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[发明专利]形成发光器件的P型层的方法-CN201780044861.1有效
发明人： I.维尔德森;E.C.尼尔森;P.德布 -专利权人：亮锐控股有限公司
申请日： 2017-05-11 - 公布日： 2022-04-26 - 主分类号： H01L29/02 文献下载
摘要：在根据本发明的实施例的方法中，生长了一种半导体结构，该半导体结构包括被设置在p型区和n型区之间的III族氮化物发光层。p型区被掩埋在半导体结构内。在半导体结构中形成沟槽。该沟槽暴露p型区。在形成沟槽之后，半导体结构被退火。
形成发光器件方法

[发明专利]用于在紫外照射下生长发光器件的方法-CN201780081546.6有效
发明人： T.伊施卡瓦;I.维尔德森;E.C.尼尔森;P.德布 -专利权人：亮锐有限责任公司
申请日： 2017-10-27 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本文描述了用于在紫外（UV）照射下生长发光器件的方法。一种方法包括在UV照射下在III族氮化物p型层上方生长III族氮化物n型层。另一方法包括在生长衬底上生长发光器件结构并在发光器件结构上生长隧道结，其中某些层在UV照射下生长。另一方法包括在III族氮化物p型层上方形成III族氮化物隧道结n型层，以形成隧道结发光二极管。III族氮化物隧道结n型层的表面在初始时段期间在照射下完成，并且在没有照射的情况下完成形成的剩余部分。UV光具有高于III族氮化物p型层的带隙能量的光子能量。UV照射抑制了由在沉积腔室中存在的氢导致的III族氮化物p型层内的Mg‑H络合物的形成。
用于紫外照射生长发光器件方法

[发明专利]光电器件和使用它的自适应光照系统-CN201811051885.2有效
发明人： E.C.尼尔森;I.维尔德森;P.德布;K.范波拉 -专利权人：亮锐有限责任公司
申请日： 2018-09-10 - 公布日： 2021-08-31 - 主分类号： F21K9/20 文献下载
摘要：公开了一种装置，其包括具有多个LED的分段发光二极管（LED）芯片，多个LED由形成在分段LED芯片上的沟槽分开并且布置在多个区段中，每个区段包括至少一个第一LED和至少一个第二LED；以及控制器，其被配置为：向第一LED中的每个施加正向偏压；向第二LED中的每个施加反向偏压；并基于由任何区段中的第二LED生成的信号改变该任何区段中第一LED的亮度。
光电器件使用自适应光照系统

[发明专利]用于使用远程等离子体化学气相沉积（RP-CVD）和溅射沉积来生长发光器件中的层的方法-CN201780044821.7有效
发明人： I.维尔德森;P.德布;E.C.尼尔森;J.科巴亚施 -专利权人：亮锐控股有限公司
申请日： 2017-05-19 - 公布日： 2021-03-26 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本文描述的是用于使用远程等离子体化学气相沉积（RP‑CVD）和溅射沉积来生长发光器件的层的方法。方法包括在生长衬底上生长发光器件结构，并且使用RP‑CVD和溅射沉积中的至少一种在发光器件结构上生长隧道结。隧道结包括与p型区直接接触的p++层，其中通过使用RP‑CVD和溅射沉积中的至少一种来生长p++层。用于生长器件的另一方法包括使用RP‑CVD和溅射沉积中的至少一种在生长衬底上方生长p型区，并且在该p型区上方生长其他层。用于生长器件的另一方法包括使用RP‑CVD和溅射沉积中的至少一种在p型区上方生长发光区和n型区。
用于使用远程等离子体化学沉积 rp cvd 溅射生长发光器件中的方法

[发明专利]用于发光器件中高效电子和空穴阻挡的应力ALGAINP层-CN201880063257.8在审
发明人： L.布萨尔;T.钟;P.德布 -专利权人：亮锐有限责任公司
申请日： 2018-07-12 - 公布日： 2020-05-05 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：公开了一种发光器件。该发光器件包括电子阻挡层，其中，该电子阻挡层的至少一部分被布置为具有拉伸应力，空穴阻挡层，其中，该空穴阻挡层的至少一部分被布置为具有压缩应力，以及设置在该空穴阻挡层和电子阻挡层之间的有源层。
用于发光器件高效电子空穴阻挡应力 algainp