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[发明专利]一种微刃金刚石磨粒的制备方法-CN202310763770.0在审
发明人：刘栋栋;孙方宏 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2023-06-26 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： C23C16/02 文献下载
摘要：本发明公开一种微刃金刚石磨粒的制备方法，包括以下步骤：对石墨盘进行清洗处理，干燥后在表面涂覆粘结剂，并在粘结剂表面覆盖掩模板；在掩模板的表面散布金刚石籽晶，振动石墨盘，使磨粒进入掩模板的微孔中；去除掩模板微孔外的多余金刚石籽晶，取下掩模板，将粘结好金刚石籽晶的石墨盘放入热丝生长环境下进行化学气相沉积，调整沉积参数使得金刚石磨粒表面生长出多晶凸起；生长结束后，将带有金刚石磨粒的石墨盘进行振动分离得到微刃金刚石磨粒。本发明可以制备100μm‑700μm的具有立方‑八面体聚形的微刃金刚石磨粒；避免了磨粒表层石墨化以及磨粒表面疏松多孔等影响金刚石磨粒机械强度的问题，且金刚石磨粒表面的多晶生长可控。
一种金刚石磨制备方法

[发明专利]PECVD载板的处理方法及PECVD设备-CN202310954098.3在审
发明人：请求不公布姓名 -专利权人：广东利元亨智能装备股份有限公司
申请日： 2023-07-31 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： C23C16/02 文献下载
摘要：本发明涉及镀膜技术领域，具体而言，涉及PECVD载板的处理方法及PECVD设备，其包括以下步骤：将载板置于载板传输机构上并输送至加热腔，通过所述加热腔内的加热装置对所述载板进行烘干，并通过抽真空系统对所述加热腔抽真空，以去除所述载板上附着的水汽；所述载板传输机构继续将所述载板输送至所述镀膜腔，以在所述载板表面覆盖本征层。其能够避免载板上残留的杂质元素对硅片镀膜的影响，提高HJT电池的质量性能。
pecvd 处理方法设备

[发明专利]一种温度梯度调控的化学气相沉积制备疏水膜的方法-CN202210950369.3有效
发明人：邓旭;戴子忆;王德辉 -专利权人：电子科技大学（深圳）高等研究院
申请日： 2022-08-09 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： C23C16/02 文献下载
摘要：本公开提供一种用于制备疏水膜的前体溶液，包含树脂原料、溶剂、成膜剂、分散剂。本公开还提供一种利用前体溶液制备疏水膜的方法。本公开的通过温度梯度调控的化学气相沉积制备疏水膜的方法应用范围广，可处理表面形貌复杂的物件，得到的疏水膜均匀致密，光学性能优异，具有优良的机械鲁棒性。
一种温度梯度调控化学沉积制备疏水方法

[发明专利]一种表面具有纳米金刚石薄膜涂层的PCBN刀具及其制备方法-CN202110687456.X有效
发明人：王晓飞;邬苏东;李玉磊;任富增;赵予生 -专利权人：南方科技大学
申请日： 2021-06-21 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： C23C16/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种表面具有纳米金刚石薄膜涂层的PCBN刀具及其制备方法，所述制备方法包括以下步骤：将预处理后的PCBN刀具在纳米金刚石粉中进行干抛至光亮，然后置于基台上，放入微波等离子体化学气相沉积系统中抽真空，抽真空后通入第一反应源气体；开启微波等离子体化学气相沉积系统，微波激发第一反应源气体产生等离子体球，然后通入第二反应源气体开始沉积，沉积完成后得到表面具有纳米金刚石薄膜涂层的PCBN刀具；所述制备方法优化了微波等离子体化学气相沉积工艺，通过调控制备条件，在刀具表面均匀沉积纳米级金刚石涂层，有效提高了金刚石涂层的薄膜质量与稳定性，延长了刀具的使用寿命，具有较好的工业化应用前景。
一种表面具有纳米金刚石薄膜涂层 pcbn 刀具及其制备方法

[发明专利]制膜方法、制膜装置及电极箔的制造方法-CN202310884294.8在审
发明人：栗原直美;山口晶大;吉村满久;小川美和 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2020-02-19 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： C23C16/02 文献下载
摘要：本发明涉及制膜方法、制膜装置及电极箔的制造方法。一种包含金属氧化物的层的制膜方法，其具备：加热工序，使包含第一金属的金属箔的一部分与1个以上的发热体接触而对上述金属箔进行加热；第一接触工序，在上述金属箔的一部分被支撑的状态下使包含第二金属的第一气体与上述金属箔的两面接触；以及第二接触工序，在上述金属箔的一部分被支撑的状态下，使包含氧化剂的第二气体与上述金属箔的上述两面接触。
方法装置电极制造

[发明专利]一种金刚石铜基复合材料及其制备方法-CN202310986130.6在审
发明人：陈旺寿;郭悦 -专利权人：深圳市博源碳晶科技有限公司
申请日： 2023-08-07 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： C23C16/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种金刚石铜基复合材料及其制备方法。所述方法包括如下步骤：通过电感耦合等离子体法或阳极层离子源照射方式对金刚石粉末进行处理，得到粗糙化金刚石粉末；通过等离子体增强原子层沉积方法在所述粗糙化金刚石粉末的表面制备第一镀覆层，然后在第一镀覆层的基础上制备第二镀覆层，得到镀覆金刚石粉末；所述第一镀覆层为金属单质镀覆层；所述第二镀覆层为铜镀覆层；以镀覆金刚石粉末和铜粉为原料通过增材制造制得金刚石铜基复合材料。本发明可以制备出高热导率、高致密度和形状复杂的金刚石铜基复合材料。
一种金刚石复合材料及其制备方法

[发明专利]一种在SiC衬底上形成InN薄膜的方法-CN202111482401.1有效
发明人：陈素春;徐良;余雅俊;占俊杰;孟秀清;阳明益 -专利权人：浙江富芯微电子科技有限公司
申请日： 2021-12-06 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： C23C16/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种在SiC衬底上形成InN薄膜的方法。该方法采用化学性质和物理性质相对稳定的SiC作为衬底，并在其表面形成SiN缓冲层后，通过电子回旋共振‑等离子体增强金属有机物化学气相沉积(ECR‑PEMOCVD)在较低温度下形成InN薄膜，所形成的InN薄膜不存在杂质离子混入，质量较高。
一种 sic 衬底形成 inn 薄膜方法

[发明专利]表面织构和固体涂层协同降低钽钨合金摩擦系数的方法-CN202310450596.4在审
发明人：江亮;展东洲;赵齐戬;彭武茂;王攀;孙鹏飞;钱林茂 -专利权人：西南交通大学;中国工程物理研究院机械制造工艺研究所
申请日： 2023-04-25 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： C23C16/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种表面织构和固体涂层协同降低钽钨合金摩擦系数的方法，其中，表面织构选自平行沟槽、网状沟槽、V型沟槽、圆形凹坑、椭圆形凹坑、圆环凹坑、矩形凹坑、菱形凹坑、多边形凹坑中的一种或多种，表面织构尺寸为微米级，固体涂层选自聚四氟乙烯、聚醚醚酮、二硫化钼、二硫化钨、石墨、石墨烯、类金刚石中的一种或多种。本发明针对某些应用场景中钽钨合金活动部件摩擦力过大的难题，利用表面织构和固体涂层的协同作用，在干摩擦条件下，将摩擦系数降低1个数量级，有效改善钽钨合金部件的使役性能。
表面固体涂层协同降低合金摩擦系数方法

[发明专利]一种用于FPGA芯片基板镀膜的预处理设备-CN202210994517.1有效
发明人：周殿凤 -专利权人：盐城师范学院
申请日： 2022-08-18 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： C23C16/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于FPGA芯片基板镀膜的预处理设备，包括工作框、清洗机构；清洗机构包括连接板；连接板安装在工作框两侧外壁的上方，连接板的上方通过连接梁上水平移动的摆动机构，摆动机构包括连接板；连接轴转动安装在安装板上，连接轴上套设有连接板，连接板与第二气缸的输出端连接，连接轴的一端延伸出安装板，并设置有与基板载体相适配的固定架；固定架包括安装竖梁、安装横梁，安装竖梁水平设置有两个，并安装在连接轴上，安装竖梁上竖直设置有两个，并设置在安装竖梁，本发明的清洗机构，通过设置的摆动机构，可以使得FPGA芯片基板在脱脂剂溶液和去离子水中不断摆动清洗，从而提高对FPGA芯片基板的清洗效率。
一种用于 fpga 芯片镀膜预处理设备

[实用新型]一种硫化锌球罩生产用沉积室表面涂层处理机构-CN202222342836.2有效
发明人：刘乾生 -专利权人：重庆三航光电科技有限公司
申请日： 2022-09-05 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： C23C16/02 文献下载
摘要：本实用新型涉及硫化锌球罩生产领域，具体涉及一种硫化锌球罩生产用沉积室表面涂层处理机构，安置在沉积室内，包括固定在沉积室内的球罩模具，还包括涂层处理结构，涂层处理结构包括与球罩模具外表面契合的刷架、刮片和驱动单元，刷架设置在球罩模具的外表面，刮片与刷架固定连接，且刮片设置在球罩模具和刷架之间，驱动单元与刷架连接，以驱使刷架转动，在现有技术的基础上，提出一种涂层处理机构，在球罩模具外侧增设涂层处理结构，利用刷架和刮片配合，实现对球罩模具外表面残留杂质的清洁，有效提升制备的硫化锌球罩的内表面平整性，从而无需进行二次加工，提升生产效率。
一种硫化锌生产沉积表面涂层处理机构

[发明专利]硬模和通过等离子体增强化学气相沉积形成硬模的工艺-CN202180080877.4在审
发明人：许瑞元;K·尼塔拉;P·曼纳;K·嘉纳基拉曼 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2021-10-06 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： C23C16/02 文献下载
摘要：本公开内容的实施例总体涉及硬模和通过等离子体增强化学气相沉积(PECVD)形成硬模的工艺。在实施例中，提供用于在基板上形成硬模层的工艺。工艺包括将基板引入PECVD腔室的处理空间，基板在基板支撑件上，基板支撑件包括静电夹盘；以及流动处理气体进入PECVD腔室内的处理空间中，处理气体包括含碳气体。工艺进一步包括在等离子体条件下从处理空间中的处理气体形成激励的处理气体，将基板静电夹持到基板支撑件，在静电夹持基板的同时在基板上沉积第一含碳层，并通过在基板上沉积第二含碳层来形成硬模层。
通过等离子体增强化学沉积形成工艺

[发明专利]一种提高激光晶体与陶瓷散热性能的方法-CN202210116176.8在审
发明人：杭寅;张书隆;赵呈春;朱影;何明珠;蔡双;陶斯亮 -专利权人：中国科学院上海光学精密机械研究所
申请日： 2022-01-29 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： C23C16/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高激光晶体与陶瓷散热性能的方法，该方法在金刚石的生长过程中通入氧气，并在衬底与样品托之间加入阻热片，利用物理气相沉积与化学气相沉积在激光晶体与陶瓷上制备包含过渡层和金刚石薄膜的散热层，该散热层以晶粒直径为微米级的多晶金刚石作为其主要成分。采用本方法在激光晶体与陶瓷上制备的金刚石薄膜具有连续性好、附着性强、非金刚石相含量少的显著特点，具有良好的热传导能力。使用本方法获得的散热层，可以有效提高激光晶体与陶瓷在激光应用时的散热能力。
一种提高激光晶体陶瓷散热性能方法

[发明专利]一种金刚石薄膜及其制备方法-CN202310488614.8在审
发明人：何金鑫 -专利权人：深圳市金鑫丰利珠宝首饰有限公司
申请日： 2023-04-28 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： C23C16/02 文献下载
摘要：本发明涉及金刚石薄膜技术领域，具体为一种金刚石薄膜及其制备方法，该制备方法包括：S1、在基底表面制备一层掺杂锌的金刚石薄膜；S2、将所述掺杂锌的金刚石薄膜先在惰性气氛中进行高温处理，使部分锌蒸发形成多孔结构，得到掺杂锌的多孔金刚石薄膜；S3、在所述掺杂锌的多孔金刚石薄膜表面制备一层纯的金刚石膜。本发明利用锌的沸点相对较低特性，在金刚石薄膜中掺杂锌，可通过加热使部分锌蒸发形成多孔结构，将其作为过渡层，能够利用多孔结构释放热应力，缓解基底和金刚石膜之间热膨胀系数差异的影响，从而显著提高金刚石膜的附着力、硬度和耐磨使用寿命，而且具有良好的透光性。
一种金刚石薄膜及其制备方法

[发明专利]一种等离子体辅助多步骤连续制备渗层/非晶碳膜复合涂层的方法及其应用-CN202211029925.X有效
发明人：杨阳;李杰;张世宏;郑军;谢金铭 -专利权人：安徽工业大学
申请日： 2022-08-25 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： C23C16/02 文献下载
摘要：本发明涉及复合涂层制备技术领域，具体涉及一种等离子体辅助多步骤连续制备渗层/非晶碳膜复合涂层的方法及其应用，本发明利用梯度降温氩离子等离子体活化技术，衔接高温等离子体渗碳/氮和低温等离子体镀碳膜技术，利用多次高能氩离子轰击活化材料表面，去除渗层表面团簇状多孔疏松结构，使表面更加致密平整，促进后续非晶碳膜形核生长，形成一种高温氮/碳离子等离子体扩渗+梯度降温氩离子等离子体活化+低温碳离子等离子体镀膜多步骤连续制备渗层/非晶碳膜复合涂层的集成技术，并将其应用在轴承、齿轮等传动件、转动件领域。
一种等离子体辅助步骤连续制备非晶碳膜复合涂层方法及其应用

[发明专利]一种微通道板镀膜前的基板预处理方法-CN202310362518.9在审
发明人：豆西博;朱香平;李相鑫;孙蒙雅;刘浩;杨军红 -专利权人：广东粤港澳大湾区硬科技创新研究院;东莞市中科原子精密制造科技有限公司
申请日： 2023-04-04 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： C23C16/02 文献下载
摘要：本申请提供了一种微通道板镀膜前的基板预处理方法，所述基板预处理方法包括以下步骤：步骤S10、将内置微通道板的聚四氟乙烯花篮置于装有HNO3溶液和HF溶液的第一混合液中经超声波振动后，再置于去离子水中超声波清洗；步骤S20、将清洗后的所述聚四氟乙烯花篮取出，置于丙酮溶液中经超声波振动后，再置于去离子水超声波清洗；步骤S30、将清洗后的所述聚四氟乙烯花篮取出，置于乙醇溶液中经超声波振动清洗。通过上述步骤对微通道板进行腐蚀清洗后，清除了微通道板表面吸附的污染物，提高了微通道板表面的附着力，有利于下一步镀膜工作。
一种通道镀膜预处理方法

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