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[发明专利]用于半导体结构的后端线金属化层及其制造方法-CN201680085027.2有效
发明人： K·林;R·L·布里斯托尔;R·E·申克尔 -专利权人：太浩研究有限公司
申请日： 2016-05-27 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：描述了用于基于后端线(BEOL)间隔物的互连的利用光桶的消减性插塞和片图案化。在范例中，用于半导体结构的后端线(BEOL)金属化层包括：层间电介质(ILD)层，其被设置在基板上面；多根导电线，其沿着第一方向被设置在所述ILD层中；导电片，其被设置在所述ILD层中，所述导电片沿着与所述第一方向正交的第二方向耦合所述多根导电线中的两根导电线；以及导电过孔，其被耦合到所述多根导电线中的一根导电线，所述导电过孔具有位于其上的过孔硬掩模，所述ILD层、所述多根导电线、所述导电片和所述过孔硬掩模中的每个的最上层表面彼此成平面。
用于半导体结构端线金属化及其制造方法

[发明专利]苯并噻唑化合物及使用其治疗神经退行性疾病的方法-CN201880063869.7有效
发明人： J·李;S·赵;A·Y·朴;G·李;J·E·金;M·金;G·程;S·M·林;K·林;M·李;H·杨;H·金;H·金;W·李;M·范 -专利权人：第一生物治疗股份有限公司
申请日： 2018-10-01 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： C07D277/82 文献下载
摘要：本发明提供了具有c‑abl激酶抑制活性的如通式(I)所示的化合物或其药学上可接受的盐，包含该化合物的药物组合物以及使用该化合物可用于治疗或预防神经退行性疾病的方法。
噻唑化合物使用治疗神经退行性疾病方法

[发明专利]2-氨基-3-羰基咪唑并吡啶和吡唑并吡啶化合物-CN202180063093.0在审
发明人： J·李;S·赵;K·林;A·Y·朴;加德·昌德夫·戈拉克什纳;H·南;Y·全;Y·黄;J·E·金;M·金;I·杨 -专利权人：第一生物治疗股份有限公司
申请日： 2021-09-14 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： C07D471/04 文献下载
摘要：本公开提供了式(I)所示的化合物或其药学上可接受的盐、其立体异构体、包含该化合物的药物组合物，以及一种使用该化合物治疗或预防炎症和自身免疫性疾病，尤其是神经炎症性疾病的方法。
氨基羰基咪唑吡啶吡唑化合物

[发明专利]用于后段工艺（BEOL）互连件的借助光桶的自对准过孔和插塞图案化-CN201910419015.4有效
发明人： R·L·布里斯托尔;K·林;K·J·辛格;A·M·迈尔斯;R·E·申克尔 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2014-11-05 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：说明了用于后段工艺(BEOL)互连件的借助光桶的自对准过孔和插塞图案化。在示例中，用于集成电路的互连结构包括被布置在衬底上之上的互连结构的第一层，所述第一层具有由沿第一方向的交替的金属线和电介质线构成的第一光栅。集成电路还包括被布置在互连结构的第一层上之上的互连结构的第二层。所述第二层包括由沿第二方向的交替的金属线和电介质线构成的第二光栅，第二方向垂直于第一方向。
用于后段工艺 beol 互连借助对准图案

[发明专利]用于集成电路的减性图案化的互连结构-CN202180067654.4在审
发明人： K·林;N·佐藤;T·A·特罗尼;M·克里斯滕森;C·J·杰泽斯基;J-R·陈;J·布莱克威尔;M·V·梅茨;M·雷肖特科;N·卡比尔;J·比勒费尔德;M·钱多克;H·J·刘;E·V·卡尔波夫;C·奈勒;R·V·基比亚姆 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2021-09-20 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：IC互连结构包括减性图案化的特征。特征端可通过多个盖材料的多图案化而被定义，以获得减小的未配准。减性图案化的特征可以是与镶嵌过孔或者与减性图案化的过孔相集成的线路，或者可以是与镶嵌线路或者与减性图案化的线路相集成的过孔。减性图案化的过孔可作为平面金属层的部分被沉积并且当前随互连线路被定义。减性图案化的特征可与空气间隙隔离结构相集成。减性图案化的特征可包括底部、顶部或侧壁上的阻挡材料。减性图案化的特征的底部阻挡可采用区域选择性技术而被沉积，以便不存在于下层互连特征。减性图案化的特征的阻挡可包括特征中或籽晶层中的石墨烯或者金属的硫族化物。
用于集成电路图案互连结构

[发明专利]用于自行车的控制装置的低功率控制-CN202211038491.X在审
发明人： S·哈恩;K·林;A·K-I·霍 -专利权人：什拉姆有限责任公司
申请日： 2022-08-29 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： B62L3/02 文献下载
摘要：本申请涉及用于自行车的控制装置的低功率控制。一种自行车的控制装置包括致动器和第一控制器。第一控制器被构造成响应于致动器的启动生成消息并以第一传输速率在预定时间段内将消息从第一控制器传输到自行车的第二控制器。第一控制器还被构造成在预定时间段之后，生成一个或多个消息并以第二传输速率将一个或多个消息从第一控制器传输到第二控制器，直到致动器被停用。第一传输速率大于第二传输速率，并且消息中的每一个包括识别致动器的启动的数据。
用于自行车控制装置功率

[发明专利]无凝固蛋白原的澄清的鲎阿米巴样细胞裂解物-CN201880006683.8有效
发明人： C·斯特姆博;L·塔德塞;K·林 -专利权人：隆萨沃克斯维尔股份有限公司
申请日： 2018-01-11 - 公布日： 2023-01-10 - 主分类号： G01N33/579 文献下载
摘要：本发明涉及包含澄清的鲎阿米巴样细胞裂解物(LAL)的组合物，其中LAL基本上不含凝固蛋白原，以及制备这种组合物的方法。本发明还涉及使用显色测定法检测样品中内毒素的方法，该方法包括：(a)使样品与包含澄清的LAL和显色底物的试剂接触；并且(b)测量在样品中存在内毒素时由显色底物的变化引起的显色效应，其中LAL基本上不含凝固蛋白原。本发明还涉及包含基本上不含凝固蛋白原的澄清LAL的试剂盒，以及制备它们的方法。
凝固蛋白澄清阿米巴细胞裂解

[发明专利]可分配配对顺序-CN202210561000.3在审
发明人： K·林;J·加尼卡;A·K-I·霍 -专利权人：什拉姆有限责任公司
申请日： 2022-05-23 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： B62J45/00 文献下载
摘要：本发明涉及可分配配对顺序。用于自行车的系统包括多个控制器设备。控制器设备类型对于多个控制器设备中的两个或更多个控制器设备是相同的。该系统包括配对协调器设备，该配对协调器设备被配置为从每个控制器设备接收相应设备类型标识，并且基于所接收的用于两个或更多个控制器设备的设备类型标识来识别用于两个或更多个控制器设备的控制器设备类型。基于控制器设备类型的识别，配对协调器设备被配置为分别更新用于两个或更多个控制器设备的设备类型标识，使得更新的设备类型标识彼此不同。配对协调器设备被配置为仅将多个控制器设备中的具有不同相应设备类型标识的控制器设备与配对协调器设备配对。
分配配对顺序

[发明专利]控制器指示-CN202210561422.0在审
发明人： K·林;P·福尔斯坦;A·K-I·霍 -专利权人：什拉姆有限责任公司
申请日： 2022-05-23 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： B62J45/00 文献下载
摘要：本发明涉及控制器指示。用于自行车的协调器设备包括处理器，该处理器被配置为从控制器设备接收响应于输入元件处的用户输入而产生的信号。该信号包括识别设备类型的数据和识别输入元件的数据。该协调器设备包括存储器，该存储器被配置为存储识别设备类型的数据和识别输入元件的数据。该处理器被配置为：基于所接收的信号产生通知；向移动设备发送所产生的通知；以及响应于所产生的通知的发送，从移动设备接收对与所接收的信号相关的数据的请求。该处理器还被配置为响应于所述请求而向移动设备发送所存储的数据，使得能够在移动设备处的图形用户界面内识别控制器设备与该控制器设备的表示的关联。
控制器指示

[发明专利]采用替代N型FET源极/漏极(S/D)以避免或防止短路缺陷的鳍式场效应晶体管(FET)电路以及相关制造方法-CN202080076642.3在审
发明人： K·林;H·朴;Y·S·崔;Y·苏 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2020-11-12 - 公布日： 2022-06-17 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：公开了采用替代N型FET(NFET)源极/漏极(S/D)以防止短路缺陷的鳍式场效应晶体管(FET)电路及其形成方法。公开的用于形成FinFET电路的方法包括：形成两个P型epi‑S/D(406)，一个在P型扩散区域(410)中的鳍部上，一个在N型扩散区域(404)中的鳍部上；形成边界层(410、422)以使P型epi‑S/D隔离；以及然后用N型epi‑S/D(416)替代N型扩散区域中的边界层下方的P型epi‑S/D。在公开的方法中，采用掩模用N型epi‑S/D替代P型epi‑S/D，但是其不同于先前方法中的掩模，使得对变化的易受影响性降低。公开的方法中的掩模具有不会创建缺陷的较大可接受变化范围，因此公开的方法不易受到工艺变化的影响且防止了短路。
采用替代 fet 源极漏极避免防止短路缺陷场效应晶体管电路以及相关制造方法

[发明专利]作为造血祖细胞激酶1(HPK1)抑制剂的吲唑类药物及其使用方法-CN202180003282.9在审
发明人： J·李;S·赵;K·林;A·Y·朴;加德·昌德夫·戈拉克什纳;H·南;Y·全;Y·黄;J·E·金;M·金;S·M·林 -专利权人：第一生物治疗股份有限公司
申请日： 2021-09-27 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： C07D471/04 文献下载
摘要：本发明提供式(I)所示化合物或其药学上可接受的盐、包含该化合物的组合物、使用该化合物治疗与HPK1相关的各种疾病的方法以及制备这些化合物的方法。
作为造血细胞激酶 hpk1 抑制剂类药物及其使用方法

[发明专利]作为造血祖细胞激酶1(HPK1)抑制剂的吲唑及其使用方法-CN202180003294.1在审
发明人： J·李;S·赵;K·林;A·Y·朴;加德·昌德夫·戈拉克什纳;H·南;Y·全;Y·黄;J·E·金;M·金;S·M·林 -专利权人：第一生物治疗股份有限公司
申请日： 2021-09-27 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： C07D487/04 文献下载
摘要：本公开提供了式(I)化合物或其药学上可接受的盐、含有所述化合物的组合物、使用所述化合物治疗与HPK1相关的各种疾病的方法以及制备这些化合物的方法。
作为造血细胞激酶 hpk1 抑制剂及其使用方法

[发明专利]包括具有硅锗（SiGe）的沟道的场效应晶体管（FET）-CN202080072246.3在审
发明人： K·林;S·S·宋;袁骏;K·雷姆 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2020-09-01 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： H01L29/10 文献下载
摘要：一种器件，包括衬底和形成在衬底上方的第一晶体管。第一晶体管包括设置在衬底上方的第一源极、设置在衬底上方的第一漏极、耦合到第一源极和第一漏极的第一多个沟道、以及包围第一多个沟道的第一栅极。第一多个沟道位于第一源极和第一漏极之间。至少一个沟道包括硅锗(SiGe)。晶体管是场效应晶体管(FET)。晶体管是栅极全包围(GAA)FET。晶体管可以被配置为作为负沟道金属氧化物半导体(NMOS)晶体管操作。晶体管可以被配置为作为正沟道金属氧化物半导体(PMOS)晶体管操作。
包括具有 sige 沟道场效应晶体管 fet

[发明专利]用于自对准互连件、插塞和过孔的织物式图案化-CN202210111900.8在审
发明人： K·林;R·L·布里斯托尔;A·M·迈尔斯 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2015-06-26 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： H01L21/033 文献下载
摘要：本发明的实施例包括形成织物式图案化硬掩模的方法。在实施例中，以交替的图案在互连层的顶表面上方形成第一硬掩模和第二硬掩模。然后可以在第一硬掩模和第二硬掩模上方形成牺牲交叉光栅。在实施例中，去除第一硬掩模未被牺牲交叉光栅覆盖的部分，以形成第一开口，并将第三硬掩模沉积至第一开口中。实施例然后可以包括蚀刻通过第二硬掩模未被牺牲交叉光栅覆盖的部分以形成第二开口。可以利用第四硬掩模填充第二开口。根据实施例第一硬掩模、第二硬掩模、第三硬掩模和第四硬掩模相对于彼此具有蚀刻选择性。在实施例中，然后可以去除牺牲交叉光栅。
用于对准互连织物图案

[发明专利]用于自对准互连件、插塞和过孔的织物式图案化-CN201580080374.1有效
发明人： K·林;R·L·布里斯托尔;A·M·迈尔斯 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2015-06-26 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： H01L21/033 文献下载
摘要：本发明的实施例包括形成织物式图案化硬掩模的方法。在实施例中，以交替的图案在互连层的顶表面上方形成第一硬掩模和第二硬掩模。然后可以在第一硬掩模和第二硬掩模上方形成牺牲交叉光栅。在实施例中，去除第一硬掩模未被牺牲交叉光栅覆盖的部分，以形成第一开口，并将第三硬掩模沉积至第一开口中。实施例然后可以包括蚀刻通过第二硬掩模未被牺牲交叉光栅覆盖的部分以形成第二开口。可以利用第四硬掩模填充第二开口。根据实施例第一硬掩模、第二硬掩模、第三硬掩模和第四硬掩模相对于彼此具有蚀刻选择性。在实施例中，然后可以去除牺牲交叉光栅。
用于对准互连织物图案

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