[发明专利]半绝缘性晶体、n型半导体晶体以及p型半导体晶体有效
| 申请号： | 201780066475.2 | 申请日： | 2017-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN109891007B | 公开（公告）日： | 2021-06-25 |
| 发明（设计）人： | 藤仓序章 | 申请（专利权）人： | 赛奥科思有限公司;住友化学株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/38 | 分类号： | C30B29/38;C23C16/34;C30B25/16;H01L21/205 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 绝缘性 晶体 半导体 以及 | ||
提供一种半绝缘性晶体，其为InxAlyGa1‑x‑yN的组成式(其中，0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)所示的晶体，晶体中的Si、B以及Fe的各浓度均低于1×1015at/cm3，所述晶体在20℃以上且200℃以下的温度条件下的电阻率为1×106Ωcm以上。
技术领域
本发明涉及半绝缘性晶体、n型半导体晶体以及p型半导体晶体。
背景技术
制作发光元件、高速晶体管等半导体器件时，有时使用例如氮化镓(GaN)等III族氮化物的晶体(参见专利文献1)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2007-153664号公报
发明内容
本发明提供能够提高上述晶体的品质、提高使用该晶体制作的半导体器件的性能、制造成品率的技术。
根据本发明的一个实施方式，
提供一种半绝缘性晶体，其为InxAlyGa1-x-yN的组成式(其中，0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)所示的晶体，前述晶体中的Si、B以及Fe的各浓度均低于1×1015at/cm3，所述晶体在20℃以上且200℃以下的温度条件下的电阻率为1×106Ωcm以上。
根据本发明的另一实施方式，
提供一种半绝缘性晶体，其为InxAlyGa1-x-yN的组成式(其中，0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)所示的晶体，前述晶体中的Si和B的各浓度均低于1×1015at/cm3，O和C的各浓度均低于5×1015at/cm3，Fe浓度为1×1016at/cm3以上，所述晶体在20℃以上且200℃以下的温度条件下的电阻率为1×107Ωcm以上。
根据本发明的再一实施方式，
提供一种n型半导体晶体，其为InxAlyGa1-x-yN的组成式(其中，0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)所示的晶体，前述晶体中的B和Fe的各浓度均低于1×1015at/cm3，O和C的各浓度均低于5×1015at/cm3，Si浓度为1×1015at/cm3以上，所述晶体在20℃以上且200℃以下的温度条件下的电阻率为1×102Ωcm以下。
根据本发明的再一实施方式，
提供一种n型半导体晶体，其为InxAlyGa1-x-yN的组成式(其中，0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)所示的晶体，前述晶体中的Si、B以及Fe的各浓度均低于1×1015at/cm3，O和C的各浓度均低于5×1015at/cm3，所述晶体在20℃以上且200℃以下的温度条件下的电阻率为1×102Ωcm以下。
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