[发明专利]半绝缘性晶体、n型半导体晶体以及p型半导体晶体有效
| 申请号： | 201780066475.2 | 申请日： | 2017-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN109891007B | 公开（公告）日： | 2021-06-25 |
| 发明（设计）人： | 藤仓序章 | 申请（专利权）人： | 赛奥科思有限公司;住友化学株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/38 | 分类号： | C30B29/38;C23C16/34;C30B25/16;H01L21/205 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 绝缘性 晶体 半导体 以及 | ||
1.一种半绝缘性晶体，其为InxAlyGa1-x-yN的组成式所示的晶体，其中，0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1，
所述晶体中的Si、B以及Fe的各浓度均低于1×1015at/cm3，所述晶体在20℃以上且200℃以下的温度条件下的电阻率为1×106Ωcm以上。
2.根据权利要求1所述的半绝缘性晶体，其中，所述晶体中的O浓度低于5×1015at/cm3。
3.根据权利要求1或2所述的半绝缘性晶体，其中，所述晶体中的C浓度低于5×1015at/cm3。
4.一种半绝缘性晶体，其为InxAlyGa1-x-yN的组成式所示的晶体，其中，0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1，
所述晶体中的Si和B的各浓度均低于1×1015at/cm3，O和C的各浓度均低于5×1015at/cm3，Fe浓度为1×1016at/cm3以上，所述晶体在20℃以上且200℃以下的温度条件下的电阻率为1×107Ωcm以上。
5.一种n型半导体晶体，其为InxAlyGa1-x-yN的组成式所示的晶体，其中，0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1，
所述晶体中的B和Fe的各浓度均低于1×1015at/cm3，O和C的各浓度均低于5×1015at/cm3，Si浓度为1×1015at/cm3以上，所述晶体在20℃以上且200℃以下的温度条件下的电阻率为1×102Ωcm以下。
6.一种n型半导体晶体，其为InxAlyGa1-x-yN的组成式所示的晶体，其中，0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1，
所述晶体中的Si、B以及Fe的各浓度均低于1×1015at/cm3，O和C的各浓度均低于5×1015at/cm3，所述晶体在20℃以上且200℃以下的温度条件下的电阻率为1×102Ωcm以下。
7.一种p型半导体晶体，其为InxAlyGa1-x-yN的组成式所示的晶体，其中，0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1，
所述晶体中的Si、B以及Fe的各浓度均低于1×1015at/cm3，O和C的各浓度均低于5×1015at/cm3，Mg浓度为3×1018at/cm3以上，所述晶体在20℃以上且200℃以下的温度条件下的电阻率为1×102Ωcm以下。
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