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[发明专利]一种功率管测试压接装置-CN202011430353.7在审
发明人：李志强;朱建彬;曾瑞锋;陈志勇 -专利权人： 南京国博电子有限公司;南京国微电子有限公司
申请日： 2020-12-07 - 公布日： 2021-03-23 - 主分类号： G01R1/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种功率管测试压接装置，包括测试底座，在测试底座表面开设凹槽，功率管置于凹槽内；在功率管表面覆设测试压接装置本体，测试压接装置本体将功率管的引脚、管帽压住，实现功率管在测试底座表面凹槽内的固定；本申请提供的测试压接装置本体可以实现功率管与测试底座的紧密贴合，提高了测试效率，同时测试压接装置本体能自散热，避免对功率管射频性能造成影响。
一种功率管测试装置

[发明专利]一种微波毫米波封装结构及方法-CN202011299252.0在审
发明人：沈宏昌;蔡传涛;王玉洁;梁皓辰 -专利权人： 南京国博电子有限公司
申请日： 2020-11-19 - 公布日： 2021-03-16 - 主分类号： H01L23/373 文献下载
摘要：本发明公开了一种微波毫米波封装结构及方法，结构上包括硅基转接板、塑封包装、锡球，芯片置于硅基转接板上，芯片与硅基转接板之间设有金球，芯片的上部贴装有低阻硅，所述硅基转接板外设有包裹芯片的塑封包装，锡球设置于硅基转接板的底部；本发明的倒扣封装结构包含多个进行倒扣封装的芯片，硅基转接板，低阻硅片，塑封材料和焊球，低阻硅片贴装在芯片背面，芯片封装到硅基转接板上，硅基转接板再通过焊球与外部连接。本发明能够提高倒扣封装结构的散热性能，提高芯片的电磁性能，可以广泛应用于倒扣封装中。
一种微波毫米波封装结构方法

[发明专利]基于IPD技术的超宽带及宽阻带带通滤波器-CN202011265150.7在审
发明人：周雨进;韦皓宇;周骏;沈亚 -专利权人： 南京国博电子有限公司
申请日： 2020-11-12 - 公布日： 2021-03-09 - 主分类号： H01P1/212 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于IPD技术的超宽带及宽阻带带通滤波器，其总共包括六个螺旋电感和九个电容元件，其中螺旋电感两端均被绕成半圆形，集总电容元件采用MIM平板电容的形式；螺旋电感的一端与馈电端口连接，电感的另一端与平板电容的下层金属板连接电容的下层金属板与接地电容连接，电容上层金属板与接地电容连接，滤波器的另一半和前述结构则关于整个滤波器的中心对称；两个螺旋电感连接处与螺旋电感一端连接，另一端连接平板电容上平板，电容的上平板与接地电容连接，电容的下平板与接地螺旋电感和接地平板电容连接，并且电感与电容最终通过金属过孔接地。本发明具有易实现、超宽通带和良好的阻带抑制等特点，在射频与微波电路中有广泛的应用前景。
基于 ipd 技术宽带宽阻带带通滤波器

[发明专利]一种简易高效的植球装置-CN202011262695.2在审
发明人：杨东升;师建行;尹庭辉;刘思怡;沈国策 -专利权人： 南京国博电子有限公司
申请日： 2020-11-12 - 公布日： 2021-03-02 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：本发明涉及一种简易高效的植球装置，包括真空吸附平台及网板，真空吸附平台有两路独立的真空，分别对待植球芯片及网板进行真空吸附固定；网板通过硅片或玻璃制作，网板上表面通过腐蚀形成腔体，中部通过腐蚀或激光切割形成与待植球芯片对应的通孔。植球时，先通过一路真空管路吸附待植球芯片，另一路真空管路吸附助焊剂印刷网板，然后印刷助焊剂，接着取下网板；接着通过另一路真空管路吸附植球网板进行植球后垂直取下植球网板，然后将已植球芯片放入炉中回流即可。优点：该装置制造周期短、加工成本低、使用简易方便，便于不同产品间的简便切换。通过硅片做网板解决了传统钢网存在的翘曲，实现超小球的高精度、高效率植球工艺。
一种简易高效装置

[发明专利]一种微波收发前端电路-CN202011190696.0在审
发明人：沈宏昌;浦鈺钤;李大伟;王冲 -专利权人： 南京国博电子有限公司
申请日： 2020-10-30 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： H04B10/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种微波收发前端电路，涉及微波收发前端电路技术领域，包括第一耦合器、第二耦合器、第一功率放大器、第二功率放大器、低噪声放大器、第一微带、第一到地开关、第二微带、第二到地开关和负载电阻。本发明还公开了一种微波收发前端电路，包括第一耦合器、第二耦合器、第一功率放大器、第二功率放大器、低噪声放大器和负载电阻。本发明可以减小电路损耗，提升电路性能，缩小电路占用面积和降低成本。
一种微波收发前端电路

[发明专利]一种多尔蒂功率放大器及其输入信号处理方法-CN201910654502.9有效
发明人：曾瑞锋;陈志勇;张振东;陈新宇 -专利权人： 南京国博电子有限公司
申请日： 2019-07-19 - 公布日： 2020-09-25 - 主分类号： H03F1/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种多尔蒂功率放大器及其输入信号处理方法。本发明的多尔蒂功率放大器包括限幅控制单元、峰值放大器、载波放大器，所述限幅控制单元包括耦合器、检波电路、控制电路，其特征在于：还包括输入信号处理单元，所述输入信号处理单元包括功率分配器、第一环形器、第一限幅器、第二环形器、第二限幅器；所述输入信号处理单元的输入端接射频输入信号，所述输入信号处理单元的第一输出端接载波放大器的输入端，所述输入信号处理单元的第二输出端接峰值放大器的输入端，所述输入信号处理单元的控制端接控制电路的输出端。本发明的输入信号处理方法能够有效提高多尔蒂功率放大器的饱和输出功率，改善多尔蒂功率放大器的线性度。
一种多尔蒂功率放大器及其输入信号处理方法

[实用新型]用于控制数控衰减器信号过冲的电路-CN201920224251.6有效
发明人：陈悦鹏;陈亮;周猛 -专利权人： 南京国博电子有限公司
申请日： 2019-02-22 - 公布日： 2019-12-20 - 主分类号： H03H11/24 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种用于控制数控衰减器信号过冲的电路，是包括射频衰减模块、驱动控制模块、逻辑控制模块，射频衰减模块由多个不同衰减量的衰减模块级联构成，每个衰减模块包括电阻、控制开关，有衰减状态和参考状态两种工作状态；逻辑控制模块输出控制信号至驱动控制模块；驱动控制模块将控制信号转换为反相控制信号，通过反相控制信号控制衰减模块工作状态的组合，得到不同的总衰减量。优点：在逻辑控制模块和射频衰减模块之间插入驱动控制电路，通过改变控制信号的上升沿和下降沿的延时，无需加入额外的逻辑控制电路就能够解决数控衰减器在状态切换过程中出现信号过冲的问题，电路结构简单效果明显。
逻辑控制模块驱动控制模块射频衰减模块衰减模块反相控制信号数控衰减器控制信号衰减量逻辑控制电路驱动控制电路状态切换过程本实用新型参考状态电路结构输出控制衰减状态上升沿下降沿电阻级联延时电路转换

[发明专利]用于控制数控衰减器信号过冲的电路-CN201910133273.6在审
发明人：陈悦鹏;陈亮;周猛 -专利权人： 南京国博电子有限公司
申请日： 2019-02-22 - 公布日： 2019-05-03 - 主分类号： H03H11/24 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于控制数控衰减器信号过冲的电路，是包括射频衰减模块、驱动控制模块、逻辑控制模块，射频衰减模块由多个不同衰减量的衰减模块级联构成，每个衰减模块包括电阻、控制开关，有衰减状态和参考状态两种工作状态；逻辑控制模块输出控制信号至驱动控制模块；驱动控制模块将控制信号转换为反相控制信号，通过反相控制信号控制衰减模块工作状态的组合，得到不同的总衰减量。优点：在逻辑控制模块和射频衰减模块之间插入驱动控制电路，通过改变控制信号的上升沿和下降沿的延时，无需加入额外的逻辑控制电路就能够解决数控衰减器在状态切换过程中出现信号过冲的问题，电路结构简单效果明显。
逻辑控制模块驱动控制模块射频衰减模块数控衰减器衰减模块反相控制信号控制信号衰减量电路逻辑控制电路驱动控制电路状态切换过程参考状态电路结构输出控制衰减状态上升沿下降沿电阻级联延时转换

[发明专利]一种宽带高线性带旁路功能的单片式低噪声放大器-CN201811039160.1在审
发明人：何旭;郑远;汪宁欢;陈新宇;杨磊 -专利权人： 南京国博电子有限公司
申请日： 2018-09-06 - 公布日： 2019-02-12 - 主分类号： H03F1/26 文献下载
摘要：本发明涉及一种宽带高线性带旁路功能的单片式低噪声放大器，包括一个低噪声放大器、串联开关、并联开关、A控制电路、B控制电路，其中串联开关输入端串接在低噪声放大器输出端，输出端与并联开关输出端并联，并联开关输入端与低噪声放大器输入端并联，A控制电路与低噪声放大器、串联开关串联连接，B控制电路与低噪声放大器、并联开关串联连接。优点：1）低噪声放大器使用共源共栅结构，使低噪声放大器工作时利用较小电流获得较高增益，同时保证器件较低的噪声系数，获得较大的工作带宽。2）采用GaAs E/D pHEMT工艺，将低噪声放大器、串联开关、并联开关、控制电路等单元全集成于单集成电路芯片实现，在较宽应用频率范围内实现信号的线性放大。
低噪声放大器并联开关控制电路串联开关输出端旁路功能单片式高线性输入端宽带共源共栅结构单集成电路输入端并联工作带宽线性放大芯片实现应用频率噪声系数高增益全集成小电流并联串接保证

[实用新型]一种温度补偿型移相器-CN201820823978.1有效
发明人：陈亮 -专利权人： 南京国博电子有限公司
申请日： 2018-05-30 - 公布日： 2019-01-29 - 主分类号： H03H11/16 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种温度补偿型移相器，包括温度检测单元，移相单元和可调器件单元，其中移相器单元输入端口连接射频输入端口，移相单元输入/输出端口连接可调器件单元输出/输入端口，移相单元输出端连接射频输出端口；温度检测单元输入端口连接电压/电流源信号输入端口，温度检测单元输出端口连接可调器件单元输入端口，温度检测单元输出控制信号，可调器件单元改变对射频信号的处理并反馈至移相器单元，移相单元综合处理射频输入信号和可调器件单元反馈信号后，输出射频信号。优点：1）对整个移相器的温度特性进行补偿，实现从‑55至125℃甚至更宽温度范围内的稳定移相特性。2）可单片集成，亦可采用分立器件搭建，应用灵活，成本较低。
可调器件温度检测单元移相单元移相器输入端口连接温度补偿型移相器单元输出/输入端口输入/输出端口单元输入端口射频输出端口射频输入端口射频输入信号输出端口连接输出射频信号信号输入端口本实用新型输出端连接单片集成反馈信号分立器件射频信号输出控制温度特性综合处理电流源反馈灵活应用

[实用新型]一种高功率射频开关-CN201820888986.4有效
发明人：陈亮 -专利权人： 南京国博电子有限公司
申请日： 2018-06-08 - 公布日： 2019-01-29 - 主分类号： H03K17/081 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种高功率射频开关，包括串联单元，变压器单元和并联单元，串联单元的输入端连接射频输入信号端口，控制端连接VC控制信号端口，输出端连接射频输出信号端口；变压器单元的初级线圈正极连接射频输出信号端口，负极接地，次级线圈正极连接并联单元，负极接地；并联单元的控制端口连接VCF控制信号端口，另一端口接地；所述VC控制信号和VCF控制信号是一对反相信号。优点：1）设有变压器单元，当初级线圈和次级线圈匝数比为N：1时，施加在并联单元上的电压仅为射频输出端口电压的1/N，有效减小了并联单元的非线性，显著提高开关的输出功率能力。2）可拓展成任意的单刀多掷或多刀多掷开关。3）应用灵活，成本较低，具有广阔应用前景。
并联单元变压器单元控制信号端口射频输出信号高功率射频初级线圈串联单元次级线圈负极接地控制信号正极连接多刀多掷开关射频输出端口射频输入信号本实用新型输出端连接输入端连接单刀反相信号广阔应用控制端口输出功率接地控制端匝数比减小施加灵活拓展应用

[发明专利]一种高增益高线性带旁路功能的单片式低噪声放大器-CN201811039176.2在审
发明人：何旭;郑远;汪宁欢;陈新宇;杨磊 -专利权人： 南京国博电子有限公司
申请日： 2018-09-06 - 公布日： 2019-01-11 - 主分类号： H03F1/26 文献下载
摘要：本发明涉及一种高增益高线性带旁路功能的单片式低噪声放大器，包括一个低噪声放大器、串联开关、并联开关、两个控制电路，其中串联开关输入端串接在低噪声放大器输出端，输出端与并联开关输出端并联，并联开关输入端与低噪声放大器输入端并联，一个控制电路与低噪声放大器、串联开关串接，另一个控制电路与低噪声放大器、并联开关串接。优点：1）使用改良的电流复用结构，利用较小的工作电流在工作频段内获得较高的增益与平坦度同时保证器件较低噪声系数。2）采用GaAs E/D pHEMT工艺，提高了器件集成度和模块可靠性。3）在共源管源极串联控制晶体管对低噪声放大器的工作模式进行控制，减小寄生电容，同时防止大射频信号注入时低噪声放大器打开。
低噪声放大器并联开关串联开关控制电路输出端串接旁路功能单片式高线性高增益输入端串联控制晶体管电流复用结构低噪声系数器件集成度输入端并联工作电流工作模式工作频段寄生电容射频信号共源管平坦度并联减小源极改良保证

[实用新型]一种片上集成可变匝数比变压器-CN201820888191.3有效
发明人：陈亮 -专利权人： 南京国博电子有限公司
申请日： 2018-06-08 - 公布日： 2018-12-25 - 主分类号： H01F21/12 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种片上集成可变匝数比变压器，包括两个初级线圈单元、两个开关单元和初级线圈单元，其中A初级线圈单元连接射频输入端口正极和A开关单元输入端口，A开关单元的输出端口连接B开关单元和B初级线圈单元正极，B初级线圈单元负极连接B开关单元，B开关单元输入端口连接射频输入端口负极，次级线圈正极和负极分别连接射频输出端口正极和负极，次级线圈单元通过电磁耦合输出射频输入信号；通过A开关单元和B开关单元控制变压器匝数比。优点：1）变压器匝数比可根据需要提供多种阻抗变化、电压变换和电流变换节省器件成本。2）一次设计可用于多种应用，节省时间成本。3）成本低，具有广阔的应用前景和价值。
开关单元初级线圈单元正极匝数比变压器负极射频输入端口片上集成可变次级线圈单元开关单元控制射频输出端口射频输入信号输出端口连接输入端口连接本实用新型次级线圈电磁耦合电流变换电压变换负极连接器件成本时间成本输入端口阻抗变化可用应用输出

[实用新型]一种应用于高频开关单片电路的PIN二极管-CN201820671316.7有效
发明人：蒋东铭 -专利权人： 南京国博电子有限公司
申请日： 2018-05-07 - 公布日： 2018-11-13 - 主分类号： H01L29/868 文献下载
摘要：本实用新型提出的是一种应用于高频开关单片电路的PIN二极管，其结构包括GaAs衬底、P型半导体层、I型半导体层、N型半导体层，其中GaAs衬底的表面自下而上依次设置N型半导体层、I型半导体层、P型半导体层；所述的N型半导体层在GaAs衬底的Y方向两侧分别设有N1和N2两个引线输出端，P型半导体层在GaAs衬底的X方向两侧分别设有P1和P2两个引线输出端。优点：1）利用空气桥工艺实现两个PIN二极管并联的效果；2）减小阻抗，保证开关在关断时的隔离度；3）关闭时增加的寄生电容、电阻对开关的插损影响较小。
衬底单片电路高频开关输出端本实用新型工艺实现寄生电容依次设置隔离度空气桥并联插损电阻关断减小阻抗应用保证

[发明专利]一种温度补偿型移相器-CN201810541173.2在审
发明人：陈亮 -专利权人： 南京国博电子有限公司
申请日： 2018-05-30 - 公布日： 2018-10-12 - 主分类号： H03H11/16 文献下载
摘要：本发明涉及一种温度补偿型移相器，包括温度检测单元，移相单元和可调器件单元，其中移相器单元输入端口连接射频输入端口，移相单元输入/输出端口连接可调器件单元输出/输入端口，移相单元输出端连接射频输出端口；温度检测单元输入端口连接电压/电流源信号输入端口，温度检测单元输出端口连接可调器件单元输入端口，温度检测单元输出控制信号，可调器件单元改变对射频信号的处理并反馈至移相器单元，移相单元综合处理射频输入信号和可调器件单元反馈信号后，输出射频信号。优点：1）对整个移相器的温度特性进行补偿，实现从‑55至125℃甚至更宽温度范围内的稳定移相特性。2）可单片集成，亦可采用分立器件搭建，应用灵活，成本较低。
可调器件温度检测单元移相单元移相器输入端口连接温度补偿型移相器单元输出/输入端口输入/输出端口单元输入端口射频输出端口射频输入端口射频输入信号输出端口连接输出射频信号信号输入端口输出端连接单片集成反馈信号分立器件射频信号输出控制温度特性综合处理电流源反馈灵活应用

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