[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 201510092967.1 | 申请日： | 2015-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN105280720A | 公开（公告）日： | 2016-01-27 |
| 发明（设计）人： | 松下宪一 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L29/868 | 分类号： | H01L29/868 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 张世俊 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
1.一种半导体装置，其特征在于包括：
半导体衬底，包含第1面、及与所述第1面对向的第2面；
第一p型半导体区域，选择性地设置在所述半导体衬底的所述第1面侧；
第一n型半导体区域，设置在所述半导体衬底的所述第2面侧；
第二n型半导体区域，设置在所述第一p型半导体区域与所述第一n型半导体区域之间的所述半导体衬底中，且n型杂质浓度比所述第一n型半导体区域低；
第三n型半导体区域，设置在所述第一p型半导体区域与所述第二n型半导体区域之间的所述半导体衬底中，且n型杂质浓度比所述第二n型半导体区域低；
第四n型半导体区域，设置在所述第一n型半导体区域与所述第二n型半导体区域之间的所述半导体衬底中，n型杂质浓度比所述第二n型半导体区域低，且载流子寿命比所述第三n型半导体区域长；
阳极电极，电连接于所述第一p型半导体区域；及
阴极电极，电连接于所述第一n型半导体区域。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：与所述第1面垂直的方向的氢或氦的浓度分布在所述第二n型半导体区域中具有峰值。
3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于：还包含第五n型半导体区域，该第五n型半导体区域包围所述第一p型半导体区域、所述第二n型半导体区域、所述第三n型半导体区域、及所述第四n型半导体区域而设置在所述半导体衬底中，n型杂质浓度比所述第二n型半导体区域低，且载流子寿命比所述第四n型半导体区域短。
4.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于：所述第三n型半导体区域的与所述第1面垂直的方向的厚度厚于所述第四n型半导体区域的与所述第1面垂直的方向的厚度。
5.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于：在所述半导体衬底的所述第1面侧还包含多个第二p型半导体区域，所述多个第二p型半导体区域是在与所述第一p型半导体区域之间隔着所述第五n型半导体区域，包围所述第一p型半导体区域而设置。
6.一种半导体装置，其特征在于包括：
半导体衬底，包含第1面、及与所述第1面对向的第2面；
第一p型半导体区域，选择性地设置在所述半导体衬底的所述第1面侧；
第一n型半导体区域，设置在所述半导体衬底的所述第2面侧；
第二n型半导体区域，设置在所述第一p型半导体区域与所述第一n型半导体区域之间的所述半导体衬底中，且n型杂质浓度比所述第一n型半导体区域低；
第三n型半导体区域，设置在所述第一p型半导体区域与所述第二n型半导体区域之间的所述半导体衬底中，且n型杂质浓度比所述第二n型半导体区域低；
第四n型半导体区域，设置在所述第一n型半导体区域与所述第二n型半导体区域之间的所述半导体衬底中，且n型杂质浓度比所述第二n型半导体区域低；
阳极电极，电连接于所述第一p型半导体区域；以及
阴极电极，电连接于所述第一n型半导体区域；且
与所述第1面垂直的方向的氢或氦的浓度分布在所述第二n型半导体区域中具有峰值。
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