[发明专利]有机半导体薄膜的形成方法、以及使用该方法的有机半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201580038837.8 | 申请日： | 2015-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN106796987B | 公开（公告）日： | 2019-03-01 |
| 发明（设计）人： | 酒井正俊;工藤一浩;贞光雄一 | 申请（专利权）人： | 日本化药株式会社 |
| 主分类号： | H01L51/05 | 分类号： | H01L51/05;H01L21/336;H01L21/368;H01L29/786;H01L51/40 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 胡嵩麟;王海川 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供可以通过短时间的处理形成有机半导体薄膜的有机半导体薄膜的形成方法，并且提供利用上述有机半导体薄膜的有机半导体器件，以及生产量高的有机半导体器件的制造方法。在包含有机半导体材料(7)的有机半导体薄膜(4)的形成方法中，对有机半导体材料(7)一边施加压力一边赋予超声波振动，由此将有机半导体材料(7)制成薄膜。有机半导体器件的制造方法为包含有机半导体薄膜的有机半导体器件的制造方法，其中，通过上述形成方法形成有机半导体薄膜。有机半导体器件为通过上述制造方法制造的有机半导体器件。 | ||
| 搜索关键词： | 有机半导体 薄膜 形成 方法 以及 使用 有机 半导体器件 及其 制造 | ||
【主权项】：
1.一种有机半导体器件的制造方法，其为包含有机半导体薄膜的有机半导体器件的制造方法，其特征在于，所述有机半导体器件为有机薄膜晶体管，所述有机薄膜晶体管为有机场效应晶体管，所述有机场效应晶体管在基材上具备：以相互隔开的方式设置的源极和漏极、设置在所述源极与所述漏极之间的含有包含有机半导体材料的有机半导体薄膜的半导体层、以与所述半导体层相对的方式设置的栅极、以及设置在所述半导体层与所述栅极之间的绝缘层；所述制造方法包括：在形成有机半导体薄膜前将有机半导体材料配置在所述基材上的配置工序，通过以下方法形成有机半导体薄膜：对有机半导体材料一边施加压力一边赋予超声波振动，由此将有机半导体材料制成薄膜。
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- 本发明涉及一种基于非对称有机空穴传输材料的仅空穴半导体二极管器件，包含阳极，阴极，和有机层，所述有机层为电子阻挡层、空穴传输层、空穴注入层中的一层或多层，所述有机层具有式(I)所述的化合物，其中，R1与R2分别独立地选自为氢、具有1～8个碳原子的烷基、具有2～8个碳原子的烯烷基、具有2～8个碳原子的炔烷基、或具有5～20个碳原子的芳香基。实验表明，本发明的式(I)所述的化合物具有高玻璃化转变温度，热稳定性高，所制备的仅空穴有机半导体二极管器件性能良好且稳定，器件寿命长。
- 一种柔性铁电场效应管及其制备方法-201910020257.6
- 廖敏;陈新;郑帅至;彭强祥;尹路;周益春 - 湘潭大学
- 2019-01-09 - 2019-05-10 - H01L51/05
- 本发明公开了一种柔性铁电场效应管，包括：水平衬底、源极、漏极和缓冲层；水平衬底经过刻蚀后达到预设厚度，使水平衬底可实现预设弯曲半径范围的弯曲；源极和漏极间隔设置在水平衬底的一面上；源极设置有源电极；漏极设置有漏电极；缓冲层设置在水平衬底的一面上，且位于源极和漏极之间，缓冲层远离水平衬底的一面上设置有铁电薄膜层，铁电薄膜层远离缓冲层的一面上设置有栅电极。还公开了一种柔性铁电场效应管的制备方法。本发明通过采用刻蚀减薄衬底材料厚度以实现柔性铁电场效应管，具有工艺简单和成本低廉等优点；通过利用氧化铪基铁电薄膜层在超薄状态仍具有的优异铁电性，提高了场效应管的存储容量，降低了器件的发热量和能耗。
- 制造有机场效应晶体管的方法和有机场效应晶体管-201480023257.7
- 汉斯·克勒曼;比约恩·吕塞姆;卡尔·利奥;阿伦·京特 - 诺瓦尔德股份有限公司
- 2014-04-15 - 2019-05-10 - H01L51/05
- 本公开内容涉及制造有机场效应晶体管的方法，所述方法包括如下步骤：在基底上设置栅电极(1)和分配给栅电极(1)的用于电绝缘的栅绝缘体(2)，在所述栅绝缘体(2)上沉积第一有机半导体层(3)，生成第一电极(4)和分配给第一电极(4)的用于电绝缘的电极绝缘体(5)，在第一有机半导体层(3)和电极绝缘体(5)上沉积第二有机半导体层(6)，以及生成第二电极(7)，其中所述方法还包括以下步骤中的至少一个：在生成第一电极(4)和电极绝缘体(5)之前在第一有机半导体层(3)上生成第一掺杂材料层(13)使得电极绝缘体(5)与第一电极(4)至少部分地生成在第一掺杂材料层(13)上，并且在生成第二电极(7)之前在第二有机半导体层(6)上生成第二掺杂材料层(14)使得第二电极(7)至少部分地生成在第二掺杂材料层(14)上。此外，提供了一种有机场效应晶体管。
- 一种可低电压擦写的铁电有机晶体管非易失性存储器-201611103212.8
- 王伟 - 吉林大学
- 2016-12-05 - 2019-05-07 - H01L51/05
- 本发明公开了一种可低电压擦写的铁电有机晶体管非易失性存储器，分为底栅和顶栅两类结构；其中，底栅结构从下到上依次由衬底、栅电极、夹心结构的栅介质层、有机半导体层及源漏电极组成；顶栅结构从下到上依次由衬底、源漏电极、有机半导体层、夹心结构的栅介质层及栅电极组成；所述的夹心结构的栅介质层为两层超薄的绝缘薄膜中间夹着超薄的铁电薄膜组成。铁电薄膜能在低的擦写电压下发生极化反转，利于在低电压下进行擦写操作。两层超薄的绝缘薄膜极大的抑制了因使用铁电薄膜而产生的栅泄露电流，能保证存储器的工作稳定性和可靠性。此外，插入在超薄铁电薄膜和有机半导体层之间的超薄绝缘薄膜能提升电荷在沟道内传输的迁移率，利于提升存储器的工作频率。
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
