[发明专利]用于使用远程等离子体化学气相沉积（RP-CVD）和溅射沉积来生长发光器件中的层的方法有效
| 申请号： | 201780044821.7 | 申请日： | 2017-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN109716541B | 公开（公告）日： | 2021-03-26 |
| 发明（设计）人： | I.维尔德森;P.德布;E.C.尼尔森;J.科巴亚施 | 申请（专利权）人： | 亮锐控股有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L21/02;H01L33/00;H01L33/32 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 陈俊;陈岚 |
| 地址： | 荷兰*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本文描述的是用于使用远程等离子体化学气相沉积（RP‑CVD）和溅射沉积来生长发光器件的层的方法。方法包括在生长衬底上生长发光器件结构，并且使用RP‑CVD和溅射沉积中的至少一种在发光器件结构上生长隧道结。隧道结包括与p型区直接接触的p++层，其中通过使用RP‑CVD和溅射沉积中的至少一种来生长p++层。用于生长器件的另一方法包括使用RP‑CVD和溅射沉积中的至少一种在生长衬底上方生长p型区，并且在该p型区上方生长其他层。用于生长器件的另一方法包括使用RP‑CVD和溅射沉积中的至少一种在p型区上方生长发光区和n型区。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 使用 远程 等离子体 化学 沉积 rp cvd 溅射 生长 发光 器件 中的 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种用于生长发光器件的方法，所述方法包括：在生长衬底上生长发光器件结构，所述发光器件结构包括堆叠在一起的n型区、发光区以及p型区；并且通过使用远程等离子体化学气相沉积（RP‑CVD）和溅射沉积中的至少一种来在所述发光器件结构上生长隧道结。
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- 2016-09-16 - 2021-02-09 - H01L33/06
- 在各种实施例中，发光器件包括分级层，在分级层的一个或两个端点处具有组分偏移，以促进二维载流子气体的形成和极化掺杂，从而增强器件性能。
- 用于显示装置的具有高量子点浓度的油墨组合物-201880081592.0
- E.罗戈吉纳;W.P.弗里曼;F.普谢尼茨卡;T.A.拉莫斯;C.D.法瓦罗 - 科迪华公司
- 2018-10-03 - 2020-08-07 - H01L33/06
- 提供了有机配体封端的量子点和包含所述有机配体封端的量子点的可固化油墨组合物。还提供了由所述油墨组合物形成的薄膜。
- 专利分类
