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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]衬底处理装置、半导体器件的制造方法及记录介质-CN201810355413.X有效
发明人： 山本哲夫;丰田一行;松井俊 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2015-11-27 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： C23C16/34 文献下载
摘要：本发明提供一种使用等离子体形成高品质的膜的衬底处理装置、半导体器件的制造方法及记录介质。在具有内置有用于载置衬底的衬底载置台的处理室、和使供给到处理室内的气体成为等离子体状态的等离子体生成部的衬底处理装置中，等离子体生成部具有以包围成为供给到处理室内的气体的流路的等离子体生成室的方式配置的等离子体产生导体，等离子体产生导体具有沿着等离子体生成室内的气体的主流方向延伸的多个主导体部、和将主导体部彼此电连接的连接导体部。
衬底处理装置半导体器件制造方法记录介质

[发明专利]气体供给部、处理装置及半导体器件的制造方法-CN202211713165.4在审
发明人：笠松健太;平野敦士;山本哲夫;佐佐木隆史 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2022-12-27 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：提供一种能够使处理气体在基板上均等地流动的气体供给部、处理装置及半导体器件的制造方法。本发明的技术为一种具有分别向配置有基板的处理室供给气体的第一开口部和第二开口部的气体供给部，构成为第一开口部和第二开口部在相对于上述基板的表面平行的平行方向上排列，从第一开口部供给的气体被向上述基板的中心方向供给，从第二开口部供给的气体被向上述基板的周缘方向供给，从第二开口部供给的气体的朝向以从第一开口部供给的气体的朝向为基准而形成预先决定的角度。
气体供给处理装置半导体器件制造方法

[发明专利]反应管、处理装置、和半导体装置的制造方法-CN202210273408.0在审
发明人：笠松健太;平野敦士;山本哲夫;佐佐木隆史 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2022-03-18 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种反应管、处理装置、和半导体装置的制造方法，减小处理室的基板设置区域中的压力差，并使从排出部排出的气体的流动均匀。反应管构成为在内部形成有处理室，该处理室在一端设置有气体供给部且在另一端设置有排出部，具备调节部，该调节部构成为能够抑制从排出部排出的气体的流动，利用该调节部对处理室中的从气体供给部到排出部的气体流动，从而使从排出部排出的气体的流动均匀。
反应处理装置半导体制造方法

[发明专利]半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质-CN202111096301.5在审
发明人：油谷幸则;大桥直史;山本哲夫 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2021-09-17 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质。课题为得到能够持续具有选择性的半导体器件的制造方法。半导体器件的制造方法具有：将处理室内的晶片(100)加热至第1温度并供给吸附抑制剂，使吸附抑制剂吸附于晶片的基底(100a)的吸附抑制剂供给工序；在吸附抑制剂供给工序之后，将晶片加热至比第1温度高的第2温度并供给处理气体，在晶片中的未吸附有吸附抑制剂的其他部位即基底(100b)上形成SiN膜的处理气体供给工序；和在处理气体供给工序之后，将晶片加热至比第2温度高的第3温度而除去吸附于晶片的基底的吸附抑制剂的吸附抑制剂除去工序。
半导体器件制造方法衬底处理装置记录介质

[发明专利]基板处理装置、基板保持件、半导体装置的制造方法及存储介质-CN202111082187.0在审
发明人：筱崎贤次;柳泽爱彦;道田典明;佐佐木伸也;西堂周平;山本哲夫 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2021-09-15 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： H01L21/687 文献下载
摘要：本发明提供对基板均匀处理的基板处理装置、基板保持件、半导体装置的制造方法以及存储介质。基板处理装置具有处理基板的处理室、向上述处理室供给微波对上述基板进行加热处理的微波发生器、积载并保持上述基板和配置于该基板的上部且对被上述微波加热了的上述基板进行保温的保温部件的基板保持件、以及保持于上述保温部件的外周且外周比上述基板大的第一环形板。
处理装置保持半导体制造方法存储介质

[发明专利]半导体装置的制造方法、基板处理装置以及程序-CN201980094224.4在审
发明人：筱崎贤次;山本哲夫;广地志有;柳泽爱彦;原直树;上野正昭;山口英人;村田等;西堂周平;木村一洋 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2019-03-18 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：本发明提供一种技术，具有如下工序：利用从加热装置供给的电磁波将保持于保持基板的基板保持件的隔热板加热到处理基板的处理温度，利用非接触式温度计测定直至到达处理温度的隔热板的温度变化；利用加热装置将保持于基板保持件且设置有由不透过非接触式温度计的探测光的材质构成的片材的基板加热到处理温度，利用非接触式温度计测定直至到达处理温度的片材的温度变化；根据隔热板的温度变化的测定结果和片材的温度变化的测定结果，获取隔热板和片材的温度变化的相关关系；以及基于非接触式温度计测定的隔热板的温度和相关关系控制加热装置对基板进行加热。
半导体装置制造方法处理以及程序

[发明专利]鞋用鞋面及鞋-CN202110214815.X在审
发明人：串田启介;山本哲夫 -专利权人：美津浓株式会社
申请日： 2021-02-25 - 公布日： 2021-09-14 - 主分类号： A43B3/00 文献下载
摘要：本发明的鞋用鞋面容易穿脱且在穿着时容易获得支撑性及合脚感。鞋用鞋面(2)包括：具有穿鞋口(200)且设有第一结合构件(25)的鞋面主体(20)；和包括基端部(22)、前端部(24)和中间部(23)的带部(21)。基端部(22)的伸缩性比中间部(23)的伸缩性大。在第一结合构件(25)与第二结合构件(26)的结合被解除的状态下，前端部(26)由于自重而向鞋面主体(20)的固定有基端部(22)的一侧的外侧下方下垂。
鞋面

[发明专利]衬底处理装置及半导体器件的制造方法-CN201611207336.0有效
发明人： 山本哲夫 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2016-12-23 - 公布日： 2020-03-06 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：提供衬底处理装置和半导体器件的制造方法，在利用喷头对衬底供给气体时能够避免对该衬底的加热会给气体供给带来不良影响。衬底处理装置具备：具有衬底处理室的处理模块；设于处理模块的衬底搬入搬出口；配置在衬底搬入搬出口附近的冷却机构；具有衬底载置面的衬底载置部；加热衬底的加热部；具有由第一热膨胀率材质构成的分散板的喷头；由具有与第一热膨胀率不同的第二热膨胀率的材质构成且支承分散板的分散板支承部；在衬底搬入搬出口的设置侧进行分散板与其支承部的定位的第一定位部；在衬底搬入搬出口的设置侧的相对侧进行分散板与分散板支承部的定位的第二定位部，第一和第二定位部沿着从衬底搬入搬出口通过的衬底的搬入搬出方向排列配置。
衬底处理装置半导体器件制造方法

[发明专利]衬底处理装置及半导体器件的制造方法-CN201611091707.3有效
发明人：丰田一行;山本哲夫 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2016-12-01 - 公布日： 2019-07-19 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明涉及衬底处理装置及半导体器件的制造方法。提高对衬底的处理均一性。具有：衬底支承部，其设置有加热衬底的第一加热部；气体供给部，其设置于所述衬底支承部的上侧，对所述衬底供给处理气体；第一排气口，其对所述衬底支承部上的处理空间的气氛进行排气；气体分散部，其与所述衬底支承部相对地设置；盖部，其设置有第二排气口，并且对所述气体供给部和所述气体分散部之间的缓冲空间进行排气；气体整流部，其设置于所述缓冲空间内，具有至少一部分与所述第二排气口相对的第二加热部，并且对所述处理气体进行整流。
衬底处理装置半导体器件制造方法

[发明专利]衬底处理装置及半导体器件的制造方法-CN201510350349.2有效
发明人：佐佐木隆史;山本哲夫 -专利权人：株式会社日立国际电气
申请日： 2015-06-23 - 公布日： 2018-08-07 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：即使在经由簇射头进行气体供给的情况下，也能充分且良好地对簇射头内及处理空间内的各空间进行清洁处理。一种衬底处理装置，其具有：处理空间，其对衬底进行处理；簇射头缓冲室，其隔着设置有贯通孔的分散板而与处理空间相邻；非活性气体供给系统，其向簇射头缓冲室内供给非活性气体；处理空间清洁气体供给系统，其向处理空间内供给清洁气体；控制部，其控制非活性气体供给系统及处理空间清洁气体供给系统，使得清洁气体向处理空间的供给和非活性气体向簇射头缓冲室的供给同时进行。
衬底处理装置半导体器件制造方法

[发明专利]半导体器件的制造方法、程序及衬底处理装置-CN201410412612.1有效
发明人：佐佐木隆史;山本哲夫 -专利权人：株式会社日立国际电气
申请日： 2014-08-20 - 公布日： 2018-06-05 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及高效率地除去喷头内的副产物、并抑制颗粒生成的半导体器件的制造方法、程序及衬底处理装置。本发明的半导体器件的制造方法，具有：成膜工序，通过喷头向处理室内的衬底上供给成膜气体和非活性气体，在所述衬底上形成膜；和堆积膜除去工序，在所述处理室内没有衬底的状态下，将温度比所述成膜工序时供给的所述非活性气体低的非活性气体供给到所述喷头，由此除去因所述成膜工序而堆积在所述喷头内的堆积膜。
喷头半导体器件非活性气体成膜工序衬底堆积衬底处理装置制造室内成膜气体副产物高效率

[发明专利]衬底处理装置及半导体器件的制造方法-CN201410468894.7有效
发明人： 山本哲夫;盛满和广;丰田一行;大野健治;高崎唯史;广濑育男;佐佐木隆史 -专利权人：株式会社日立国际电气
申请日： 2014-09-15 - 公布日： 2017-10-31 - 主分类号： H01L21/22 文献下载
摘要：在使用了缓冲空间的单片式装置中，也能够抑制缓冲空间的副产物发生。为解决上述课题，提供一种半导体器件的制造方法，具有将衬底送入处理室的工序；通过喷头的缓冲室将含第一元素气体供给到载置在所述处理室内的衬底的含第一元素气体供给工序；通过所述缓冲室将含第二元素气体供给到所述衬底的含第二元素气体供给工序；和在所述含第一元素气体供给工序和含第二元素气体供给工序之间进行的排气工序，所述排气工序具有对所述缓冲室内的环境气体进行排气的缓冲室排气工序；和在所述缓冲室排气工序之后对所述处理室内的环境气体进行排气的处理室排气工序。
衬底处理装置半导体器件制造方法

[发明专利]半导体器件的制造方法、衬底处理装置-CN201410466295.1有效
发明人：丰田一行;广地志有;山本哲夫;盛满和广;高崎唯史 -专利权人：株式会社日立国际电气
申请日： 2014-09-12 - 公布日： 2017-06-30 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件的制造方法、衬底处理装置以及记录介质，能够使在衬底上形成的膜的特性提高，并且能够使生产能力提高。具有以下工序向衬底供给原料气体的工序；向等离子体生成区域供给反应气体的工序；向上述等离子体生成区域供给高频电力的工序；以及使供给上述反应气体之前的上述等离子体生成区域内的压力为第一压力，并在供给有上述反应气体和上述高频电力的状态下，调整至比上述第一压力低的第二压力来生成上述反应气体的等离子体的工序。
半导体器件制造方法衬底处理装置以及记录介质

[发明专利]基板处理装置及半导体器件的制造方法-CN201410066971.6有效
发明人：广地志有;丰田一行;盛满和广;佐藤武敏;山本哲夫 -专利权人：株式会社日立国际电气
申请日： 2014-02-26 - 公布日： 2017-04-12 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：一种基板处理装置，向处理容器交替地供给第1处理气体和等离子化的第2处理气体来处理基板，该基板处理装置具有供给上述第1处理气体的第1气体供给系统；供给上述第2处理气体的第2气体供给系统；配置在上述处理容器的上游且至少使上述第2处理气体等离子化的等离子体单元；和控制部，该控制部以交替地供给上述第1处理气体和上述第2处理气体的方式控制上述第1气体供给系统和上述第2气体供给系统，并且，以在开始供给上述第2处理气体之前执行上述第2处理气体的等离子化所需要的电力施加的方式控制上述等离子体单元。
处理装置半导体器件制造方法

[发明专利]衬底处理装置及半导体器件的制造方法-CN201510849955.9在审
发明人： 山本哲夫;丰田一行;松井俊 -专利权人：株式会社日立国际电气
申请日： 2015-11-27 - 公布日： 2016-10-05 - 主分类号： C23C16/503 文献下载
摘要：本发明提供一种使用等离子体形成高品质的膜的衬底处理装置及半导体器件的制造方法。在具有内置有用于载置衬底的衬底载置台的处理室、和使供给到处理室内的气体成为等离子体状态的等离子体生成部的衬底处理装置中，等离子体生成部具有以包围成为供给到处理室内的气体的流路的等离子体生成室的方式配置的等离子体产生导体，等离子体产生导体具有沿着等离子体生成室内的气体的主流方向延伸的多个主导体部、和将主导体部彼此电连接的连接导体部。
衬底处理装置半导体器件制造方法

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