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[发明专利]杂质添加装置、杂质添加方法以及半导体元件的制造方法-CN201480066640.0有效
发明人：井口研一;中澤治雄;荻野正明 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2014-06-12 - 公布日： 2018-09-11 - 主分类号： H01L21/22 文献下载
摘要：杂质添加装置(1)具备支承半导体衬底(2)的支承台(3)、固定于该支承台(3)的半导体衬底(2)以及与半导体衬底(2)相离地配置的壁块(10)。壁块(10)在内部具有凹部(12)以在半导体衬底(2)的壁块侧的面上形成存在包含杂质元素的溶液(4)的局部区域(B)。另外，杂质添加装置(1)具备隔着被壁块(10)包围的溶液(4)向半导体衬底(2)的上表面照射激光(32)的激光光学系统(30)。杂质添加装置(1)用于通过激光(32)的照射向半导体衬底(2)的内部的一部分添加杂质元素。
杂质添加装置方法以及半导体元件制造

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN201580001825.8有效
发明人：中泽治雄;荻野正明;中嵨经宏;井口研一;立岡正明;中川清和 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2015-04-17 - 公布日： 2018-01-26 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：首先，在碳化硅基板(1)的表面形成包括过渡金属的接触电极(2)。接触电极(2)包括例如镍、钛或钨。通过将形成了接触电极(2)的整个碳化硅基板(1)暴露在利用微波形成的氢等离子体气氛中，从而使接触电极(2)发热而进行快速加热。然后，通过从接触电极(2)向碳化硅基板(1)的在接触电极(2)侧的部分进行热传导，将碳化硅基板(1)的与接触电极(2)接触的部分加热。由此，在碳化硅基板(1)与接触电极(2)的界面形成成为与碳化硅基板(1)的欧姆接触的硅化物层(4)。由此，能够形成接触电阻低的欧姆接触，并且能够防止元件特性劣化。
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN201480048546.2有效
发明人：井口研一;中泽治雄;中嵨经宏;荻野正明;立岡正明 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2014-04-18 - 公布日： 2018-01-26 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：首先，以覆盖MOS栅极结构上的层间绝缘膜(37)的方式形成钛层(39)。接下来，形成与源极区(33)接触的镍层(40)。接着，通过在利用微波形成的氢等离子体气氛中暴露整个碳化硅晶片，从而利用氢自由基使镍层(40)发热而进行加热。此时，钛层(39)进行表面的氧化膜的还原而不发热。因此，通过来自镍层(40)的热传导而仅加热镍层(40)的正下方的源极区(33)。这样，在碳化硅晶片与镍层(40)的界面形成硅化物层，从而能够形成接触电阻低的欧姆接触。另外，由于MOS栅极结构不被加热，所以能够防止元件特性劣化。另外，即使在形成背面电极(41，42)时，也同样地利用氢等离子体处理。
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法-CN201480010591.9有效
发明人：齐藤隆;荻野正明;望月英司;高桥良和 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2014-03-17 - 公布日： 2017-10-10 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：在将n‑外延层(2)堆积在SiC基板(1)的正面上而成的外延基板的正面侧设置有由p基区(3)、p外延层(4)、n++源区(5)、p+接触区(6)、n反转区(7)、栅绝缘膜(8)以及栅极(9)构成的MOS栅结构和正面电极(13)。在正面电极(13)的表面上，在正面电极(13)的表面的10％以上的区域、优选在60％以上且90％以下的区域设置有第一金属膜(21)。这样的SiC‑MOSFET通过在形成背面电极(15)后，在正面电极(13)的表面形成第一金属膜(21)，进行N2气氛下的退火而制成。通过上述工序，在使用了SiC半导体的半导体装置中，能够抑制栅阈值电压的下降。
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN201380052480.X有效
发明人：中泽治雄;立冈正明;藤岛直人;荻野正明;中岛经宏;井口研一 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2013-09-05 - 公布日： 2017-06-30 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明提供一种防止电特性劣化，并且防止晶片翘曲和/或裂纹的半导体装置的制造方法。在n+SiC基板(1)的正面侧形成的层间绝缘膜(8)的接触孔(8a)内沉积第一镍膜(9a)。接下来，从层间绝缘膜(8)以及第一镍膜(9a)整个面开始照射第一激光(11)，而形成与碳化硅半导体之间的欧姆接触。接下来，在第一镍膜(9a)上，沉积第二镍膜以及正面电极膜而形成源电极。接下来，研磨n+SiC基板(1)的背面，在n+SiC基板(1)被研磨的背面形成第三镍膜。从第三镍膜整面开始照射第二激光，而形成与碳化硅半导体之间的欧姆接触。接下来，在第三镍膜上沉积第四镍膜以及背面电极膜，形成漏电极。
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体器件的制造方法-CN201280003273.0有效
发明人：中泽治雄;荻野正明;栗林秀直;寺西秀明 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2012-02-23 - 公布日： 2017-05-24 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：使用从单晶硅锭切割的硅晶片来制造反向阻断IGBT，该硅晶片使用通过切克劳斯基法制成的单晶硅锭作为原材料且以浮动法制成。通过使用热扩散工艺扩散注入硅晶片的杂质来形成用于确保反向阻断IGBT的反向阻断性能的分离层。用于形成分离层的热扩散工艺在惰性气体气氛中在高于或等于1290°C且低于硅的熔点的温度下进行。以此方式，在硅晶片中不发生晶体缺陷，并且可防止反向阻断IGBT中反向击穿电压缺陷或者正向缺陷的发生，且由此提高半导体元件的成品率。
半导体器件制造方法

[发明专利]制造反向阻断绝缘栅双极晶体管的方法-CN201210214831.X有效
发明人： 荻野正明 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2012-06-26 - 公布日： 2017-04-12 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：本发明要解决的问题是提供制造反向阻断绝缘栅双极晶体管，从而形成隔离层用于弯曲表现出较高反向耐受电压的pn结并将其延伸至前表面侧的方法。本发明的方法确保了反方向上有高耐受电压，并减少了反向偏压条件下的漏电流。本发明的方法包括通过各向异性碱性蚀刻工艺形成锥槽的步骤，进行该各向异性碱性蚀刻工艺可使在一侧主表面与由另一侧主表面形成的锥槽的底部表面之间留有至少60μm厚度的半导体衬底。
制造反向阻断绝缘双极晶体管方法

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN201480048809.X在审
发明人：中泽治雄;荻野正明;中嵨经宏;井口研一;立岡正明 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2014-04-18 - 公布日： 2016-05-18 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：首先，在碳化硅基板(1)的表面层形成离子注入层(2)。不进行离子注入层(2)的活化。接着，在离子注入层(2)的表面形成接触电极(3)，形成接触电极(3)上的钨层(4)。接着，通过将整个碳化硅基板(1)暴露在利用微波形成的氢等离子体气氛中，使钨层(4)发热而进行加热。而且，通过来自钨层(4)的热传导，对接触电极(3)和离子注入层(2)进行加热。由此，在离子注入层(2)与接触电极(3)的界面形成成为与离子注入层(2)的欧姆接触的硅化物层的同时，使离子注入层(2)活化。形成接触电阻低的欧姆接触，并且能够防止元件特性劣化，并且能够提高产量。
半导体装置制造方法

[发明专利]用于制造半导体器件的方法-CN201180072259.1有效
发明人：胁本博树;荻野正明 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2011-07-15 - 公布日： 2014-03-26 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：在晶片（10）的第一主表面上形成反向阻断IGBT的前表面元件结构、耐受电压结构的前表面元件结构、以及隔离结构的p型隔离区。反向阻断IGBT的前表面元件结构和耐受电压结构的前表面元件结构形成于晶片（10）上的元件形成区（1）中。在元件形成区（1）的元件端部侧形成隔离结构的p型隔离区以围绕耐受电压结构。接着，在晶片（10）从晶片（10）的第二主表面厚度减少后，在晶片（10）的第二主表面中形成到达p型隔离区的沟槽（3）。在该过程中，沟槽（3）形成为使得沟槽（3）的纵向端部不到达晶片（10）的外周端部（2-1a、2-2a、2-1b和2-2b）。接着，在晶片（10）的第二主表面中形成p型集电极层，且还在沟槽（3）的侧壁中形成与p型集电极层和p型隔离区接触的p型层，且藉此完成反向阻断IGBT。
用于制造半导体器件方法

[发明专利]半导体器件的制造方法-CN201110136870.8有效
发明人： 荻野正明;胁本博树;宫崎正行 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2011-05-16 - 公布日： 2011-11-23 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件的制造方法，其可以保证晶片的强度，可以提升器件性能。散热层从晶片的正面形成，到达散热层的锥形槽从背面通过利用碱性溶液的各向异性蚀刻形成，槽内散热层形成于槽的侧壁表面。反向阻断IGBT的分离层由散热层和槽内扩散层构成，可以通过形成槽内扩散层将散热层形成得较浅，可以大幅减少热扩散时间。另外，通过将形成槽内扩散层离子注入和形成集电极层的离子注入分开进行，可以针对接通电压和开关损耗间的折衷选择最佳值，同时确保反向阻断IGBT的反向阻断电压。
半导体器件制造方法

[发明专利]半导体器件和制造半导体器件的方法-CN201110056957.4有效
发明人：胁本博树;井口研一;吉川功;中岛经宏;田中俊介;荻野正明 -专利权人：富士电机控股株式会社
申请日： 2011-03-01 - 公布日： 2011-09-21 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：所揭示的是能够防止电特性退化的半导体器件及制造半导体器件的方法，多个场限环(FLR)和沟道挡块在反向阻断IGBT的反向电源阻断结构中被设置在n型漂移区的正面的表面层上。p型集电区设置在n型漂移区的背面表面的表面层上。在元件端部设置用于获取反向阻断能力的p+型隔离层。此外，凹部设置成从n型漂移区的背面表面延伸至p+型隔离层。p型区被设置在侧壁的表面层上，且凹部的底部与p+型隔离层和p型集电区彼此电连接。p+型隔离层与沟道挡块相接触。此外，p+型隔离层被设置成包括解理面，该解理面将凹部的底部和侧壁之间的边界作为一条边。
半导体器件制造方法

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