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[发明专利]半导体装置的制造方法、记录介质及基板处理装置-CN202080104617.1在审
发明人：小川有人;栗林幸永 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2020-09-18 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：能够提高含金属膜的电特性、生产率中的至少任一者。本发明具有：(a)将基板收纳于处理容器的工序；(b)对基板供给含金属气体的工序；(c)对基板供给第一还原气体的工序；(d)对基板供给与第一还原气体不同的第二还原气体的工序，通过进行1次以上的(b)、(c)和(d)，在基板上形成含金属膜。
半导体装置制造方法记录介质处理

[发明专利]半导体装置的制造方法、记录介质以及基板处理装置-CN202080103432.9在审
发明人： 栗林幸永;小川有人 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2020-09-23 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：能够改善含钼膜的表面粗糙度，并且抑制来自基底的扩散。具有(a)将基板收容于处理容器的工序；(b)将基板加热至445℃以上且505℃以下的工序；(c)对基板供给含钼气体的工序；以及(d)对基板供给还原气体的工序，(e)在(b)之后，进行1次以上的(c)和(d)，由此在基板上形成含钼膜。
半导体装置制造方法记录介质以及处理

[发明专利]半导体装置的制造方法、记录介质以及基板处理装置-CN202080103424.4在审
发明人： 栗林幸永;水野谦和;小川有人 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2020-09-23 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：能够抑制金属元素从含钼膜的基底金属膜扩散，并且能够提高生产率。具有如下工序：(a)将基板收纳于处理室；(b1)将基板调整为第一温度；(b2)对基板供给含钼气体；(b3)对基板供给第一时间的还原气体；(b4)在(b1)之后，通过进行1次以上的(b2)和(b3)，在基板上形成第一含钼膜；(c1)在(b4)之后，将基板调整为第二温度；(c2)对基板供给含钼气体；(c3)对基板供给第二时间的还原气体；以及(c4)在(c1)之后，通过进行1次以上的(c2)和(c3)，在第一含钼膜上形成第二含钼膜。
半导体装置制造方法记录介质以及处理

[发明专利]衬底处理方法、记录介质、衬底处理装置和半导体器件的制造方法-CN202210864560.6在审
发明人： 栗林幸永;小川有人;水野谦和 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2022-07-21 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H01L21/285 文献下载
摘要：本发明涉及衬底处理方法、记录介质、衬底处理装置和半导体器件的制造方法。提供抑制含有金属元素的膜的电阻增加的技术。具有：(a)向收容于处理容器内的衬底供给含金属元素的气体的工序；(b)向衬底供给还原气体的工序；(c)通过将(a)和(b)进行规定次数，从而在衬底上形成含有金属元素的膜的工序；(d)在(c)之后，向膜供给改性气体，在膜的表面形成包含改性气体所含有的元素的层的工序；和(e)在(d)之后，使处理容器内、以及与处理容器邻接的移载室内为稀有气体气氛，将衬底从处理容器搬出至移载室内的工序。
衬底处理方法记录介质装置半导体器件制造

[发明专利]基板处理装置和方法、半导体器件的制造方法及记录介质-CN202210138220.5在审
发明人： 栗林幸永;上田立志;山本克彦 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2022-02-15 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： H01L21/687 文献下载
摘要：本发明涉及一种基板处理装置和方法、半导体器件的制造方法及记录介质。提供一种能够对在基板支承部的基板载置面内的外周部分较薄地沉积的膜进行清洗的基板处理装置。基板处理装置具备：对产品基板进行处理的处理室；设于处理室内、且具有供所述产品基板载置的基板载置面的基板支承部；在基板载置面载置有产品基板的状态下向处理室供给处理气体的处理气体供给部；以及在基板载置面载置有虚设基板的状态下供给清洗气体的清洗气体供给部，虚设基板构成为在支承于基板载置面的状态下虚设基板的外周不与基板载置面接触。
处理装置方法半导体器件制造记录介质

[发明专利]半导体装置的制造方法、基板处理装置和记录介质-CN202111101803.2在审
发明人：定田拓也;小川有人;水野谦和;早坂省吾;栗林幸永 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2021-09-18 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： C23C16/34 文献下载
摘要：本发明提供半导体装置的制造方法、基板处理装置和记录介质。本发明能够形成具有平坦性的膜。本发明的半导体装置的制造方法具有：(a)对于处理室内的基板供给含有第一元素的气体的工序，(b)对于所述基板多次供给第一还原气体的工序，(c)将(a)和(b)依次执行1次以上，对于所述基板形成第一层的工序，以及(d)在(c)之后，进行以下(e)工序、(f)工序和(g)工序的工序，(e)对于所述基板供给含有第二元素的气体的工序，(f)对于所述基板供给第二还原气体的工序，和(g)将(e)和(f)依次执行1次以上，在所述第一层之上形成第二层的工序。
半导体装置制造方法处理记录介质

[发明专利]半导体器件的制造方法、记录介质及衬底处理装置-CN202110107065.6在审
发明人： 栗林幸永;小川有人;清野笃郎 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2021-01-26 - 公布日： 2021-08-03 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件的制造方法、记录介质及衬底处理装置。能够降低钼膜的成膜阻碍因素。半导体器件的制造方法具有下述工序：工序(a)，向处理室内的衬底供给含有钼和氧的含钼气体；工序(b)，向衬底供给含有氢的添加气体；和工序(c)，向衬底供给含有氢且化学组成与添加气体不同的还原气体的工序，将工序(a)、工序(b)、工序(c)同时或依次进行一次以上，在衬底上形成钼膜。
半导体器件制造方法记录介质衬底处理装置

[发明专利]基板处理装置、半导体装置的制造方法、基板处理装置的清洗方法以及存储介质-CN202011000752.X在审
发明人：江端慎也;栗林幸永;野田孝晓 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2020-09-22 - 公布日： 2021-03-26 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供基板处理装置、半导体装置的制造方法、基板处理装置的清洗方法以及存储介质，提高清洁处理的效率。基板处理装置具有：反应容器，其具有可存取基板的开口；加热器，其在反应容器的外部以不堵塞开口的方式设置，并朝向反应容器辐射热；盖，其堵塞开口；气体供给机构，其向反应容器内供给多个气体；以及冷却机构，其冷却反应容器的开口侧，通过气体供给机构供给不同的两种清洁气体、气体供给机构从不同的两部位供给清洁气体、以及加热器和冷却机构使反应容器的内表面的温度在中心侧和开口侧不同中的至少一个，同时进行反应容器的开口侧和中心侧的内表面的清洁。
处理装置半导体制造方法清洗以及存储介质

[发明专利]清洁方法、半导体器件的制造方法、衬底处理装置以及记录介质-CN201710657423.4有效
发明人：山口天和;佐佐木隆史;栗林幸永 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2017-08-03 - 公布日： 2021-03-09 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供清洁方法、半导体器件的制造方法、衬底处理装置以及记录介质，抑制由清洁气体对排气管造成的损伤。清洁方法具有在处理容器内进行了在衬底上形成膜的处理之后，向处理容器内供给清洁气体而将附着于处理容器内的堆积物去除的工序，将堆积物去除的工序具有：第1工序，在该第1工序中，在将对处理容器内进行排气的排气管和处理容器连接的连接部的温度比第1温度低时，以第1流量向处理容器内供给清洁气体；和第2工序，在该第2工序中，当连接部的温度达到第1温度时，一边使清洁气体的流量从第1流量向比第1流量小的第2流量逐渐减少一边向处理容器内供给清洁气体。
清洁方法半导体器件制造衬底处理装置以及记录介质

[发明专利]清洁方法、半导体装置的制造方法、基板处理装置以及程序-CN201880089902.3在审
发明人：宫下直也;栗林幸永;谷山智志 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2018-12-28 - 公布日： 2020-10-13 - 主分类号： H01L21/31 文献下载
摘要：具有在处理容器内进行了在基板上形成膜的处理后，向上述处理容器内供给清洁气体将附着在上述处理容器内的堆积物除去的工序；在上述除去堆积物的工序中，依次反复进行：在向上述处理容器内供给上述清洁气体的同时由真空泵进行排气以维持预定的第一压力的第一工序，停止供给上述清洁气体并对上述处理容器内的上述清洁气体和由上述清洁气体引起的反应生成物进行排气的第二工序以及在维持上述处理容器内为比上述第一压力低的第二压力以下的同时对连接上述处理容器和上述真空泵的排气管进行冷却的第三工序；上述第三工序中，在上述排气管的温度达到上述第二温度以下时，不持续进行至达到上述第一温度以下而以预定时间完成上述冷却。
清洁方法半导体装置制造处理以及程序

[发明专利]清洗方法、半导体器件的制造方法、衬底处理装置及存储介质-CN201910480257.4在审
发明人： 栗林幸永;花岛建夫;宫岸宏幸;山岸裕人 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2019-06-03 - 公布日： 2019-12-10 - 主分类号： C23C16/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种清洗方法、半导体器件的制造方法、衬底处理装置、及存储介质。其技术问题在于，提高对衬底供给处理气体的供给部内的清洗处理的品质。为此，提供一种清洗方法，通过将包含(a)工序和(b)工序的循环进行规定次数来对供给部内进行清洗，上述(a)工序是在从供给部对衬底供给处理气体而对衬底进行了处理后，从供给部向处理完衬底后的处理容器内供给清洗气体及与清洗气体反应的添加气体中的某一方气体的工序；上述(b)工序是在停止一方气体的供给后，在一方气体的一部分残留在供给部内的状态下，从供给部向处理容器内供给清洗气体及添加气体中的与一方气体不同的另一方气体的工序。
供给部衬底清洗气体清洗处理气体处理容器添加气体衬底处理装置半导体器件存储介质清洗处理残留制造

[发明专利]对处理容器内的部件进行清洁的方法、半导体器件的制造方法、衬底处理装置、及记录介质-CN201910006604.X在审
发明人： 栗林幸永;龟田贤治;镰仓司;花岛建夫;平松宏朗;江端慎也;山岸裕人;久门佐多雄;佐佐木隆史;山口天和;西堂周平 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2019-01-03 - 公布日： 2019-08-30 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明涉及对处理容器内的部件进行清洁的方法、半导体器件的制造方法、衬底处理装置、及记录介质。本发明的课题为提高处理容器内的清洁处理的均匀性。通过将包括下述工序的循环进行规定次数，从而对处理容器内的部件进行清洁：工序(a)，从至少三个供给部中的任意两个供给部，分别向对衬底进行处理后的处理容器内分开地供给清洁气体、和与清洁气体反应的添加气体；和工序(b)，以使供给清洁气体的供给部及供给添加气体的供给部中的至少任一者与(a)中的那个供给部、或那些供给部不同的方式，分别从至少三个供给部中的任意两个供给部，向处理容器内分开地供给清洁气体和添加气体。
供给部处理容器清洁气体添加气体衬底处理装置半导体器件清洁清洁处理均匀性衬底制造

[发明专利]清洁方法、半导体器件的制造方法、衬底处理装置及介质-CN201710090562.3有效
发明人：永户雅也;栗林幸永;龟田贤治 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2017-02-20 - 公布日： 2019-08-30 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本发明涉及清洁方法、半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质。提高进行了形成膜的处理后的处理室内的清洁效率。对进行了在衬底上形成膜的处理后的处理室内进行清洁的方法，包括：向加热至第一温度的处理室内供给包含氢和氟的气体的工序；使处理室内的温度升温至比第一温度高的第二温度的工序；和向加热至第二温度的处理室内供给包含氟的气体的工序，其中，第一温度设为包含氟的气体不发生活化的温度，第二温度设为包含氟的气体发生活化的温度。
清洁方法半导体器件制造衬底处理装置介质

[发明专利]半导体器件的制造方法和衬底制造方法以及衬底处理装置-CN201180009955.8有效
发明人：佐佐木隆史;今井义则;栗林幸永;中嶋定夫 -专利权人：株式会社日立国际电气
申请日： 2011-02-22 - 公布日： 2012-10-31 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明通过提供一种半导体器件的制造方法而解决问题，该半导体器件的制造方法是衬底处理装置的半导体器件的制造方法，该衬底处理装置包括：反应室，以规定的间隔层叠多张衬底；第1气体供给喷嘴，在用于层叠多张衬底的区域上具有1个以上的第1气体供给口；以及第2气体供给喷嘴，在用于层叠多张衬底的区域上具有1个以上的第2气体供给口，第1气体供给口的方向和第2气体供给口的方向被设置成在到达衬底之前交叉，其中，该半导体器件的制造方法具有以下的工序：将衬底搬入至反应室内的工序；从第1气体供给口向反应室内至少供给含硅气体和含氯气体、或含硅及氯的气体，从第2气体供给口向反应室内至少供给含碳气体和还原气体，从第1气体供给口或第2气体供给口向反应室内进一步供给杂质气体，在衬底上形成膜的工序；以及从反应室搬出衬底的工序。
半导体器件制造方法衬底以及处理装置

[发明专利]衬底处理装置、衬底的制造方法及半导体器件的制造方法-CN201110442414.6有效
发明人：白子贤治;福田正直;佐佐木隆史;今井义则;原大介;西堂周平;栗林幸永 -专利权人：株式会社日立国际电气
申请日： 2011-12-21 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： H01L21/04 文献下载
摘要：本发明涉及衬底处理装置、半导体器件的制造方法及衬底的制造方法。能够提高衬底(尤其是形成有SiC外延膜的衬底)的生产效率并且抑制膜向气体供给口的形成。通过下述衬底处理装置能够解决上述问题，该衬底处理装置包括：收容多个衬底的反应室；以覆盖所述反应室的方式设置，对所述处理室进行加热的加热部；以在所述反应室内延伸的方式设置的第一气体供给管，所述第一气体供给管具有：向所述多个衬底喷出第一气体的第一气体供给口；第一遮蔽壁，其以所述第一气体供给口露出的方式设在所述第一气体供给口的两侧，且从所述第一气体供给口向所述多个衬底延伸。
衬底处理装置制造方法半导体器件

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