[发明专利]半导体装置的制造方法无效
| 申请号： | 201180020449.9 | 申请日： | 2011-04-21 |
| 公开（公告）号： | CN102859656A | 公开（公告）日： | 2013-01-02 |
| 发明（设计）人： | 小平真继 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/22 | 分类号： | H01L21/22;H01L21/225;H01L21/383;H01L31/04 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 岳雪兰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的半导体装置的制造方法包括：将掩模用墨（24）涂敷于半导体衬底（10）形成掩模（31、32）的工序以及形成扩散层（12，13）的工序，还包括在掩模用墨（24）的涂敷前、涂敷中及涂敷后的至少任一时机对掩模用墨（24）进行加热的工序和对掩模用墨（24）进行光照射的工序中的任一工序。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置的制造方法，其包括：将掩模用墨（24）涂敷于半导体衬底（10）形成掩模（31、32）的工序，以及形成扩散层（12、13）的工序；还包括在所述掩模用墨（24）的涂敷前、涂敷中及涂敷后的至少任一时机对所述掩模用墨（24）进行加热的工序和对所述掩模用墨（24）进行光照射的工序中的任一工序。
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- 2012-07-03 - 2017-08-25 - H01L21/22
- 本发明提供一种n型扩散层形成用组合物，其包括含有施主元素且软化温度为500℃以上且900℃以下，平均粒径为5μm以下的玻璃粉末；以及分散介质。
- p型扩散层形成组合物、p型扩散层的制造方法和太阳能电池元件的制造方法-201180020188.0
- 町井洋一;吉田诚人;野尻刚;冈庭香;岩室光则;足立修一郎;佐藤铁也;木泽桂子 - 日立化成工业株式会社
- 2011-04-22 - 2017-07-28 - H01L21/22
- 本发明的p型扩散层形成组合物含有含受体元素并且寿命扼杀剂元素的总量为1000ppm以下的玻璃粉末；和分散介质。通过涂布该p型扩散层形成组合物，实施热扩散处理，从而制造p型扩散层和具有p型扩散层的太阳能电池元件。
- 室温环境下激励砷化镓中金属原子扩散的方法-201510976237.8
- 徐万劲;李磊;李艳平;姚利;侯瑞祥;秦国刚 - 北京大学
- 2015-12-23 - 2017-06-30 - H01L21/22
- 本发明公开了一种激励砷化镓中金属原子扩散的方法，在室温环境下先通过感应耦合等离子体处理或其他方法在砷化镓材料或砷化镓器件表面引入表面缺陷，再对砷化镓材料或砷化镓器件进行一定剂量的伽马射线辐照，激活励砷化镓内的金属杂质扩散。该方法简单快捷，而且由于不需高温，不仅可用于改善砷化镓晶片的性能，还可用于改善砷化镓器件的性能。
- 半导体装置的制备方法及衬底处理装置-201410397419.5
- 桥本良知;广濑义朗;松冈树 - 株式会社日立国际电气
- 2014-08-13 - 2017-06-13 - H01L21/22
- 本发明涉及半导体装置的制备方法及衬底处理装置。在形成含有规定元素、碳和氮的膜时，提高膜中的组成的控制性。本发明的半导体装置的制备方法具有通过进行规定次数的循环从而在衬底上形成含有规定元素、碳和氮的膜的工序，所述循环含有以下工序向衬底供给含有规定元素和卤元素的第1处理气体的工序，向衬底供给由碳、氮和氢3种元素构成的第2处理气体的工序，和向衬底供给含有碳的第3处理气体的工序。
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
