[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 201510092967.1 | 申请日： | 2015-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN105280720A | 公开（公告）日： | 2016-01-27 |
| 发明（设计）人： | 松下宪一 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L29/868 | 分类号： | H01L29/868 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 张世俊 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的实施方式提供一种可抑制电流及电压的振荡的半导体装置。实施方式的半导体装置包含：半导体衬底，包含第1面、及与第1面对向的第2面；第一p型半导体区域，选择性地设置在第1面侧；第一n型半导体区域，设置在第2面侧；第二n型半导体区域，设置在第一p型半导体区域与第一n型半导体区域之间，且n型杂质浓度比第一n型半导体区域低；第三n型半导体区域，设置在第一p型半导体区域与第二n型半导体区域之间，且n型杂质浓度比第二n型半导体区域低；第四n型半导体区域，设置在第一n型半导体区域与第二n型半导体区域之间，n型杂质浓度比第二n型半导体区域低，且载流子寿命比第三n型半导体区域长；阳极电极；及阴极电极。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其特征在于包括：半导体衬底，包含第1面、及与所述第1面对向的第2面；第一p型半导体区域，选择性地设置在所述半导体衬底的所述第1面侧；第一n型半导体区域，设置在所述半导体衬底的所述第2面侧；第二n型半导体区域，设置在所述第一p型半导体区域与所述第一n型半导体区域之间的所述半导体衬底中，且n型杂质浓度比所述第一n型半导体区域低；第三n型半导体区域，设置在所述第一p型半导体区域与所述第二n型半导体区域之间的所述半导体衬底中，且n型杂质浓度比所述第二n型半导体区域低；第四n型半导体区域，设置在所述第一n型半导体区域与所述第二n型半导体区域之间的所述半导体衬底中，n型杂质浓度比所述第二n型半导体区域低，且载流子寿命比所述第三n型半导体区域长；阳极电极，电连接于所述第一p型半导体区域；及阴极电极，电连接于所述第一n型半导体区域。
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- 2017-05-05 - 2018-02-02 - H01L29/868
- 本实用新型涉及一种横向PIN二极管。该器件包括SOI衬底(101)；第一P区台阶(102)、第一N区台阶(103)、第二P区台阶(104)、第二N区台阶(105)、第三P区台阶(106)及第三N区台阶(107)，分别设置于SOI衬底(101)内并位于SOI衬底(101)的两侧；其中，第二P区台阶(104)及第二N区台阶(105)分别位于第一P区台阶(102)及第一N区台阶(103)的下侧；第三P区台阶(106)及第三N区台阶(107)分别位于第二P区台阶(104)及第二N区台阶(105)的下侧。本实用新型通过在SOI衬底上制备多个台阶形成多层沟道，利用两个沟道内高浓度载流子的叠加作用使得整个本征区内载流子浓度达到均匀，从而提高了横向PIN二极管的功率密度，增强了PIN二极管的固态等离子体特性。
- 二极管-201710546131.3
- 徐哲;刘钺杨;吴迪;曹功勋;和峰;何延强;王耀华;刘江;崔磊;金锐;温家良;潘艳 - 全球能源互联网研究院有限公司
- 2017-07-06 - 2017-12-22 - H01L29/868
- 本发明提供了一种二极管，包括依次分布的阳极P区、阴极N‑区和阴极N+区；其中，在该N‑区中设置有N型控制区，其中该N型控制区的平均掺杂浓度大于该N‑区的平均掺杂浓度，该N型控制区的厚度小于该N‑区的厚度。二极管容易产生震荡的一个原因是电场的截止位置处缺少相应的载流子，从而造成电流的急剧变化而产生震荡，通过加入N型控制层可以控制电场的分布，从而使得电场截止的位置处仍然具有一定的载流子浓度，不会使电流发生急剧变化而产生震荡，从而解决了现有技术中二极管在反向恢复过程中容易发生snap‑off现象的问题，延长了二极管的使用寿命。
- 高电压正‑本‑负PIN二极管-201720311012.5
- 韦维克;许健;陈柏安;苏柏拉曼亚·加亚谢拉拉欧;阿南德;赛义德·萨瓦尔·以曼 - 新唐科技股份有限公司
- 2017-03-28 - 2017-12-08 - H01L29/868
- 本实用新型提供一种高电压正‑本‑负PIN二极管，形成在半导体基底上的绝缘结构。该绝缘结构是在该基底中的高电压掺杂井区上。该PIN二极管包括半导体层，位于该绝缘结构上，其中该半导体层包含第一导电型的第一掺杂区与第二导电型的至少一个第二掺杂区，以及在该第一掺杂区与该至少一个第二掺杂区之间未被掺杂或是淡掺杂的至少一个本征区。该第一导电型与该第二导电型相反。至少一个内连接结构，在该绝缘结构上，用以电连接该至少一个本征区到该高电压掺杂井区。
- 一种贴片快恢复二极管-201710544541.4
- 不公告发明人 - 如皋市大昌电子有限公司
- 2017-07-06 - 2017-10-24 - H01L29/868
- 本发明公开了一种贴片快恢复二极管，包括安装底座、贴片式快恢复二极管本体、连接耳、固定螺丝、第一引脚、导电板、压头、压块、弹性金属片、小型旋紧螺母、第二引脚，所述安装底座顶部开有凹槽，且安装底座的凹槽内置贴片式快恢复二极管本体，所述贴片式快恢复二极管本体底部设有连接耳，所述连接耳上开有安装孔，与现有技术相比，本发明的有益效果是该发明一种贴片快恢复二极管，设计科学合理，本贴片快恢复二极管与电路板之间的安装十分方便，且更换二极管主体时，只需旋动小型旋紧螺母和固定螺丝，即可取出贴片式快恢复二极管主体，而后将新的贴片式快恢复二极管插入安装底座即可，无需拆出电路板，带来不必要的麻烦。
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