[发明专利]层间膜的沉积方法

摘要

本发明公开了一种层间膜的沉积方法，包括步骤：步骤一、将晶圆放置在层间膜的沉积工艺腔中并定位在第一角度。步骤二、进行第一次层间膜沉积形成第一部分层间膜。步骤三、将晶圆在沉积工艺腔的角度变换到第二角度。步骤四、进行第二次层间膜沉积形成第二部分层间膜。步骤五、重复0次以上的步骤三的角度变换和步骤四的层间膜沉积继续叠加0层以上的后续部分层间膜，由各部分层间膜叠加形成所需厚度的层间膜。本发明能提高单沉积工艺腔沉积的层间膜的厚度的面内均匀性，且工艺简单，成本低，能避免工艺腔之间的交叉污染，能提高工艺腔的利用率、提高生产效率以及出货量。

主权项

1.一种层间膜的沉积方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、提供一由半导体衬底组成的晶圆，将所述晶圆放置在层间膜的沉积工艺腔中并定位在第一角度；步骤二、进行第一次层间膜沉积在所述晶圆表面形成第一部分层间膜；步骤三、将所述晶圆在所述沉积工艺腔的角度变换到第二角度；步骤四、进行第二次层间膜沉积在所述晶圆的所述第一部分层间膜表面形成第二部分层间膜；步骤五、重复0次以上的步骤三的角度变换和步骤四的层间膜沉积在所述第二部分层间膜的表面上继续叠加0层以上的后续部分层间膜，由所述第一部分层间膜、所述第二部分层间膜和各后续部分层间膜叠加形成所需厚度的层间膜；所述沉积工艺腔的单次层间膜沉积工艺在所述沉积工艺腔的各位置的形成速率趋于固定且各位置之间的形成速率具有差别从而使所述沉积工艺腔的单次层间膜沉积工艺形成的单次层间膜的厚度面内均匀性较差，利用转动所述晶圆的角度使各角度位置对应形成的部分层间膜之间的厚度产生互补并使所述层间膜的厚度面内均匀性提高。