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[发明专利]光电子器件和用于制造光电子器件的方法-CN201880046678.X有效
发明人： 坦森·瓦尔盖斯;斯特凡·伊莱克 -专利权人：欧司朗OLED股份有限公司
申请日： 2018-07-12 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：提出一种光电子器件(1)，其包括：半导体本体(10)，第一传导类型的第一区域(101)、第二传导类型的第二区域(102)和有源区(103)。有源区(103)设置在第一区域(101)和第二区域(102)之间。在半导体本体(10)的第一区域(101)中存在留空部(160)，具有与留空部(160)邻接的接触区域(170)。有源区(103)设计用于发射电磁辐射。半导体本体(10)在第二区域(102)的背离于有源区(103)的主面上具有第一辐射出射面(10A)，和在运行中产生的电磁辐射的一部分穿过所述第一辐射出射面(10A)离开半导体本体(10)。半导体本体(10)具有第一电联接层(121)和第二电联接层(122)，其中第二电联接层(122)至少部分设置在留空部(160)中。在第一辐射出射面(10A)下游设置有辐射可穿透的载体(140)，所述载体借助于辐射可穿透的连接层(132)与半导体本体(10)材料配合地连接。此外提出一种用于制造光电子器件(1)的方法。
光电子器件用于制造方法

[发明专利]具有透明电流扩展层的半导体芯片-CN201880044111.9有效
发明人： 坦森·瓦尔盖斯 -专利权人：欧司朗OLED股份有限公司
申请日： 2018-06-21 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：提出一种半导体芯片(10)，所述半导体芯片具有辐射可穿透的载体(1)、半导体本体(2)以及透明电流扩展层(3)，其中半导体本体具有n侧半导体层(21)、p侧半导体层(22)以及处于其之间的光学有源区(23)。半导体本体借助于辐射可穿透的连接层(5)与载体固定。电流扩展层基于硒化锌并且邻接于n侧半导体层。此外，提出一种用于制造这种半导体芯片的方法。
具有透明电流扩展半导体芯片

[发明专利]具有减少的吸收的器件和用于制造器件的方法-CN202080056469.0在审
发明人： 坦森·瓦尔盖斯;彼得鲁斯·松德格伦 -专利权人：欧司朗光电半导体有限公司
申请日： 2020-07-23 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： H01L33/08 文献下载
摘要：提出一种器件(10)，其具有载体(1)、设置在所述载体上的半导体本体(2)、至少局部地设置在所述载体和所述半导体本体之间的中间层(3、31、32)和第一接触结构(41)，其中所述半导体本体具有第一半导体层(21)、第二半导体层(22)和有源区(23)，所述有源区沿竖直方向设置在所述半导体层(21、22)之间并且设立为用于产生电磁辐射。所述有源区沿着侧向方向具有局部去激活的区域(23D、23E)，所述局部去激活的区域不设立为用于产生电磁辐射。所述半导体本体具有开口(2R)，所述开口穿过所述第二半导体层和所述有源区朝向所述第一半导体层延伸，其中所述开口与所述有源区的去激活的区域不同并且部分地用所述中间层的材料填充。此外，所述第一接触结构设立为用于对所述第一半导体层进行电接触并且在俯视图中与所述开口重叠。此外提出一种用于制造这种器件的方法。
具有减少吸收器件用于制造方法

[发明专利]发射辐射的半导体芯片和发射辐射的半导体器件-CN202080022609.2在审
发明人： 坦森·瓦尔盖斯;布鲁诺·延奇 -专利权人：欧司朗光电半导体有限公司
申请日： 2020-03-04 - 公布日： 2021-11-12 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：提出一种发射辐射的半导体芯片(1)，具有：‑半导体层序列(2)，所述半导体层序列具有多个有源区域(3)和主延伸平面(4)，其中‑每个有源区域(3)具有主延伸方向(5)，‑每个有源区域(3)在运行时从平行于主延伸平面(4)伸展的发射器区域(6)发出电磁辐射，‑发射器区域(6)设置在规则的网格的网格点(7)上，所述网格点通过至少一个网格线(8)连接，和‑至少一个有源区域(3)的主延伸方向(5)与规则的网格的网格线(8)包围至少10°和最高80°的角度(11)。此外，提出一种具有这种半导体芯片(1)的发射辐射的半导体器件。
发射辐射半导体芯片半导体器件

[发明专利]光电子半导体器件及其制造方法-CN201980085245.X在审
发明人：马丁·贝林格;亚历山大·通基赫;坦森·瓦尔盖斯 -专利权人：欧司朗光电半导体有限公司
申请日： 2019-12-18 - 公布日： 2021-08-24 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：一种光电子半导体器件(10)具有有源区(120)，所述有源区包含用于构成量子阱结构的子层(111、112、113)。在此，在量子阱结构之内的能量级差在光电子半导体器件(10)的中央区域(14)中比在光电子半导体器件(10)的边缘区域(15)中更小。根据其他实施方式，光电子半导体器件(10)具有有源区(120)，所述有源区包含适合于构成量子阱结构的子层。在此，在有源区(120)中在光电子半导体器件的中央区域(14)中构成量子点结构(122)。在光电子半导体器件(10)的边缘区域(15)中不构成量子点结构。
光电子半导体器件及其制造方法

[发明专利]用于制造半导体组件的方法及半导体组件-CN201680007835.7有效
发明人：马修·迈因特尔;克里斯托弗·鲍尔;坦森·瓦尔盖斯 -专利权人：欧司朗光电半导体有限公司;艾克斯瑟乐普林特有限公司
申请日： 2016-01-28 - 公布日： 2020-03-03 - 主分类号： H01L25/075 文献下载
摘要：提供了用于制造多个半导体组件的方法，其中在衬底上施加具有第一半导体层、第二半导体层和有源区的半导体层序列。形成用于电接触第一和第二半导体层的接触结构。在半导体层序列上施加辅助衬底，使得半导体层序列布置在辅助衬底与衬底之间。在随后的步骤中，衬底从半导体层序列去除。半导体层序列通过形成使半导体本体分开的至少一个沟槽而结构化成多个半导体本体。形成锚固层以覆盖沟槽和半导体本体的垂直表面。通过对覆盖沟槽的区域中的锚固层进行结构化而形成多个约束件。辅助衬底从半导体本体局部分离，其中约束件保持附接至辅助衬底。通过使约束件从辅助衬底分开选择性地拾取至少一个半导体本体。此外，提供了通过所述方法制造的半导体组件。
用于制造半导体组件方法

[发明专利]用于制造半导体组件的方法及半导体组件-CN201680007715.7有效
发明人：马修·迈因特尔;克里斯托弗·鲍尔;坦森·瓦尔盖斯 -专利权人：欧司朗光电半导体有限公司;艾克斯瑟乐普林特有限公司
申请日： 2016-01-28 - 公布日： 2019-07-05 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：提供了一种用于制造多个半导体组件的方法，其中在衬底上施加具有第一半导体层、第二半导体层和有源区的半导体层序列。形成用于电接触第一半导体层和第二半导体层的接触结构。半导体层序列通过形成使半导体本体分离的至少一个沟槽而结构化成多个半导体本体。形成绝缘层以覆盖沟槽和半导体本体的垂直表面。通过对覆盖沟槽的区域中的绝缘层进行结构化而形成多个约束件。衬底从半导体本体局部分离，其中约束件保持附接至衬底。通过使约束件从衬底分离来选择性地拾取至少一个半导体本体。此外，提供了一种通过所述方法制造的半导体组件。
用于制造半导体组件方法

[发明专利]用于制造半导体器件的方法和半导体器件-CN201580009283.9有效
发明人：诺温·文马尔姆;亚历山大·F·普福伊费尔;坦森·瓦尔盖斯;菲利普·克罗伊特尔 -专利权人：欧司朗光电半导体有限公司
申请日： 2015-02-17 - 公布日： 2018-10-19 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：提出一种用于制造多个半导体器件(1)的方法，所述方法具有如下步骤：a)提供半导体层序列(2)，所述半导体层序列具有第一半导体层(21)、第二半导体层(22)和设置在第一半导体层和第二半导体层之间的有源区域(25)，所述有源区域设置用于产生和/或接收辐射；b)在第二半导体层的背离第一半导体层的一侧上构成第一连接层(31)；c)构成多个穿过半导体层序列的留空部(29)；d)在留空部中构成传导层(4)用于在第一半导体层和第一连接层之间建立导电连接；和e)分割成多个半导体器件，其中从半导体层序列中为每个半导体器件产生半导体本体(20)，所述半导体本体具有多个留空部中的至少一个留空部，并且该至少一个留空部在半导体本体的俯视图中完全地由半导体本体包围。此外，提出一种半导体器件。
用于制造半导体器件方法

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