专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]分立半导体器件和形成密封沟槽结终端的方法-CN200980138445.3有效
  • R·R·鲍曼 - 特里昂科技公司
  • 2009-07-24 - 2011-08-31 - H01L29/00
  • 一种分立半导体器件具有基板,其具有第一导电类型的半导体材料。第一半导体层在该基板上形成。该第一半导体层具有第一导电类型的半导体材料。第二半导体层在第一半导体层上。该第二半导体层具有第二导电类型的半导体材料。沟槽穿过该第二半导体层形成且延伸到该第二半导体层中。沟槽具有圆形或多边形形状以及垂直侧壁。沟槽衬有绝缘层且填充有绝缘材料。该第一和第二半导体层之间的边界形成p-n结。该沟槽环绕该p-n结以终止在该第二半导体层上强加的电压的电场。该分立半导体器件还可以是晶体管、晶闸管、三端双向可控硅开关元件或瞬时电压抑制器。
  • 分立半导体器件形成密封沟槽终端方法

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