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- [发明专利]半导体发光元件和半导体发光元件的制造方法-CN201980088201.2在审
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小鹿优太;门胁嘉孝
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同和电子科技有限公司
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2019-12-12
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2021-08-17
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H01L33/06
- 提供一种发光输出得以提高的半导体发光元件。本发明的半导体发光元件具备发光层，所述发光层具有将组成比互不相同的第一III‑V族化合物半导体层与第二III‑V族化合物半导体层反复层叠而得到的层叠结构，前述第一III‑V族化合物半导体层和前述第二III‑V族化合物半导体层均由选自Al、Ga和In以及选自As、Sb和P中的3种以上元素构成，前述第一III‑V族化合物半导体层的组成波长与前述第二III‑V族化合物半导体层的组成波长的组成波长差为50nm以下，并且，前述第一III‑V族化合物半导体层的晶格常数与前述第二III‑V族化合物半导体层的晶格常数的晶格常数差之比为0.05％以上且0.60％以下。
- 半导体发光元件制造方法
- [发明专利]半导体元件及其制造方法-CN201180073850.9有效
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曹明焕;李锡雨;鸟羽隆一;门胁嘉孝
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BBSA有限公司;同和电子科技有限公司
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2011-09-28
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2014-06-25
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H01L21/306
- 本发明提供一种高质量的半导体元件和该半导体元件的制造方法，其中在该半导体元件中，抑制了从半导体结构部的角部附近向着中央部延伸的X型裂纹、以及该半导体结构部的中央部的点状裂纹的发生。该半导体元件的制造方法包括以下步骤：在生长衬底(101)上经由剥离层(102)形成半导体层压体(103)；通过在半导体层压体(103)上设置格子状的槽(108)来形成横截面形状大致为四边形的多个半导体结构部(107)；形成导电性支撑体(112)；以及通过使用化学剥离技术来去除剥离层(102)。在该步骤中，在从配置在导电性支撑体(112)的位于槽(108)上方的部分中的贯通孔(114)向槽(108)供给蚀刻剂时，仅从各半导体结构部(107)的一个侧面(117A)开始进行剥离层的蚀刻。
- 半导体元件及其制造方法
- [发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201080071007.2有效
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鸟羽隆一;门胁嘉孝;曹明焕;李锡雨;张弼国
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同和电子科技有限公司;伟方亮有限公司
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2010-12-28
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2013-09-04
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H01L21/28
- 本发明对于n型III族氮化物半导体获得良好的欧姆结合。在图1（b）中，在剥离层（21）上，依次成膜n型GaN层（11）、p型GaN层（13）、即进行生长工序。如图1（c）所示，在p型GaN层（13）的表面上面形成p侧电极（14）。如图1（d）所示，经由金属帽（31）在整个上面形成铜块（32）。之后，通过化学性处理去除剥离层（21），即进行剥离工序。接下来，对这个面上暴露出的n型GaN层（11）和p型GaN层（12）的层积构造进行了异方性湿式蚀刻，即进行表面蚀刻工序。如图1（f）所示，上述蚀刻后的N极性面其表面形状由{10-1-1}面群所构成的凹凸构成。其次，如图1（g）所示，在此状态的n型GaN层（11）的下面，形成n侧电极（电极）（12），即进行电极形成工序。
- 半导体装置及其制造方法
- [发明专利]半导体元件及其制造方法-CN201180037298.8有效
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门胁嘉孝;丰田达宪
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同和电子科技有限公司
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2011-07-26
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2013-04-10
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H01L33/32
- 本发明提供一种不会在分离时由于化合物半导体层的内部应力而生成化合物半导体层裂纹的半导体元件及其制造方法。一种半导体元件的制造方法，其是具备在支撑基板（30）上接合有半导体层的结构的半导体元件制造方法，其具备在生长基板（11）上经由分离层（12）来形成由半导体层构成的元件区域（15a）的元件区域形成工序、在生长基板上形成柱状物（21）的柱状物形成工序、在支撑基板接合半导体层以及柱状物上部的接合工序、通过去除分离层使半导体层下表面与生长基板分离，并且不让柱状物与生长基板分离的分离工序，以及将柱状物与支撑基板分离的工序。
- 半导体元件及其制造方法
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