[发明专利]有机半导体薄膜的形成方法、以及使用该方法的有机半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种有机半导体器件的制造方法，其为包含有机半导体薄膜的有机半导体器件的制造方法，其特征在于，

所述有机半导体器件为有机薄膜晶体管，

所述有机薄膜晶体管为有机场效应晶体管，所述有机场效应晶体管在基材上具备：以相互隔开的方式设置的源极和漏极、设置在所述源极与所述漏极之间的含有包含有机半导体材料的有机半导体薄膜的半导体层、以与所述半导体层相对的方式设置的栅极、以及设置在所述半导体层与所述栅极之间的绝缘层；

所述制造方法包括：在形成有机半导体薄膜前将有机半导体材料配置在所述基材上的配置工序，

通过以下方法形成有机半导体薄膜：对有机半导体材料一边施加压力一边赋予超声波振动，由此将有机半导体材料制成薄膜。

2.根据权利要求1所述的有机半导体器件的制造方法，其特征在于，

通过对有机半导体材料一边施加压力一边赋予超声波振动而使固相的有机半导体材料发生相变，然后使有机半导体材料重结晶，由此将有机半导体材料制成薄膜。

3.根据权利要求1所述的有机半导体器件的制造方法，其特征在于，

在对有机半导体材料赋予超声波振动的同时，对有机半导体材料进行传导加热。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的有机半导体器件的制造方法，其特征在于，

对夹在一对基材之间的有机半导体材料一边施加压力一边赋予超声波振动。

5.根据权利要求4所述的有机半导体器件的制造方法，其特征在于，

所述一对基材为树脂膜。

6.根据权利要求1～3、5中任一项所述的有机半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述配置工序中，对于在所述基材上设置有所述源极和漏极的所述基材，将有机半导体材料以固体状态或熔融状态配置在所述基材上的所述源极与所述漏极之间的区域或其附近。

7.根据权利要求4所述的有机半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述配置工序中，对于在所述基材上设置有所述源极和漏极的所述基材，将有机半导体材料以固体状态或熔融状态配置在所述基材上的所述源极与所述漏极之间的区域或其附近。

8.根据权利要求1～3、5中任一项所述的有机半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述配置工序中，对于在所述基材上设置有所述源极和漏极的所述基材，将含有有机半导体材料的溶液涂布在所述基材上，然后进行干燥，由此将有机半导体材料配置在所述基材上的所述源极与所述漏极之间的区域或其附近。

9.根据权利要求4所述的有机半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述配置工序中，对于在所述基材上设置有所述源极和漏极的所述基材，将含有有机半导体材料的溶液涂布在所述基材上，然后进行干燥，由此将有机半导体材料配置在所述基材上的所述源极与所述漏极之间的区域或其附近。