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[发明专利]衬底处理装置、半导体器件的制造方法及记录介质-CN201910126048.X在审
发明人：佐佐木隆史;盛满和广;大桥直史;高崎唯史;松井俊 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2019-02-20 - 公布日： 2020-04-03 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明涉及衬底处理装置、半导体器件的制造方法及记录介质。其课题为提高各衬底的处理均匀性。其解决手段为下述衬底处理装置，其具有对衬底进行处理的多个设备、和介由网络而与多个设备进行通信的控制部，其中，多个设备中的各自具备：处理执行部，其基于与控制部所保持的工艺制程相对应的设定参数来对衬底进行处理；发送接收部，其进行将处理执行部的测定值发送至控制部、和从控制部接收更新参数；和更新部，其基于接收到的更新参数，将设定参数更新，控制部具备：学习部，其将测定值作为学习用数据，基于学习用数据进行学习，并生成对设定参数进行更新的更新数据；运算部，其基于更新数据生成更新参数；和发送接收部，其在多个设备之间对测定值和更新参数进行发送接收。
衬底处理装置半导体器件制造方法记录介质

[发明专利]半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质-CN201811034110.4在审
发明人：镰仓司;盛满和广;板谷秀治;西谷英辅;松井俊 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2018-09-05 - 公布日： 2019-08-13 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质。本发明的课题在于提供：在对衬底交替供给第一处理气体和第二处理气体的等离子体的循环处理的情况下，能够良好地实施对该衬底的处理的技术。本发明的解决手段为提供下述技术，该技术具有下述工序：第一工序，向收容有衬底的状态的处理空间供给第一处理气体、并且作为第一处理气体的载气而使用非活性气体；和第二工序，向收容有衬底的状态的处理空间供给第二处理气体的等离子体、并且作为第二处理气体的载气而使用活性辅助气体。
处理气体衬底等离子体衬底处理装置半导体器件处理空间载气收容非活性气体辅助气体交替供给循环处理制造

[发明专利]衬底处理装置、气体整流部、半导体器件的制造方法-CN201510461468.5有效
发明人：松井俊;盛满和广;丰田一行 -专利权人：株式会社日立国际电气
申请日： 2015-07-30 - 公布日： 2017-11-28 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：衬底处理装置、气体整流部、半导体器件的制造方法，抑制衬底的温度分布变得不均匀且处理均匀性下降。具有处理衬底的处理室；衬底载置台，设置于处理室内，并载置衬底；加热衬底的加热部；气体整流部，向衬底供给处理气体；密封部，设置于气体整流部；隔热部，设置于密封部与气体整流部的上游侧表面之间；以及第一压力调整部，与隔热部连接。
衬底处理装置气体整流半导体器件制造方法

[发明专利]衬底处理装置及半导体器件的制造方法-CN201410468894.7有效
发明人：山本哲夫;盛满和广;丰田一行;大野健治;高崎唯史;广濑育男;佐佐木隆史 -专利权人：株式会社日立国际电气
申请日： 2014-09-15 - 公布日： 2017-10-31 - 主分类号： H01L21/22 文献下载
摘要：在使用了缓冲空间的单片式装置中，也能够抑制缓冲空间的副产物发生。为解决上述课题，提供一种半导体器件的制造方法，具有将衬底送入处理室的工序；通过喷头的缓冲室将含第一元素气体供给到载置在所述处理室内的衬底的含第一元素气体供给工序；通过所述缓冲室将含第二元素气体供给到所述衬底的含第二元素气体供给工序；和在所述含第一元素气体供给工序和含第二元素气体供给工序之间进行的排气工序，所述排气工序具有对所述缓冲室内的环境气体进行排气的缓冲室排气工序；和在所述缓冲室排气工序之后对所述处理室内的环境气体进行排气的处理室排气工序。
衬底处理装置半导体器件制造方法

[发明专利]半导体器件的制造方法、衬底处理装置-CN201410466295.1有效
发明人：丰田一行;广地志有;山本哲夫;盛满和广;高崎唯史 -专利权人：株式会社日立国际电气
申请日： 2014-09-12 - 公布日： 2017-06-30 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件的制造方法、衬底处理装置以及记录介质，能够使在衬底上形成的膜的特性提高，并且能够使生产能力提高。具有以下工序向衬底供给原料气体的工序；向等离子体生成区域供给反应气体的工序；向上述等离子体生成区域供给高频电力的工序；以及使供给上述反应气体之前的上述等离子体生成区域内的压力为第一压力，并在供给有上述反应气体和上述高频电力的状态下，调整至比上述第一压力低的第二压力来生成上述反应气体的等离子体的工序。
半导体器件制造方法衬底处理装置以及记录介质

[发明专利]基板处理装置及半导体器件的制造方法-CN201410066971.6有效
发明人：广地志有;丰田一行;盛满和广;佐藤武敏;山本哲夫 -专利权人：株式会社日立国际电气
申请日： 2014-02-26 - 公布日： 2017-04-12 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：一种基板处理装置，向处理容器交替地供给第1处理气体和等离子化的第2处理气体来处理基板，该基板处理装置具有供给上述第1处理气体的第1气体供给系统；供给上述第2处理气体的第2气体供给系统；配置在上述处理容器的上游且至少使上述第2处理气体等离子化的等离子体单元；和控制部，该控制部以交替地供给上述第1处理气体和上述第2处理气体的方式控制上述第1气体供给系统和上述第2气体供给系统，并且，以在开始供给上述第2处理气体之前执行上述第2处理气体的等离子化所需要的电力施加的方式控制上述等离子体单元。
处理装置半导体器件制造方法

[发明专利]基板处理装置、基板保持器、和半导体装置的制造方法-CN200480034610.8有效
发明人：山口天和;盛满和广 -专利权人：株式会社日立国际电气
申请日： 2004-11-29 - 公布日： 2006-12-27 - 主分类号： H01L21/68 文献下载
摘要：本发明的课题在于消除因构成基板保持器的支柱和基板承载部等影响造成的基板上的膜厚不均匀部分，提高基板的膜厚均匀性。在基板处理装置中，将由舟(基板保持器)保持的多片晶片(基板)收纳在处理室内，将处理气体提供给已被加热的处理室，对晶片进行成膜处理。舟具有：大致垂直设置的至少3个支柱(15)；分多层地被设置在支柱上并按照规定间隔大致水平地承载多片晶片的多个晶片支承部(基板承载部)(16)；被设置在支柱(15)上并相对于被支承在晶片支承部(16)上的晶片而言按照规定间隔大致水平地设置的多个环状板(13)。
处理装置保持半导体制造方法