[发明专利]沉积设备及其沉积方法在审
| 申请号： | 201811293698.5 | 申请日： | 2018-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN109385615A | 公开（公告）日： | 2019-02-26 |
| 发明（设计）人： | 黄建;鲁旭斋;张锋;吴孝哲;吴龙江;林宗贤 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/34 | 分类号： | C23C16/34;C23C16/44;C23C16/48;C23C16/513;C23C16/455 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 武振华;吴敏 |
| 地址： | 223302 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种沉积设备及其沉积方法，所述沉积设备包括：沉积腔室；晶圆基座，位于所述沉积腔室内，用于放置晶圆；紫外光光源，位于所述沉积腔室内，且所述紫外光光源适于提供射向所述晶圆基座的紫外光；反应物输入管路，适于将反应物引入至所述沉积腔室，以在所述晶圆上反应形成沉积层。本发明方案有助于提高器件的品质，降低生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 沉积设备 紫外光光源 沉积腔室 晶圆基座 沉积腔 反应物 晶圆 沉积 室内 紫外光 输入管路 沉积层 引入 | ||
【主权项】：
1.一种沉积设备，其特征在于，包括：沉积腔室；晶圆基座，位于所述沉积腔室内，用于放置晶圆；紫外光光源，位于所述沉积腔室内，且所述紫外光光源适于提供射向所述晶圆基座的紫外光；反应物输入管路，适于将反应物引入至所述沉积腔室，以在所述晶圆上反应形成沉积层。
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- 2016-12-07 - 2019-03-26 - C23C16/34
- 本发明公开了一种氮化物薄膜的制备方法，包括以下步骤：在氮化物同质外延生长过程中，持续不间断地向反应室中通入Ⅴ族源气体，而周期性地调制通入反应室中Ⅲ族源气体流量的大小。本发明通过周期性的调制Ⅲ族源气流大小，增强Ⅲ族源原子的横向迁移能力，减少表面缺陷，提高结晶质量，改善表面的平整度。本发明方法经济节约，简单易行，获得的氮化物薄膜材料性能好，是实现氮化物外延薄膜高质量、低成本生长的有效解决方案。
- 一种原子层沉积法制备FexN薄膜的方法-201910039020.2
- 丁玉强;杜立永;黄伟 - 江南大学
- 2019-01-16 - 2019-03-22 - C23C16/34
- 本发明公开了一种原子层沉积法制备FexN薄膜的方法，包括以下步骤：(1)将半导体衬底置于反应腔中，以脉冲形式向反应腔中通入气相Fe源进行沉积，得到沉积有Fe源的衬底；(2)向体系中充入惰性气体进行吹扫；(3)将氮源以脉冲形式通入反应腔，以和沉积在衬底上的Fe源进行单原子反应；(4)向体系中充入惰性气体吹扫后，即可在半导体衬底上得到FexN薄膜。本发明使用ALD生长的FexN薄膜保型性良好，对薄膜厚度、材料成分、原子活性位点分布可控制精确，且对多种衬底如硅、氧化硅、氮化硅、TaN、C3N4、石墨烯等均表现出兼容性。
- 成膜装置以及成膜方法-201811000943.9
- 清水亮;石井胜利;寺本章伸;诹访智之;志波良信 - 东京毅力科创株式会社;国立大学法人东北大学
- 2018-08-30 - 2019-03-15 - C23C16/34
- 本发明涉及成膜装置以及成膜方法，提供抑制对晶片的损伤，并以低温形成高品质的氮化硅膜的技术。当对在处理容器(1)内载置的晶片W供给Si2H6气体和NH3气体来形成SiN膜时，针对NH3气体，进行在与Si2H6气体反应前照射紫外线的远程紫外线照射，并供给至处理容器1内。因此，能够利用活化的NH3气体和Si2H6气体在较低的加热温度下在晶片W形成高品质的氮化硅膜。而且，由于设为对向处理容器1内导入前的NH3气体照射紫外线的远程紫外线处理，所以能够不对晶片W照射紫外线并抑制晶片W的损伤。
- 改善SINA边缘发红的机台结构-201821070297.9
- 王圣;徐硕贤;金佳源;宋剑;董超;袁占强;陈景;张双玉 - 江苏林洋光伏科技有限公司
- 2018-07-06 - 2019-03-05 - C23C16/34
- 本实用新型公开了一种改善SINA边缘发红的机台结构，包括石墨框(1)和反应仓，其特征在于：在边列石墨框(1)与石墨框勾点(2)之间设置两个垫片(3)；在反应仓内部的U型槽敷板(6)上所设置的NH3气孔(7)直径扩大为1.0mm。通过上述两个特征的结合，产生协同作用，更好的加快边列氮化硅沉积速率，实现边缘发红的改善。
- 一种大面积层数可控的石墨烯与六方氮化硼异质结的制备方法-201811358576.X
- 陈珊珊;应豪;刘雯雨 - 中国人民大学
- 2018-11-15 - 2019-03-01 - C23C16/34
- 本发明提供一种制备层数可控的石墨烯与六方氮化硼异质结的方法，包括：在金属薄膜衬底催化下通过化学气相沉积法在金属薄膜衬底表面制备六方氮化硼，在气流上游处放置的另一金属材料的远程催化下通过化学气相沉积法在制备出的六方氮化硼表面形成石墨烯。所述金属材料为与所述金属薄膜衬底材料相比具有较高硼氮溶解度或具有较高比表面积的金属材料。本发明制备方法中在生长衬底附近放置金属材料，可原位制备出大面积层数可控的石墨烯与六方氮化硼的异质结。金属衬底表面先被一定层数的六方氮化硼覆盖后，失去化学催化活性后，其表面无法继续催化生长石墨烯。此时预先放置的金属材料，能持续提供催化，从而在六方氮化硼表面生长出石墨烯。
- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
