“贾开诚”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果22个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]适用于单晶石墨烯晶圆生长的合金衬底-CN202210315664.1在审
发明人：刘忠范;邵家新;贾开诚;竺叶澍;王世伟;林立 -专利权人：北京石墨烯研究院;北京大学
申请日： 2022-03-28 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： C30B25/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种适用于单晶石墨烯晶圆生长的合金衬底。单晶石墨烯晶圆的制备包括以下步骤：1)构筑铜钴(111)合金晶圆，其中将磁控溅射制备的铜钴合金/蓝宝石晶圆置于化学气相沉积系统中进行退火处理，得到铜钴(111)合金晶圆；2)通入气态碳源，在所述铜钴(111)合金晶圆表面外延生长单晶石墨烯。本方法一方面有利于解决现有铜晶圆高温退火单晶化时表面的热沟壑问题，从而提高合金晶圆的表面平整度和均匀性。另一方面，本方法利用钴元素自身的高催化活性和溶碳量，可以实现石墨烯单晶晶圆畴区尺寸、生长速率和层数的有效调控。
适用于晶石墨烯晶圆生长合金衬底

[发明专利]一种石墨烯薄膜的转移方法-CN202310890378.2在审
发明人：陈格;刘忠范;陈森胜;赵一萱;补赛玉;张金灿;胡兆宁;贾开诚;谢芹;林立 -专利权人：北京石墨烯研究院;北京大学
申请日： 2023-07-19 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： C01B32/194 文献下载
摘要：本发明公开了一种石墨烯薄膜的转移方法，包括：在直接生长于金属基底上的石墨烯薄膜表面旋涂高分子薄膜；在高分子薄膜上贴合热释放胶带TRT，形成TRT/高分子薄膜/石墨烯薄膜/金属基底复合结构；将TRT/高分子薄膜/石墨烯薄膜与金属基底分离；将TRT/高分子薄膜/石墨烯薄膜贴合至目标衬底；加热释放热释放胶带TRT，得到高分子薄膜/石墨烯薄膜/目标衬底复合结构，将去除TRT后的高分子薄膜/石墨烯薄膜/目标衬底复合结构继续保持在热台上；用水洗涤去除高分子薄膜，得到石墨烯薄膜/目标衬底复合结构。对石墨烯薄膜的损坏程度更小，可以得到完整度更高的石墨烯薄膜，且操作简便、原料环保，有利于工业化。
一种石墨薄膜转移方法

[发明专利]无孪晶单晶金属晶圆的制备方法-CN202210247183.1在审
发明人：刘忠范;竺叶澍;贾开诚;邵家新;李杨立志;孙禄钊;蔡阿利 -专利权人：北京石墨烯研究院;北京大学
申请日： 2022-03-14 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： C30B27/00 文献下载
摘要：本发明提供一种无孪晶单晶金属晶圆的制备方法。通过磁控溅射的方法在蓝宝石单晶晶圆衬底上溅射一定厚度的金属薄膜。将溅射好的金属/蓝宝石晶圆放置于平面加热板上，在金属晶圆和加热板之间放置一个一定尺寸的石墨垫片。石墨垫片位于金属晶圆中心位置的正下方，使得在平面加热板的升温过程中，金属晶圆位于一个由中心到边缘梯度分布的温度场中进行退火单晶化。通过调节石墨垫片的尺寸和加热板的温度，可以显著降低单晶金属晶圆的面内孪晶密度。本发明解决了现有金属晶圆单晶化过程中存在的面内孪晶问题，可以实现无孪晶单晶金属晶圆的可控制备。
无孪晶单晶金属制备方法

[发明专利]一种石墨烯薄膜的无损转移方法-CN202310862702.X在审
发明人：陈格;刘忠范;陈森胜;赵一萱;补赛玉;张金灿;胡兆宁;贾开诚;谢芹;林立 -专利权人：北京石墨烯研究院;北京大学
申请日： 2023-07-13 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： C01B32/194 文献下载
摘要：本发明公开了一种石墨烯薄膜的无损转移方法。在石墨烯薄膜/金属基底上依次旋涂高分子复合薄膜并贴合热释放胶带TRT，通过机械剥离的方法将石墨烯薄膜与金属基底分离，将其贴合至目标衬底；低温冷却后直接将热释放胶带TRT和高分子复合薄膜撕除，实现了石墨烯薄膜的转移。步骤简单，溶剂只采用水，不涉及有机溶剂，安全环保，得到的石墨烯结构完整，有利于工业化生产。
一种石墨薄膜无损转移方法

[发明专利]一种石墨烯薄膜亲水性的评估方法-CN202110525854.1在审
发明人：刘忠范;彭海琳;张金灿;贾开诚;林立;刘晓婷;陈恒;张欣童 -专利权人：北京石墨烯研究院;北京大学
申请日： 2021-05-14 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： G01N13/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种石墨烯薄膜亲水性的评估方法，包括如下步骤：(1)将石墨烯薄膜设置于多孔载网上，得到石墨烯薄膜/多孔载网；(2)在所述石墨烯薄膜/多孔载网的石墨烯薄膜表面设置水滴；(3)通过环境扫描电镜获取所述石墨烯薄膜表面水滴的形貌图；以及(4)通过所述形貌图计算得出或直接测量得到所述水滴的接触角θ。本发明一实施方式的方法，以不受衬底干扰的石墨烯薄膜作为评估对象，可以排除衬底对石墨烯亲水性测量的影响；同时通过环境扫描电镜的使用，可得到石墨烯薄膜表面水滴的更为清晰的形貌图。
一种石墨薄膜亲水性评估方法

[实用新型]一种用于批量制备石墨烯薄膜的载具-CN202121016917.2有效
发明人：刘忠范;彭海琳;贾开诚;单婧媛;高翾;马子腾;竺叶澍 -专利权人：北京石墨烯研究院;北京大学
申请日： 2021-05-13 - 公布日： 2021-12-14 - 主分类号： C01B32/186 文献下载
摘要：本实用新型一实施方式提供了一种用于批量制备石墨烯薄膜的载具，包括多个支撑板、多个加热板和电极组件；其中，所述多个支撑板用于放置生长石墨烯的衬底，所述多个加热板用于对所述衬底进行加热处理，所述电极组件与所述多个加热板相连，所述多个支撑板与所述多个加热板交替地层叠设置。本实用新型一实施方式的载具，能够实现石墨烯生长衬底的批量放置和高效加热。
一种用于批量制备石墨薄膜

[发明专利]清洁石墨烯的方法-CN201810615694.8有效
发明人：刘忠范;彭海琳;孙禄钊;李杨立志;刘晓婷;林立;张金灿;贾开诚 -专利权人：北京石墨烯研究院;北京大学
申请日： 2018-06-14 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： C23C16/56 文献下载
摘要：本发明提供了一种清洁石墨烯的方法，包括通过曲面上设有吸附剂的曲面体对石墨烯表面进行滚压，得到清洁的石墨烯。本发明一实施方式的清洁石墨烯表面的方法，可以实现快速清洁例如CVD生长的金属箔片上的石墨烯以及转移至功能衬底上的石墨烯等，所得到的石墨烯拉曼性质及透光性良好，对于其在电子、光电子器件，以及在选择性透过膜领域都有极高的帮助。
清洁石墨方法

[发明专利]一种碳纳米材料清洁石墨烯表面的方法-CN201810534499.2有效
发明人：刘忠范;彭海琳;李杨立志;孙禄钊;王可心;张金灿;贾开诚;刘晓婷 -专利权人：北京石墨烯研究院;北京大学
申请日： 2018-05-29 - 公布日： 2021-03-12 - 主分类号： C01B32/196 文献下载
摘要：本发明提供一种碳纳米材料清洁石墨烯表面的方法，包括如下步骤：提供一碳纳米材料；使所述碳纳米材料与所述石墨烯表面接触；施加压力于所述接触碳纳米材料的石墨烯表面；及使所述碳纳米材料与所述施加压力后的石墨烯分离；其中，所述碳纳米材料为碳纳米墙或碳纳米墙复合物。本发明提供的方法简便易行，对于多种基底上的石墨烯均具有较好的清洁效果，对进一步实现和拓展石墨烯的高端应用具有重要的意义。
一种纳米材料清洁石墨表面方法

[发明专利]静态清洁石墨烯表面的方法和装置-CN201811051425.X有效
发明人：刘忠范;彭海琳;李杨立志;孙禄钊;张金灿;贾开诚;刘晓婷 -专利权人：北京石墨烯研究院;北京大学
申请日： 2018-09-10 - 公布日： 2020-12-29 - 主分类号： B08B7/00 文献下载
摘要：本发明提供一种静态清洁石墨烯表面的方法，包括：将活性炭复合物覆盖在石墨烯的表面；沿着垂直于所述表面的方向，对所述活性炭复合物施加压力，以使所述活性炭复合物粘附所述表面的污染物。本发明还提供实现上述方法的装置。本发明的方法和装置能够使活性炭复合物与石墨烯的表面进行充分的静态接触，通过活性炭复合物的吸附性去除石墨烯表面的污染物，从而实现对石墨烯的洁净处理，提升石墨烯的洁净度，具有重要的应用价值。
静态清洁石墨表面方法装置

[发明专利]真空石墨烯转移装置及真空石墨烯转移方法-CN201811109110.6有效
发明人：刘忠范;彭海琳;李杨立志;孙禄钊;张金灿;贾开诚;刘晓婷 -专利权人：北京石墨烯研究院;北京大学
申请日： 2018-09-21 - 公布日： 2020-10-13 - 主分类号： C01B32/194 文献下载
摘要：本发明提供一种真空石墨烯转移装置及真空石墨烯转移方法，真空石墨烯转移装置包括壳体、升降机构、支撑凸台以及加热装置。壳体内部具有真空腔体，升降机构设于壳体并包括可升降地设于真空腔体内的压板，石墨烯薄膜固定于压板底部。支撑凸台设于真空腔体内且位于压板下方，目标基底固定于支撑凸台上。加热装置，设于真空腔体内且连接于支撑凸台，加热装置用于通过支撑凸台加热目标基底。其中，真空石墨烯转移装置通过升降机构将石墨烯薄膜下压至目标基底上，并通过加热装置加热，将石墨烯薄膜转移至目标基底。从而实现提高石墨烯转移的完整度，同时降低了石墨烯水氧掺杂，具有重要的应用价值。
真空石墨转移装置方法

[发明专利]基于活性炭复合物制备超洁净石墨烯的方法-CN201710761253.4有效
发明人：刘忠范;彭海琳;孙禄钊;张金灿;林立;贾开诚;王可心 -专利权人：北京大学
申请日： 2017-08-30 - 公布日： 2020-09-04 - 主分类号： C01B32/196 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于活性炭复合物制备超洁净石墨烯的方法。所述活性炭复合物按照包括如下步骤的方法制备：活性炭粉末、粘结剂和极性溶剂混合形成浆料；将所述浆料涂于多孔状固体上即得。利用所述活性炭复合物制备超洁净石墨烯时，按照如下步骤进行：利用化学气相沉积法制备石墨烯；利用所述活性炭复合物粘附所述石墨烯上的污染物，即得到超洁净石墨烯。本发明提供的多孔的活性炭复合物能够将石墨烯表面原子级厚度的污染物清除干净，使得石墨烯的洁净度达到98％及以上；从而降低石墨烯表面电子、声子散射，提高石墨烯的迁移率、热导率，降低石墨烯与金属电极之间的接触电阻，对于石墨烯的电子器件、光电子器件和散热器件的性质提高极有帮助。
基于活性炭复合物制备洁净石墨方法

[发明专利]化学气相沉积装置-CN201910085922.X在审
发明人：刘忠范;彭海琳;高翾;张金灿;刘晓婷;马瑞;李广亮;孙禄钊;贾开诚 -专利权人：北京石墨烯研究院;北京大学
申请日： 2019-01-29 - 公布日： 2020-08-04 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本发明提供了一种化学气相沉积装置及化学气相沉积方法。化学气相沉积装置用于制备薄膜材料，包括第一腔室、第二腔室、过渡腔室、底盘以及传送机构。第一腔室和第二腔室用于薄膜材料的生长或后处理。过渡腔室通过隔离件分别连通于第一腔室和第二腔室。底盘用于装载生长衬底。传送机构被配置为在第一腔室和过渡腔室之间传送底盘，以及在第二腔室和过渡腔室之间传送底盘。本发明提供的化学气相沉积方法利用上述的装置进行薄膜材料的生长或后处理。
化学沉积装置

[实用新型]一种评估石墨烯洁净度的装置-CN201921124479.4有效
发明人：刘忠范;彭海琳;张金灿;刘晓婷;李广亮;张月新;贾开诚;孙禄钊 -专利权人：北京石墨烯研究院;北京大学
申请日： 2019-07-16 - 公布日： 2020-05-19 - 主分类号： G01N21/94 文献下载
摘要：本实用新型一实施方式提供了一种评估石墨烯洁净度的装置，包括依次排布的预热区、负载区以及成像区；所述预热区包括第一加热器，所述预热区用以对待评估的石墨烯进行预热；所述负载区包括熏蒸部件，所述负载区用以将熏蒸样品负载于所述石墨烯的表面；所述成像区用以为负载有熏蒸样品的所述石墨烯采集图像。本实用新型一实施方式的评估石墨烯洁净度的装置，可实现石墨烯洁净度的无损、快速评估。
一种评估石墨洁净装置

[发明专利]带形物品清洗装置及清洗方法-CN201811319723.2在审
发明人：刘忠范;彭海琳;孙禄钊;余屹;李杨立志;刘晓婷;张金灿;贾开诚 -专利权人：北京石墨烯研究院;北京大学
申请日： 2018-11-07 - 公布日： 2020-05-15 - 主分类号： B08B7/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种带形物品清洗装置及清洗方法，清洗装置包括腔室以及至少一滚轮。腔室包括供带形物品进出的进料口以及出料口；至少一滚轮设置在腔室内，每一滚轮的轴线垂直于进料口和出料口的连线，每一滚轮表面设置有吸附剂；其中，在清洗过程中，带形物品与至少一滚轮表面的吸附剂接触。
物品清洗装置方法

[发明专利]一种二氧化碳制备超洁净石墨烯的方法-CN201710845495.1有效
发明人：刘忠范;彭海琳;张金灿;贾开诚;林立;孙禄钊 -专利权人：北京大学
申请日： 2017-09-19 - 公布日： 2020-01-31 - 主分类号： C01B32/186 文献下载
摘要：本发明公开了一种二氧化碳制备超洁净石墨烯的方法。该方法包括如下步骤：将铜基底置于管式炉中，通入碳源气体和氢气进行化学气相沉积，沉积完毕后在另一加热温区通入二氧化碳进行处理，处理后即得到所述超洁净石墨烯。该制备方法简单，原料易得，可以与卷对卷技术相结合实现大规模生产，可以得到超洁净、高质量的大单晶石墨烯薄膜，在光学、电学等领域具有巨大的应用前景。
石墨烯洁净二氧化碳制备化学气相沉积卷对卷技术石墨烯薄膜加热温区碳源气体氢气电学大单晶管式炉二氧化碳铜基沉积制备应用

1
2
下一页»
尾页
共 22 条