬底表面，顶部金属层与底部金属层分别连接有金属电极。本发明的三维结构设计能提高存储器容量、降低成本、缩小体积；并且其制备工艺流程简单，能与低成本集成电路工艺兼容。

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摘要：本发明的射频收发机中的多晶硅纳米薄膜热电偶微型能量收集器，主要由衬底、水平放置的热电堆和散热金属板构成；其中，硅衬底的特定区域通过深反应离子刻蚀技术刻孔，作为上方第一氮化硅薄膜8的支撑结构和传热结构；热电堆的一端位于硅衬底上，另一端位于薄膜结构的中央；热电堆是由许多热电偶串联而成，而每个热电偶又由N型多晶硅纳米薄膜和P型多晶硅纳米薄膜构成，因多晶硅纳米薄膜的热导率远低于传统体材料，提高了器件的热电转换效率；两个半导体臂之间采用Au作为互联金属，同时制作了多个测试电极；在热电堆的上方，通过牺牲层释放制作出的空腔结构，空腔的上方为金属板，与热电堆之间隔有第二氮化硅薄膜。

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摘要：本发明涉及一种用于制造串联连接的光电元件的方法以及按照该方法制造的相互连接的光电元件。在第一步骤中，制作非导电层，其带有所引入的光电材料以及至少一条位于该层中的第一走线或线材(2)。优选地，所述光电材料是核或者粒子的形式。所述第一走线或线材(2)既可以从初始时就是可导电的也可以后来进行这样的处理，使得该第一走线或线材通过该处理变成可导电的。所述层的第一和第二有源光电区域(1a、1b、1c)与所述第一走线或线材(2)电性连接，使得它们能够彼此串联地电性连接。通过所述走线，可以以简单的方式划分所述层的区域，由此通过技术上简单的方式获得多个光电元件。由此可以进行连续的制造。

倒装结构的激光光伏电池及其制作方法-201310060831.3
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申请日： 2013-02-27 - 公布日： 2017-10-24 - 主分类号： H01L27/142
摘要：本申请公开了一种倒装结构的激光光伏电池，所述的光伏电池包括第二绝缘衬底以及位于所述第二绝缘衬底上的外延层，所述的外延层包括依次形成于所述第二绝缘衬底上的负电极、N型导电层、P/N结电池、P型窗口层和P型接触层。本申请还公开了上述倒装结构的激光电池的制作方法。本申请的激光电池，大大降低了串联电阻，改善了电池的散热性能，从而提高光伏电池的转换效率，剥离掉的第一衬底可重复利用，降低了成本。

具有高转换效率的光伏组件-201380054434.3
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申请日： 2013-09-27 - 公布日： 2017-09-29 - 主分类号： H01L27/142
摘要：根据一个方面，本发明涉及一种光伏组件(100)，该光伏组件(100)包括光伏纳米电池(101)的至少一个第一阵列，这些光伏纳米电池(101)分别包含在第一共振光谱带中表现电磁共振的光学纳米天线，光学纳米天线的至少一个横向尺寸在尺寸上为亚波长；和允许太阳光谱的至少一部分被转换成所述第一共振光谱带的光谱转换层(107)。

具有两个刻蚀步骤P1和P3的用于制造光伏模块的方法及相应的光伏模块-201380013518.2
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申请日： 2013-01-09 - 公布日： 2017-05-03 - 主分类号： H01L27/142
摘要：本发明涉及一种用于制造光伏模块的方法，所述光伏模块包括薄层结构中的多个太阳能电池，其中，在所述结构中相继地产生下述部分背面电极(41)、光伏层(43)以及另一个半导体层(44)，所述光伏层通过对包括金属前驱和Se和S之中的至少一种元素的组分进行沉积并且进行热处理将这些组分转化为半导体材料而获得，所述另一个半导体(44)层用于与所述光伏层(43)形成pn结；其特征在于，所述金属前驱在所述背面电极(41)上形成连续的层，而所述至少一种元素形成具有至少一个缺口的层，使得在热处理步骤结束时能够于所述缺口处在金属前驱层中保留金属状态的区域(430)。

一种含碳素材料的光电转化装置-201610997037.5
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摘要：本发明公布了一种基于碳素材料的光电转化装置及其制备方法，该装置包括石墨烯天线和金属‑绝缘体‑金属（MIM）二极管。MIM二极管为两个电极中间夹一层无晶体形态的纳米级厚度的绝缘体的三明治结构，其中第二电极包含一层基于碳素材料的纳米薄膜。石墨烯薄膜天线能够对可见光或者太赫兹波进行共振吸收，形成交流电，在两个电极所加载的偏置电压的作用下，通过MIM二极管的电子隧穿效应转化为直流电输出。碳素材料的优异性能能够降低天线损耗，提高光电转化率及二极管的效率。

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摘要：本实用新型涉及光伏旁路二极管集成模块，包括封装体以及设置在封装体内的第一料片、第二料片、第三料片以及第四料片，所述第一料片包括第一连接片、第一引脚以及第一接线片，所述第二料片包括第二主连接片、第二副连接片以及第二接线片，所述第三料片包括第三主连接片、第三副连接片以及第三接线片，所述第四料片包括第四连接片、第四引脚以及第四接线片，所述第一连接片与第二副连接片之间、第二主连接片与第三副连接片之间以及第三主连接片与第四连接片之间均焊接有半导体芯片，所述第一引脚、第一接线片、第二接线片、第三接线片、第四接线片以及第四引脚均伸出封装体，本实用新型安装方便快速，节约了时间，而且占用空间小，降低了成本。

一种新型防误装可利用太阳能的IC芯片-201620357161.0
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申请日： 2016-04-26 - 公布日： 2016-11-23 - 主分类号： H01L27/142
摘要：一种新型防误装可利用太阳能的IC芯片，其特征在于：包括芯片外壳体、太阳能电池板、第一防误装凹槽和第二防误装凹槽，芯片外壳体上表面上设置有太阳能电池板，芯片外壳体一侧边上设置有第一防误装凹槽，芯片外壳体下侧边上设置有第二防误装凹槽，芯片外壳体两侧面上对称设置有芯片引脚，芯片外壳体两侧面上对称设置有散热孔，芯片外壳体内部设置有内置半导体芯片，芯片外壳体下表面上设置有外壳体封装底板。有益效果在于：散热性能更好，防止在大功率工作条件下的烧毁电路状况的发生，能够利用太阳能转化为电能供电，无需外置电源，安装简单方便，能够防止安装错误。

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摘要：提出一种具有半导体本体（2）的光电半导体芯片（1），所述半导体本体具有带有设为用于产生电能的有源区域（20）的半导体层序列。有源区域（20）构成在第一导电类型的第一半导体层（21）和不同于第一导电类型的第二导电类型的第二半导体层（22）之间。半导体本体（2）设置在载体本体（5）上。第一半导体层（21）设置在第二半导体层（22）的背离载体本体（5）的一侧上。半导体本体（2）具有至少一个凹部（25），所述凹部从载体本体（5）延伸穿过第二半导体层（22）。至少局部地在载体本体（5）和半导体本体（2）之间设置有第一连接结构（31），所述第一连接结构在凹部（25）中与第一半导体层（21）导电地连接。

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摘要：本实用新型的实施例提供一种紫外传感器及电子设备，涉及电子设备制造领域，可提高电子设备的续航能力。该紫外传感器，包括衬底、设置在所述衬底上的至少一个太阳能电池、以及至少一个紫外线检测元件；其中，所述太阳能电池和所述紫外线检测元件之间相互绝缘。用于智能穿戴电子设备。

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摘要：本实用新型涉及太阳能电池领域，主要公开了一种集成二极管式太阳电池。该集成二极管式太阳电池包括电池主体，旁路二极管以及位于所述电池主体与所述旁路二极管之间的隔离槽；所述电池主体由下至上依次包括：下电极层，P型Ge衬底，Ge外延层，GaInP外延层，GaAs子电池，GaInP子电池以及上电极层；所述旁路二极管由下至上依次包括：下电极层，P型Ge衬底，Ge外延层，位于所述Ge外延层周边的胶膜以及上电极层；所述隔离槽由下至上包括：下电极层和P型Ge衬底。本实用新型的有益效果是：由于旁路二极管采用Ge外延层的单一PN结结构，所以有效降低其开启电压和热损耗，从而易于其启动并产热少，从而保证本实用新型在工作过程中具有更高的可靠性。

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摘要：本发明公开了一种阵列基板及其制作方法，该阵列基板包括：基底；太阳能电池，设置于该基底上；绝缘层，设置于太阳能电池上；阵列电路，设置于绝缘层上，其中，太阳能电池与阵列基板对应的彩色滤光片上的黑色矩阵层对应且图案相同。本发明通过在阵列基板上设置太阳能电池，可以回收背光能源，提高背光源利用率，降低面板功耗。

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摘要：本发明涉及一种显示面板及其制备方法和显示装置。所述显示面板包括显示区和非显示区，所述非显示区中被光照射的区域设置有光电池组件，所述光电池组件用于在被光照射时产生电能。所述光电池组件被光照射产生电能，可以提供给显示面板进行显示或其他方面，这样可以减少显示装置的能耗，提高电量的利用率，同时，在向显示装置供电的电源的电量一定的情况下，可以提高显示装置的续航时间。

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申请日： 2014-03-15 - 公布日： 2015-11-25 - 主分类号： H01L27/142
摘要：形成一种光伏PV模块，其具有光伏电池的阵列，其中所述电池通过间隙分开。每一电池含有并联连接的小硅球体二极管(直径为10微米到300微米)的阵列。可通过印刷来图案化所述二极管及导体层。连续金属衬底支撑所有所述电池中的所述二极管及导体层。将电介质衬底层压到所述金属衬底。接着，通过围绕所述电池激光烧蚀而形成沟槽以切断所述金属衬底，以形成电隔离的光伏电池。接着，执行金属化步骤以串联连接所述电池，以增大所述光伏模块的电压输出。还通过所述沟槽形成步骤形成每一电池的电隔离旁路二极管。所述金属化步骤以反并联关系连接所述旁路二极管与其相关联电池。

一种具有三维堆栈/壕沟复合结构的集成能量采集存储器-201520437819.4
发明人：陈远宁;戴征武;章伟聪 -专利权人：宁波微能物联科技有限公司
申请日： 2015-06-23 - 公布日： 2015-10-21 - 主分类号： H01L27/142
摘要：本实用新型公开了一种具有三维堆栈/壕沟复合结构的集成能量采集存储器，其将能量采集存储器集成在具有PN结的衬底上。其中，PN结的P型半导体区和N型半导体区分别连接有金属电极，作为能量采集器；在与PN结相反一面的衬底上，设置有三维堆栈/壕沟复合结构，作为能量存储器；所述复合结构具体为：在衬底上先设置三维壕沟结构，然后在具有壕沟结构的衬底上交替沉积金属层和介质层，形成多个并联的电容器，最后顶部为金属层并填满壕沟和覆盖住衬底表面，顶部金属层与底部金属层分别连接有金属电极。本实用新型的三维结构设计能提高存储器容量、降低成本、缩小体积；并且其制备工艺流程简单，能与低成本集成电路工艺兼容。

一体式能量采集与存储器件结构-201520235047.6
发明人：陈远宁;戴征武 -专利权人：宁波微能物联科技有限公司
申请日： 2015-04-17 - 公布日： 2015-09-16 - 主分类号： H01L27/142
摘要：本实用新型涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种一体式能量采集与存储器件结构，于一衬底的正面表面上制备有离子掺杂区和金属连接线，以作为能量采集器；且该衬底的背面表面上还制备有由多层金属层构成的堆栈式能量存储器，即基于同一衬底，将能量采集器与能量存储器集成为一体的堆栈式三维结构，以有效的降低半导体器件的体积。

专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的

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[实用新型]集成电路有效

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