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[发明专利]一种低表面能的派瑞林材料及其制备方法-CN202210401691.0有效
发明人：邓旭;刘佳欣;王德辉 -专利权人：电子科技大学;电子科技大学（深圳）高等研究院
申请日： 2022-04-18 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： C23C16/00 文献下载
摘要：本发明提供一种低表面能的派瑞林材料及其制备方法，基于现有的派瑞林材料，在保持其原有的优异物理化学性能的同时，降低其表面能，结合带有微纳米结构的基材，可使镀膜后的表面达到超疏水状态，实现在某些特定工作条件下自清洁的特性。该低表面能的派瑞林材料，由派瑞林原料和含氟试剂经化学气相沉积形成。其制备方法包括以下步骤：步骤1、将派瑞林原料和含氟试剂放入蒸发室；步骤2、给整个反应装置抽真空，保证反应在真空条件下发生；步骤3、先使裂解炉的温度升到690℃或650℃，再将蒸发室温度升到175℃；步骤4、原料反应后在室温的腔室内的基材上沉积成膜。
一种表面派瑞林材料及其制备方法

[发明专利]挠性覆铜板及其制备方法-CN202310233553.0在审
发明人：杨丽娟 -专利权人：深圳市信维通信股份有限公司
申请日： 2023-03-03 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： C23C16/00 文献下载
摘要：本申请实施例涉及挠性覆铜板技术领域，特别是涉及一种挠性覆铜板及其制备方法。在本申请的实施例中，挠性覆铜板包括第一铜箔层和聚对二甲苯层。其中，聚对二甲苯层不仅介电性能优异，且具有超高的耐温性、力学性能优异等特点。本申请实施例通过使用聚对二甲苯层作为挠性覆铜板的绝缘基材层，使得挠性覆铜板具备优异的介电性能，且挠性覆铜板能在高频条件下保持恒定的介电常数和超低的介电正切损耗值。同时，挠性覆铜板也具有优异的耐温性和力学性能。本申请实施例提供的挠性覆铜板可以广泛应用在对高频高速有特殊要求的电子领域，比如5G智能手机、雷达、航空航天设备和导航设备等领域。
挠性覆铜板及其制备方法

[发明专利]透明导电阻隔膜-CN202180069860.9在审
发明人： I·托卡列夫;C·J·弗林;M·K·W·博格斯;K·D·加勒特 -专利权人：伊士曼化工公司
申请日： 2021-07-21 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： C23C16/00 文献下载
摘要：本发明公开了透明导电阻隔膜，其包括聚合物基材；任选的在聚合物基材的顶部上的平坦化层，和在任选的平坦化层(如果存在的话)的顶部上或在聚合物基材的顶部上的至少一个成对层，所述成对层包括无机氧化物层和聚甲基戊二酰亚胺层。本发明的膜还在至少一个成对层的顶部上提供有导电层。
透明导电阻隔

[发明专利]甲硅烷基化低聚锗烷和多环硅-锗化合物、其制备方法及其用于制备含Si和Ge的固体的用途-CN202180057820.2在审
发明人： M·瓦格纳;B·科斯特勒;H-W·勒纳 -专利权人：约翰-沃尔福冈-歌德大学
申请日： 2021-06-01 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： C23C16/00 文献下载
摘要：本发明涉及式(Ia)或式(Ib)的化合物其制备方法；和所述化合物用于制备含Si和Ge的固体的用途。
硅烷基化低聚锗烷多环硅化合物制备方法及其用于 si ge 固体用途

[发明专利]有机材料的选择性沉积-CN202211186006.3在审
发明人： E.托伊斯;D.基亚佩;M.图米恩;V.马德希瓦拉;C.德泽拉;韩镕圭;A.钱德拉塞卡兰;邓少任 -专利权人： ASM IP私人控股有限公司
申请日： 2022-09-27 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： C23C16/00 文献下载
摘要：本公开涉及用于制造半导体装置的方法和设备。更具体地，本公开涉及用于在包括至少两个不同表面的基板上选择性沉积有机层的方法和设备。该方法包括在反应室中提供基板、在反应室中提供第一气相前体以及在反应室中提供第二气相前体。在该方法中，第一和第二气相前体相对于第二表面选择性地在第一表面上形成有机材料，并且第一气相前体包含二胺化合物，该二胺化合物包含至少五个碳原子以及连接到不相邻的碳原子上的胺基。
有机材料选择性沉积

[实用新型]一种热丝连接结构-CN202222159738.5有效
发明人：刘翠翠;代和松 -专利权人：江西汉可泛半导体技术有限公司
申请日： 2022-08-17 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： C23C16/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种热丝连接结构，包括导电杆和两根热丝，所述热丝一端可拆卸地设置在所述和导电杆上，所述热丝一端与电极连接。本实用新型中，利用导电杆和两根热丝连接，形成U型结构，能将U型结构底部形状变得精确，形状可控，利用此结构型式，可使镀膜均匀性趋于稳定，更能接近理论分析的结果，提高镀膜效率，同时结构简单，热丝安装和拆卸方便。
一种连接结构

[实用新型]一种用于半导体处理腔的上盖-CN202220904256.5有效
发明人：庞云玲;陶珩;丛海;姜勇 -专利权人：中微半导体设备（上海）股份有限公司
申请日： 2022-04-19 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： C23C16/00 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种用于半导体处理腔的上盖，半导体处理腔的上部包括一开孔，开孔上设置上盖，上盖与半导体处理腔形成一处理空间，一承压壳体包围并覆盖至少部分上盖，上盖与承压壳体形成一密闭空间，上盖设置在处理空间和密闭空间之间以实现两者的气密隔离，其中，上盖包括：位于上盖的中部的窗口和环绕窗口的外沿，窗口可透过热辐射，窗口包括位于其中心的窗口中心区和包围窗口中心区的窗口边缘区，窗口边缘区与外沿相连，窗口中心区与窗口边缘区的高度差小于等于28毫米，上盖可承受处理空间与密闭空间之间的压强差。所述上盖既能够保证半导体处理腔内气流的稳定性，又能够承受其内外的压强差。
一种用于半导体处理

[发明专利]管式PECVD硅片颜色值预测方法及镀膜时间控制方法-CN202211108366.1在审
发明人：张勇;王苏西;王新宝;赵张超;樊臻;严金银;马清清 -专利权人：江苏恒云太信息科技有限公司
申请日： 2022-09-13 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： C23C16/00 文献下载
摘要：本发明揭示一种管式PECVD硅片颜色值预测方法及镀膜时间控制方法，包括以下步骤：采集炉管的运行大数据，构建大数据训练集，所述运行大数据包括炉管参数、镀膜工艺参数和硅片颜色值y，所述镀膜工艺参数包括镀膜时间t；以所述炉管参数和镀膜工艺参数为输入，以硅片颜色值为输出，通过机器学习算法对所述大数据训练集进行训练，得到映射函数y＝f(x)；以包括k倍的镀膜时间t的炉管参数和镀膜工艺参数为输入，以硅片颜色值y为输出，构建硅片颜色值预测模型，其中0.5＜k＜0.9，技术效果：基于炉管的运行大数据实现实时地预测在镀膜过程中的硅片颜色值，进而实时预测镀膜厚度，有助于在镀膜完成前，实时调整镀膜时间t，以调整镀膜的厚度。
pecvd 硅片颜色预测方法镀膜时间控制

[实用新型]一种镀膜点位除尘收集箱-CN202221819974.9有效
发明人：张开 -专利权人：唐山市蓝欣玻璃有限公司
申请日： 2022-07-15 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： C23C16/00 文献下载
摘要：本申请公开了一种镀膜点位除尘收集箱，本申请设计了沿第一方向依次设置的第一箱体和第二箱体，第一箱体和第二箱体相互连通，形成除尘空间；第一箱体具有第一侧壁，第二箱体具有与第一侧壁同侧设置的第二侧壁，第一侧壁和第二侧壁分别设置第一箱门和第二箱门，用以打开或闭合除尘空间；第一箱体和第二箱体均具有上盖和底盘，上盖处开设出气口，用以将灰尘集中排出，下盖收集掉落的颗粒物，可防止烟尘扩散，污染空气。
一种镀膜除尘收集

[实用新型]一种CVD镀膜机-CN202123432369.4有效
发明人：因福明;沈杰 -专利权人：昆山福钻新材料科技有限公司
申请日： 2021-12-30 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： C23C16/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及化学气相沉积技术领域，且公开了一种CVD镀膜机，包括镀膜部件本体，镀膜部件本体的外侧套接有镀膜箱体，且镀膜箱体的底部连接有支撑架，且镀膜部件本体的一端连接有机械泵，镀膜箱体中部的表面分别连接有复合杆件和缓冲部件，且复合杆件的底部与缓冲部件顶部的内侧卡接。本实用新型所设置的缓冲部件、复合杆件配合组装后，可形成缓冲开合机构，继而在不干涉镀膜箱体内部上下箱体往复开合作业的同时对上下箱体的闭合冲击进行缓冲保护，消除安全隐患，所设置的升降连接部件配合机械泵使用后，可将机械泵、镀膜部件本体、镀膜箱体、支撑架进行一体化设置，方便运输转移设备的同时保证机械泵的作业震动不影响设备。
一种 cvd 镀膜

[实用新型]一种雾化辅助CVD薄膜沉积装置-CN202123420685.X有效
发明人：杨将;张海;肖宗慧 -专利权人：武汉劲野科技有限公司
申请日： 2021-12-30 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： C23C16/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种雾化辅助CVD薄膜沉积装置，包括底座，所述底座的上侧壁对称固定连接有固定杆，两个所述固定杆的外壁均滑动套设有套筒，位于同一侧的所述套筒的内顶壁和固定杆的顶端之间均固定连接有弹簧，两个所述套筒的上顶壁共同固定连接有镀膜槽，两个所述套筒相对的一侧均转动连接有转杆。本实用新型通过转杆将部分振动能量传递至缓冲板，并通过阻尼液进行吸收振动能量，从而避免长期振动对设备造成损坏，而影响使用寿命，冷凝设备和弯曲的冷凝管的配合使用，可以快速对镀膜槽进行降温，从而提高冷凝效率，以及刮板向相反方向移动，移动的过程，刮板将镀膜槽底部的沉积物推挤到一块，从而完成对镀膜槽的清扫。
一种雾化辅助 cvd 薄膜沉积装置

[发明专利]一种掺硼金刚石薄膜电极泡沫金属基体的制备方法-CN202110070125.1有效
发明人：曹延新;玄真武;王传奇;徐金昌;李小安;訾蓬;赵小玻;毕涵;王忠伟 -专利权人：山东欣远新材料科技有限公司;中材人工晶体研究院（山东）有限公司
申请日： 2021-01-19 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： C23C16/00 文献下载
摘要：本发明提供一种掺硼金刚石薄膜电极泡沫金属基体的制备方法，包括：S1、将第一金属粉末、发泡剂混合后预压成型，烧结得由相互贯通的孔洞组成的多孔结构坯体；S2、将坯体放入模具中，将形状规则的填料粒子填充入坯体孔洞；S3、将第二金属粉末熔化成金属溶液，加热模具、坯体、填料粒子至温度不低于第二金属粉末的熔点，将金属溶液浇注到模具中，使金属溶液渗入填料粒子与坯体孔洞间的空隙；S4、冷却脱模，去除填料粒子，得到基体。本发明将形状规则的填料粒子填充入坯体孔洞，浇注金属溶液将形状不规则的坯体孔洞改造为规则形状，在使用时孔洞孔壁处不会产生应力集中，避免了基体因应力破损、掺硼金刚石薄膜从破损处脱离等问题的产生。
一种金刚石薄膜电极泡沫金属基体制备方法

[实用新型]一种CVD加热器用支撑组件-CN202123146278.4有效
发明人：施广博 -专利权人：上海利睿特实业有限公司
申请日： 2021-12-15 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： C23C16/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种CVD加热器用支撑组件，包括工作台、固定架和安装盘，固定架固定连接在工作台顶部的两侧，安装盘设置在固定架内侧的顶部，工作台顶部的两侧均固定连接有位于固定架正面两侧的固定块，固定块的内侧设置有蜗杆，工作台顶部的两侧均活动连接有位于蜗杆后侧的蜗轮，蜗轮与蜗杆啮合连接，蜗轮的顶部固定连接有螺杆，安装盘的底部固定连接有固定板。本实用新型通过设置蜗轮和蜗杆配合固定板进行工作调节工作，解决了现有的CVD加热器支撑架高度大多是固定的，在使用过程中不能根据石英管的大小尺寸对其进行高低调节，降低了CVD加热器支撑架的使用灵活性和支撑效果的问题，具备了高度灵活调节的优点。
一种 cvd 加热器用支撑组件

[发明专利]一种CVD单晶金刚石位错密度的检测方法-CN202111523327.3在审
发明人：徐帅;吴晓磊;刘晖;周文涛;曹博伦;闫建明;董聚祥 -专利权人：郑州磨料磨具磨削研究所有限公司
申请日： 2021-12-14 - 公布日： 2022-04-29 - 主分类号： C23C16/00 文献下载
摘要：本发明提供一种CVD单晶金刚石位错密度的检测方法，包括单晶金刚石待测表面的研磨抛光和清洗，并通过化学腐蚀去除晶体表面机械损伤层，然后采用离子刻蚀的方法在单晶金刚石的待测表面形成位错蚀坑，对待测表面取样并对表面形貌进行检测，统计取样面积内位错蚀坑数量，最后计算得到单晶金刚石的位错密度，采用该方法可准确实现CVD单晶金刚石{100}或{111}晶面位错密度的检测。
一种 cvd 金刚石密度检测方法

[实用新型]一种立式气相沉积炉用的加料小车-CN202123252439.8有效
发明人：刘昊亮;郭勇;张振清;陈浩纯 -专利权人：江西昊军智能装备有限公司
申请日： 2021-12-23 - 公布日： 2022-04-26 - 主分类号： C23C16/00 文献下载
摘要：一种立式气相沉积炉用的加料小车，包括轨道小车及升降平台，轨道小车的两端均设置有两个举升气缸，升降平台固定连接于举升气缸的活塞杆上，升降平台上焊接有一个与沉积炉相适配的底盖，底盖的上端面上设置有一个料罐放置平台，料罐放置平台沿其周向均匀开设有数个料罐放置槽，料罐放置平台的上端面上均匀设置有数个限位柱，两个料罐放置槽之间设置有一根限位柱，料罐放置平台的上端可拆卸的安装有一块限位板，限位板与料罐放置平台的形状及大小完全相同，限位板上均与设置有数个与料罐放置槽对齐的限位过孔，限位板的下端面上均匀开设有数个与限位柱相适配的限位槽。本实用新型可方便沉积炉内料罐的放取，防止料罐进入沉积炉后发生倾倒。
一种立式沉积加料小车

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