[发明专利]半绝缘性晶体、n型半导体晶体以及p型半导体晶体有效
| 申请号： | 201780066475.2 | 申请日： | 2017-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN109891007B | 公开（公告）日： | 2021-06-25 |
| 发明（设计）人： | 藤仓序章 | 申请（专利权）人： | 赛奥科思有限公司;住友化学株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/38 | 分类号： | C30B29/38;C23C16/34;C30B25/16;H01L21/205 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
提供一种半绝缘性晶体，其为In |
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| 搜索关键词： | 绝缘性 晶体 半导体 以及 | ||
【主权项】：
1.一种半绝缘性晶体，其为InxAlyGa1‑x‑yN的组成式所示的晶体，其中，0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1，所述晶体中的Si、B以及Fe的各浓度均低于1×1015at/cm3，所述晶体在20℃以上且200℃以下的温度条件下的电阻率为1×106Ωcm以上。
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